半导体器件制造技术

在实施例中公开一种半导体器件，包括：衬底；第一和第二半导体层，其被排列在衬底上并且具有不同的导电类型；第三半导体层，其被排列在第一半导体层和第二半导体层之间；第一电极，其被排列在第一半导体层上以便被电连接到第一半导体层；第二电极，其被排列在第二半导体层上以便被电连接到第二半导体层；以及第一绝缘层，其在暴露的第一、第二和第三半导体层上被排列在第一电极和第二电极之间，其中在第一电极的两个端部之中的靠近第二电极的第一端部和/或作为第二电极的两个端部的第二端部具有电场分散部。

semiconductor device

In embodiments, a semiconductor device is disclosed, including: a substrate; a first and a second semiconductor layer arranged on the substrate and having different conductive types; a third semiconductor layer arranged between the first and second semiconductor layers; a first electrode arranged on the first semiconductor layer for electrically connecting to the first semiconductor layer; and a second electrode thereof. Arranged on the second semiconductor layer for electrical connection to the second semiconductor layer; and the first insulating layer, which is arranged between the first electrode and the second electrode on the exposed first, second and third semiconductor layers, where the first end near the second electrode and/or the second end as the two ends of the second electrode have an electric field part. Scattered parts.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体器件
实施例涉及一种半导体器件。
技术介绍
包括诸如GaN、AlGaN等化合物的半导体器件具有宽且易于调节的带隙能量等的许多优点，使得半导体器件可以不同地用作发光器件、光接收器件、各种二极管等。特别地，使用III-V族或II-VI族化合物半导体的化合物半导体材料的诸如发光二极管(LED)或激光二极管的发光器件随着薄膜生长技术和元件材料的发展能够实现各种颜色的光，诸如红光、绿光、蓝光和紫外线，还能够使用荧光材料或组合颜色实现高效率的白光，并且与诸如荧光灯和白炽灯的传统光源相比，具有低功耗、半永久的寿命、快速的响应速度、安全性和环境友好性的优点。此外，当使用III-V族或II-VI族化合物半导体材料制造诸如光电探测器或太阳能电池的光接收器件时，由于元件材料的发展，光接收器件吸收各种波长区域的光以产生光电流，使得能够检测从伽马射线到无线电波长范围的各种波长区域中的光。此外，这种光接收器件具有响应速度快、安全、环境友好、并且易于控制器件材料的优点，使得光接收器件也能够被容易地用作用于功率控制的各种传感器、微波电路、通信模块、或检测气体或紫外线(UV)。因此，半导体器件的应用已经被扩展以应用为光通信设备的传输模块、取代配置液晶显示器(LCD)设备的背光的冷阴极荧光灯(CCFL)的LED背光、能够更换荧光灯或白炽灯的白色LED照明装置、车辆的前灯、交通信号灯、用于检测气体或火的传感器等。此外，半导体器件的应用能够被扩展为应用于高频应用电路、其他电源控制设备和通信模块。在传统的半导体器件中，在电极的边缘处强烈地形成电场，使得存在能够损坏半导体器件的问题。专利技术内容技术问题示例性实施例涉及通过分散局部大电场来提供具有改善的可靠性的半导体器件。技术方案本专利技术的一个方面提供一种半导体器件，包括：衬底；第一和第二半导体层，其被布置在衬底上并且具有不同导电类型；第三半导体层，其被布置在第一半导体层和第二半导体层之间；第一电极，其被布置在第一半导体层上；第二电极，其被布置在第二半导体层上；以及第一绝缘层，其被布置在第一电极和第二电极之间暴露的第一、第二和第三半导体层之中的至少一个上，其中靠近第二电极的第一电极的两个端部之中的第一端部和第二电极的两个端部之中的第二端部中的至少一个可以具有电场分散部(electricfielddistributionpart)。