一种基于大功率的DC/DC转换器制造技术

技术编号:20308737 阅读:27 留言:0更新日期:2019-02-11 13:43
本实用新型专利技术公开了一种基于大功率的DC/DC转换器,涉及电源技术领域,包括:电源防反接电路、EMI电路、软充电路、半桥LLC谐振电路、辅助电源电路、控制器,电源防反接电路与EMI电路连接,EMI电路与软充电路、半桥LLC谐振电路连接,软充电路与半桥LLC谐振电路连接,半桥LLC谐振电路与辅助电源电路连接,控制器与软充电路、半桥LLC谐振电路连接,电源防反接电路的输入端输入直流电源,电源防反接电路作为DC/DC转换器的输入端,半桥LLC谐振电路的输出端作为DC/DC转换器的输出端。实用新型专利技术优点在于体积小,并且功率密度、转换效率都比较高,利于长久应用,重量轻、性能稳定、适应于各种环境,节省成本。

A DC/DC Converter Based on High Power

The utility model discloses a DC/DC converter based on high power, which relates to the technical field of power supply, including power supply anti-reverse circuit, EMI circuit, soft charging circuit, half-bridge LLC resonant circuit, auxiliary power supply circuit, controller, power supply anti-reverse circuit and EMI circuit, EMI circuit and soft charging circuit and half-bridge LLC resonant circuit, soft charging circuit and half-bridge LLC resonant circuit. Connect the half-bridge LLC resonant circuit with the auxiliary power supply circuit, the controller is connected with the soft charging circuit and the half-bridge LLC resonant circuit. The input end of the anti-reverse circuit of the power supply is input to the DC power supply. The anti-reverse circuit of the power supply is the input end of the DC/DC converter, and the output end of the half-bridge LLC resonant circuit is the output end of the DC/DC converter. The utility model has the advantages of small size, high power density and conversion efficiency, which is conducive to long-term application, light weight, stable performance, adaptability to various environments and cost saving.

