The utility model discloses a physical destruction circuit, which is used to destroy the flash memory unit and CPU on the circuit board, including interface circuit, main control chip, several flash memory units, destroy main control chip, destroy power switch and several field effect transistors; the input end of the main control chip is connected with the interface circuit, and the output end is connected with the flash memory unit; The control chip is connected with the destroying main control chip through a field effect transistor. Each flash storage unit is connected with the destroying main control chip through a field effect transistor. The destroying main control chip is also connected with the interface circuit and the input end of the destroying power switch respectively. The output end of the destroying power switch is connected with each flash storage unit. The utility model destroys each flash storage unit and main control chip by means of destruction one by one, which ensures that each flash and main control chip can be completely destroyed and avoids data leakage.
【技术实现步骤摘要】
固态硬盘及其物理销毁电路
本技术涉及固态硬盘领域,具体涉及一种固态硬盘及其物理销毁电路。
技术介绍
目前,半导体存储介质,如固态存储盘、U盘、IC卡、CF卡等以其低功耗、无噪音、便利性、不依靠机械运动、环境温度适应性强等特点得到了广泛的应用。由于涉密单位对存储介质的销毁有着严格的要求,特别是在某些应用环境安全等级要求较高的场所,电子设备内部存储有国家、单位或个人的敏感信息及重要数据,因而各种各样的半导体存储介质如何彻底销毁也成为一个新的问题。现在常使用机械粉碎方法销毁半导体存储介质,即针对存储介质的不同材料,分别对固态存储盘、U盘、IC卡、CF卡等进行机械粉碎处理,但是,现有的机械粉碎销毁装置一般体积较大,需要占用较大的办公空间,且存在粉碎不彻底的问题,容易造成数据泄露。
技术实现思路
本技术的主要目的在于提供一种物理销毁电路,旨在解决现有的电路板采用机械粉碎的方法销毁容易造成销毁不彻底的问题。为解决上述技术问题,本技术提出一种物理销毁电路,该物理销毁电路包括接口电路、主控芯片、若干flash存储单元、销毁主控芯片、销毁电源开关以及若干场效应管;所述主控芯片的输入端与所述接口电路连接,用于接收SATA工作信号;所述主控芯片的输出端与所述flash存储单元连接,用于向所述flash存储单元存储数据;所述主控芯片通过一个所述场效应管与所述销毁主控芯片连接,每个所述flash存储单元各通过一个所述场效应管与所述销毁主控芯片连接,并且所述主控芯片和所述flash存储单元与所述场效应管的漏极连接,所述销毁主控芯片与所述场效应管的栅极连接,所述场效应管的源极接地;所述销毁主控 ...
【技术保护点】
1.一种物理销毁电路,其特征在于,包括接口电路、主控芯片、若干flash存储单元、销毁主控芯片、销毁电源开关以及若干场效应管;所述主控芯片的输入端与所述接口电路连接,用于接收SATA工作信号;所述主控芯片的输出端与所述flash存储单元连接,用于向所述flash存储单元存储数据;所述主控芯片通过一个所述场效应管与所述销毁主控芯片连接,每个所述flash存储单元各通过一个所述场效应管与所述销毁主控芯片连接,并且所述主控芯片和所述flash存储单元与所述场效应管的漏极连接,所述销毁主控芯片与所述场效应管的栅极连接,所述场效应管的源极接地;所述销毁主控芯片还分别与所述接口电路、销毁电源开关的输入端连接,用于通过所述接口电路接收销毁指令并向所述销毁电源开关发送销毁电源接通指令;所述销毁电源开关的输出端与每个所述flash存储单元连接。
【技术特征摘要】
1.一种物理销毁电路,其特征在于,包括接口电路、主控芯片、若干flash存储单元、销毁主控芯片、销毁电源开关以及若干场效应管;所述主控芯片的输入端与所述接口电路连接,用于接收SATA工作信号;所述主控芯片的输出端与所述flash存储单元连接,用于向所述flash存储单元存储数据;所述主控芯片通过一个所述场效应管与所述销毁主控芯片连接,每个所述flash存储单元各通过一个所述场效应管与所述销毁主控芯片连接,并且所述主控芯片和所述flash存储单元与所述场效应管的漏极连接,所述销毁主控芯片与所述场效应管的栅极连接,所述场效应管的源极接地;所述销毁主控芯片还分别与所述接口电路、销毁电源开关的输入端连接,用于通过所述接口电路接收销毁指令并向所述销毁电源开关发送销毁电源接通指令;所述销毁电源开关的输出端与每个所述flash存储单元连接。2.如权利要求1所述的物理销毁电路,其特征在于,所述接口电路包括用于接入SATA工作信号的第一接口、用于接入销毁信号的第二接口、以及用于连接销毁电源的第三接口。3.如权利要求2所述的物理销毁电路,其特征在于,所述销毁电源开关包括前置调压电路,所述前置调压电路包括:降压稳压调节芯片U14、电阻R391、电容C100、二极管D34、电感线圈L3、电容C31、电阻R9和电阻R32;其中,所述降压稳压调节芯片U14的VIN管脚用于输入销毁电源;所述降压稳压调节芯片U14的EN管脚与所述销毁主控芯片连接;所述降压稳压调节芯片U14的GND管脚和GND1管脚均接地;所述电阻R391的第一端接地,第二端与所述降压稳压调节芯片U14的EN管脚连接;所述电容C100的第一端与所述降压稳压调节芯片U14的BOOT管脚连接,第二端与所述二极管D34的负极、所述电感线圈L3的第一端连接;所述二极管D34的负极、所述电感线圈L3的第一端还连接于所述降压稳压调节芯片U14的SW管脚;所述二极管D34的正极接地;所述电容C31、电阻R9和电阻R32相互并联且第一端均与所述降压稳压调节芯片U14的FB管脚连接,所述电阻R32的第二端接地,所述电容C31的第二端、电阻R9的第二端均与所述电感线圈L3的第二端连接;所述电容C31的第二端、电阻R9的第二端、所述电感线圈L3的第二端相互连接。4.如权利要求3所述的物理销毁电路,其特征在于,所述前置调压电路还包括第一跳线电路;所述第一跳线电路的第一端连接所述降压稳压调节芯片U14的VIN管脚,用于输入销毁电源,所述第一跳线电路的第二端连接所述电感线圈L3的第二端,用于输出销毁电源;所述第一跳线电路包括并联的磁珠L54、磁珠L46和磁珠L35。5.如权利要求4所述的物理销毁电路,其特征在于,所述销毁电源开关还包括后置限流电路,所述后置限流电路包括:稳压限流芯片U13、稳压限流芯片U17、电阻R366、电阻R367、和电阻R441;其中,所述稳压限流芯片U13的三个IN管脚和所述稳压限流芯片U17的三个IN管脚均与所述电感线圈L3的第二端连接;所述稳压限流芯片U13的三个OUT管脚和稳压限流芯片U17的三个OUT管脚均用于向所述flash存储单元输出销毁电源;所述稳压限流芯片U13的EN管脚、稳压限流芯片U17的EN管脚均与所述销毁主控芯片连接;所述稳压限流芯片U13的GND管脚和稳压限流芯片U17的GND管脚均接地;所述电阻R366的第一端接地,第二端与所述稳压限流芯片U13的EN管脚、所述稳压限流芯片U17的EN管脚连接;所述电阻R367的第一端接地,第二端与所述稳压限流芯片U13的ILIM管脚连接;所述电阻R441的第一端与所述稳压限流芯片U17的ILIM管脚连接,第二端接地。6.如权利要求5所述的物理销毁电路,其特征在于,所述后置限流电路还包括第二跳线电路,所述第二跳线电路的第一端连接稳压限流芯片U13的三个IN管脚,所述第二跳线电路的第二端用于...
【专利技术属性】
技术研发人员:孙成思,孙日欣,李振华,顾红伟,
申请(专利权)人:深圳佰维存储科技股份有限公司,
类型:新型
国别省市:广东,44
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