【技术实现步骤摘要】
一种基于大功率的DC/DC转换器
本技术涉及电源
,更具体涉及一种基于大功率的DC/DC转换器。
技术介绍
DC/DC转换器广泛应用于远程及数据通讯、计算机、办公自动化设备、工业仪器仪表、军事、航天等领域,涉及到国民经济的各行各业。大功率DC/DC转换器广泛应用于电网、车载中,而现有的大功率DC/DC转换器的体积大,并且功率密度、转换效率都比较低,不利于长久应用。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题在于现有DC/DC转换器的体积大、转换效率低的问题。本技术是通过以下技术方案解决上述技术问题的:一种基于大功率的DC/DC转换器,包括:电源防反接电路、EMI电路、软充电路、半桥LLC谐振电路、辅助电源电路、控制器,所述电源防反接电路的输出端与所述EMI电路的输入端连接,所述EMI电路的输出端与所述软充电路的输入端连接,所述软充电路的输出端与所述半桥LLC谐振电路的输入端连接,所述半桥LLC谐振电路与所述辅助电源电路连接,所述控制器与所述软充电路、所述半桥LLC谐振电路连接,所述电源防反接电路的输入端输入直流电源,所述电源防反接电路作为DC/DC转换器的输入端,所述半桥LLC谐振电路的输出端作为DC/DC转换器的输出端。优选地,所述电源防反接电路包括第一场效应管Q1,第一场效应管Q1的栅极与直流电源的正极、EMI电路的第一输入端连接,第一场效应管Q1的源极与直流电流的负极连接,第一场效应管Q1的漏极与EMI电路的第二输入端连接。优选地,所述第一场效应管Q1选用SPP06N60C3型号。优选地,所述EMI电路包括第一电容C1、第二电容C2、第三电容C3、第四电容C4、第一电阻R1、共模电感L,第一电容C1与第二电容C2串联且连接点接地,第三电容C3、第一电阻R1以及第一电容C1与第二电容C2串联电路都进行并联连接,第一电容C1的非串联端、第一电阻R1的一端、第三电容C3的一端都与第一场效应管Q1的栅极、共模电感L的第一线圈同名端相连接,第一场效应管Q1的栅极与共模电感L的第一线圈同名端相连接,第二电容C2的非串联端、第一电阻R1的另一端、第三电容C3的另一端都与第一场效应管Q1的漏极、共模电感L的第二线圈同名端相连接,第一场效应管Q1的漏极与共模电感L的第二线圈同名端相连接,第一场效应管Q1的漏极与共模电感L的第二线圈同名端相连接,第四电容C4的一端与共模电感L的第一线圈非同名端相连,并作为EMI电路的输出端,第四电容C4的另一端与共模电感L的第二线圈非同名端相连并接地。优选地,所述软充电路包括第五电容C5、第二电阻R2、第二场效应管Q2、第一肖特基二极管D1、第二肖特基二极管D2、第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5、第六电容C6、继电器K1,第五电容C5与第二电阻R2并联,第五电容C5与第二电阻R2并联的一端与控制器、第五电容C5与第二电阻R2并联的另一端接地,第二场效应管Q2的栅极与控制器连接,第二场效应管Q2的源极接地,第一肖特基二极管D1的正极与第二肖特基二极管D2的正极连接,第三电阻R3与第四电阻R4并联,第三电阻R3与第四电阻R4并联的一端与第六电容C6连接,第六电容C6的另一端接地,第二场效应管Q2的漏极与继电器K1的第四引脚、第一肖特基二极管D1的负极连接,第一肖特基二极管D1的负极、第二肖特基二极管D2的负极分别连接在继电器K1的第四引脚、第五引脚,继电器K1的第五引脚、第二肖特基二极管D2的负极与第三电阻R3与第四电阻R4并联的另一端连接,继电器K1的第二引脚与EMI电路的输出端连接,继电器K1的第三引脚与半桥LLC谐振电路的输入端连接,第五电阻R5连接在继电器K1的第二引脚、第三引脚之间,继电器K1的第三引脚作为软充电路的输出端。优选地,所述第二场效应管Q2选用2N7002ET1型号。优选地,所述半桥LLC谐振电路包括第一NMOS管N1、第二NMOS管N2、第三NMOS管N3、第四NMOS管N4、第七电容C7、第八电容C8、第九电容C9、第十电容C10、第十一电容C11、第十二电容C12、第一电感L1、第二电感L2、第三电感L3、第四电感L4、第一变压器T1、第二变压器T2、第五NMOS管N5、第六NMOS管N6、第七NMOS管N7、第八NMOS管N8、第十三电容C13、第十四电容C14、第十五电容C15、第十六电容C16,第一NMOS管N1的源极与第二NMOS管N2的漏极连接,第九电容C9与第十电容C10串联,第一NMOS管N1与第二NMOS管N2的串联、第七电容C7、第八电容C8、第九电容C9并联连接,第七电容C7、第八电容C8并联在第一NMOS管N1的漏极、第二NMOS管N2的源极之间,第一电感L1一端连接在第九电容C9与第十电容C10连接点上,第二电感L2的一端、第一变压器T1的原边非同名端连接在第一NMOS管N1的源极与第二NMOS管N2的漏极连接点上,第一电感L1的另一端与第一变压器T1的原边同名端相连,第二电感L2连接在第一变压器T1的原边同名端与原边非同名端之间,第一变压器T1的副边同名端与第六NMOS管N6的漏极连接,第一变压器T1的副边非同名端与第五NMOS管N5的漏极连接,第五NMOS管N5、第六NMOS管N6的源极都接地,第三NMOS管N3的源极与第四NMOS管N4的漏极连接,第十一电容C11与第十二电容C12串联,第一NMOS管N1的漏极、第九电容C9的非串联端、第三NMOS管N3的漏极、第十一电容C11的非串联端作为半桥LLC谐振电路的第一输入端,且与软充电路的输出端连接,第二NMOS管N2的源极、第十电容C10的非串联端、第四NMOS管N4的源极、第十二电容C12的非串联端作为半桥LLC谐振电路的第二输入端,且接地,第三电感L3的一端连接在第十一电容C11、第十二电容C12的串联连接点上,第二电感T2的原边非同名端连接在第三NMOS管N3的源极与第四NMOS管N4的漏极连接的连接点上,第四电感L4连接在第二变压器T2的原边同名端与非同名端之间,第二变压器T2的副边同名端与第八NMOS管N8的漏极连接,第二变压器T2的非同名端与第七NMOS管N7的漏极连接,第一变压器T1的控制端、第二变压器T2的控制端连接在半桥LLC谐振电路的第一输出端,第五NMOS管N5、第六NMOS管N6、第七NMOS管N7、第八NMOS管N8的源极连接在半桥LLC谐振电路的第二输出端,第十三电容C13、第十四电容C14、第十五电容C15、第十六电容C16进行并联,并连接在半桥LLC谐振电路的第一输出端与第二输出端之间,第一NMOS管N1、第二NMOS管N2、第三NMOS管N3、第四NMOS管N4、第五NMOS管N5、第六NMOS管N6、第七NMOS管N7、第八NMOS管N8的栅极与驱动器进行连接,其中,驱动器与控制器连接。优选地,所述辅助电源电路包括电压继电器、第三肖特基二极管D3、第十七电容C17、开关控制器、第十八电容C18、第十九电容C19、第二十电容C20、第二十一电容C21、线性稳压器,电源输入电压继电器输入端,电压继电器的输出端经过第三击穿二极管D3输出第一电压,第十七电容C17的一端与第三击穿电路D3的负极连接,第十七电容C17的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于大功率的DC/DC转换器,其特征在于,包括:电源防反接电路、EMI电路、软充电路、半桥LLC谐振电路、辅助电源电路、控制器,所述电源防反接电路的输出端与所述EMI电路的输入端连接,所述EMI电路的输出端与所述软充电路的输入端连接,所述软充电路的输出端与所述半桥LLC谐振电路的输入端连接,所述半桥LLC谐振电路与所述辅助电源电路连接,所述控制器与所述软充电路、所述半桥LLC谐振电路连接,所述电源防反接电路的输入端输入直流电源,所述电源防反接电路作为DC/DC转换器的输入端,所述半桥LLC谐振电路的输出端作为DC/DC转换器的输出端。

【技术特征摘要】
1.一种基于大功率的DC/DC转换器,其特征在于,包括:电源防反接电路、EMI电路、软充电路、半桥LLC谐振电路、辅助电源电路、控制器,所述电源防反接电路的输出端与所述EMI电路的输入端连接,所述EMI电路的输出端与所述软充电路的输入端连接,所述软充电路的输出端与所述半桥LLC谐振电路的输入端连接,所述半桥LLC谐振电路与所述辅助电源电路连接,所述控制器与所述软充电路、所述半桥LLC谐振电路连接,所述电源防反接电路的输入端输入直流电源,所述电源防反接电路作为DC/DC转换器的输入端,所述半桥LLC谐振电路的输出端作为DC/DC转换器的输出端。2.根据权利要求1所述的一种基于大功率的DC/DC转换器,其特征在于,所述电源防反接电路包括第一场效应管Q1,第一场效应管Q1的栅极与直流电源的正极、EMI电路的第一输入端连接,第一场效应管Q1的源极与直流电流的负极连接,第一场效应管Q1的漏极与EMI电路的第二输入端连接。3.根据权利要求2所述的一种基于大功率的DC/DC转换器,其特征在于,所述第一场效应管Q1选用SPP06N60C3型号。4.根据权利要求2所述的一种基于大功率的DC/DC转换器,其特征在于,所述EMI电路包括第一电容C1、第二电容C2、第三电容C3、第四电容C4、第一电阻R1、共模电感L,第一电容C1与第二电容C2串联且连接点接地,第三电容C3、第一电阻R1以及第一电容C1与第二电容C2串联电路都进行并联连接,第一电容C1的非串联端、第一电阻R1的一端、第三电容C3的一端都与第一场效应管Q1的栅极、共模电感L的第一线圈同名端相连接,第一场效应管Q1的栅极与共模电感L的第一线圈同名端相连接,第二电容C2的非串联端、第一电阻R1的另一端、第三电容C3的另一端都与第一场效应管Q1的漏极、共模电感L的第二线圈同名端相连接,第一场效应管Q1的漏极与共模电感L的第二线圈同名端相连接,第一场效应管Q1的漏极与共模电感L的第二线圈同名端相连接,第四电容C4的一端与共模电感L的第一线圈非同名端相连,并作为EMI电路的输出端,第四电容C4的另一端与共模电感L的第二线圈非同名端相连并接地。5.根据权利要求1所述的一种基于大功率的DC/DC转换器,其特征在于,所述软充电路包括第五电容C5、第二电阻R2、第二场效应管Q2、第一肖特基二极管D1、第二肖特基二极管D2、第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5、第六电容C6、继电器K1,第五电容C5与第二电阻R2并联,第五电容C5与第二电阻R2并联的一端与控制器、第五电容C5与第二电阻R2并联的另一端接地,第二场效应管Q2的栅极与控制器连接,第二场效应管Q2的源极接地,第一肖特基二极管D1的正极与第二肖特基二极管D2的正极连接,第三电阻R3与第四电阻R4并联,第三电阻R3与第四电阻R4并联的一端与第六电容C6连接,第六电容C6的另一端接地,第二场效应管Q2的漏极与继电器K1的第四引脚、第一肖特基二极管D1的负极连接,第一肖特基二极管D1的负极、第二肖特基二极管D2的负极分别连接在继电器K1的第四引脚、第五引脚,继电器K1的第五引脚、第二肖特基二极管D2的负极与第三电阻R3与第四电阻R4并联的另一端连接,继电器K1的第二引脚与EMI电路的输出端连接,继电器K1的第三引脚与半桥LLC谐振电路的输入端连接,第五电阻R5连接在继电器K1的第二引脚、第三引脚之间,继电器K1的第三引脚作为软充电路的输出端。6.根据权利要求5所述的一种基于大功率的DC/DC转换器,其特征在于,所述第二场效应管Q2选用2N7002ET1型号。7.根据权利要求1所述的一种基于大功率的DC/DC转换器,其特征在于,所述半桥LLC谐振电路包括第一NMOS管N1、第二NMOS管N2、第三NMOS管N3、第四NMOS管N4、第七电容C7、第八电容C8、第九电容C9、第十电容C10、第十一电容C11、第十二电容C12、第一电感L1、第二电感L2、第三电感L3、第四电感L4、第一变...

【专利技术属性】
技术研发人员:李长江叶骏
申请(专利权)人:深圳市南瑞华腾新能源有限公司
类型:新型
国别省市:广东,44

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