电场分散部可以包括与第一或第二半导体层接触的至少一个腔体。半导体器件还可以包括第二绝缘层，该第二绝缘层被布置在至少一个腔体内。从与第一半导体层接触的至少一个腔体到第一端部的边缘的第一距离可以短于从与第一半导体层接触的至少一个腔体到第一电极的中心的第二距离。从与第二半导体层接触的至少一个腔体到第二端部的边缘的第三距离可以短于从与第二半导体层接触的至少一个腔体到第二电极的中心的第四距离。至少一个腔体可以包括多个腔体，以及多个腔体的宽度或深度和分离距离之中的一个或多个可以不同，多个腔体通过分离距离被彼此分开。电场分散部可以包括朝向第一或第二半导体层突出的至少一个突起。从朝向第一半导体层突出的至少一个突起到第一端部的边缘的第五距离可以短于从朝向第一半导体层突出的至少一个突起到第一电极的中心的第六距离。从朝向第二半导体层突出的至少一个突起到第二端部的边缘的第七距离可以短于从朝向第二半导体层突出的至少一个突起到第二电极的中心的第八距离。第五距离或第七距离可以在1μm至5μm的范围内。至少一个突起的数目可以在1至5的范围内。至少一个突起可以包括多个突起，以及多个突起的宽度或深度和分离距离之中的一个或多个可以不同，多个突起通过分离距离被彼此分开。在第二端部中包括的电场分散部可以具有与第一电极和第一绝缘层之间的第一界面隔开第九距离的边缘并且在垂直方向中与第一绝缘层和第一半导体层重叠。在第一端部中包括的电场分散部可以具有与第一绝缘层和第二电极之间的第二界面隔开第十距离的边缘，并且在垂直方向中与第一绝缘层和第一至第三半导体层重叠。第一端部和第二端部可以被布置为在第一半导体层上相互面对。第一端部和第二端部可以被布置为在第二半导体层上相互面对。第九距离或第十距离可以在1μm至5μm的范围内。第一电极可以包括在第一半导体层上布置的第一欧姆层和在第一欧姆层上布置的第一金属层。第一欧姆层和第一金属层可以被一体化。第二电极可以包括在第二半导体层上布置的第二欧姆层以及在第二欧姆层上布置的第二金属层。第二欧姆层和第二金属层可以被一体化。第一绝缘层可以包括在第一半导体层上布置的第一绝缘部、在第二半导体层上布置的第二绝缘部、以及在第一和第二绝缘部之间布置的第一至第三半导体的侧部处的第三绝缘部。有益效果根据实施例的半导体器件能够通过分散局部大电场来提供高可靠性，以防止由于强电场引起的损坏。附图说明图1是根据一个实施例的半导体器件的平面图。图2是沿着图1中示出的I-I'线截取的横截面图。图3是根据另一实施例的图1和2中所示的半导体器件的部分分解横截面图。图4是根据另一实施例的半导体器件的平面图。图5是沿着图1中示出的线II-II'截取的横截面图。图6是根据另一个实施例的图4和图5中所示的半导体器件的部分分解横截面图。图7是根据又一实施例的半导体器件的平面图。图8是沿着图7中的线III-III'截取的横截面图。图9是根据又一实施例的半导体器件的平面图。图10是沿着图9中所示的线IV-IV'截取的横截面图。图11是根据比较示例的半导体器件的平面图。图12是沿着图11中所示的线V-V'截取的半导体器件的横截面图。图13a和13b是根据图11中所示的比较示例的实际发光器件的照片。具体实施方式在下文中，将参考附图描述能够实现上述目的的本专利技术的示例性实施例。在根据本专利技术的实施例的描述中，当元件被描述为在另一元件“上”或“下”形成时，术语“在...上”或“在......下”包括相互(直接)接触的含义以及一个或者多个其他元件被布置并且被形成在两个元件之间(间接)的含义。此外，当元件被描述为形成在另一元件“上”或“下”时，该描述可以包括在元件的向上方向中形成以及在元件的向下方向形成的另一元件的含义。半导体器件可以包括各种电子器件，诸如发光器件和光接收器件。发光器件和光接收器件都可以包括第一和第二半导体层以及具有不同导电类型的第三半导体层(或有源层)。发光器件通过电子和空穴的复合发射光，并且光的波长由材料的固有能带隙确定。因此，发射的光可以根据材料的成分而变化。发光器件可以通过配置为发光器件封装而用作照明系统的光源。例如，发光器件封装可以用作图像显示器件或照明器件的光源。当发光器件封装用作图像显示器件的背光单元时，发光器件封装可以用作边缘型背光单元或直下型背光单元。当发光器件封装用作照明装置的光源时，发光器件封装可以用作灯具或者可以以灯泡形式使用，并且发光器件封装也可以用作移动终端的光源。发光器件包括发光二极管或激光二极管。发光二极管可以包括第一半导体层、第二半导体层和第三半导体层的上述结构。发光二极管和激光二极管的相同之处在于，电致发光(电场发光)现象被使用，其中当第一p型半导体层和第二n型半导体层结合并且电流流动时发射光，但发光二极管和激光二极管在发射的光的方向性和相位上不同。也就是说，激光二极管可以使用被称为受本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体器件，包括：衬底；第一半导体层和第二半导体层，所述第一半导体层和所述第二半导体层被布置在所述衬底上并且具有不同导电类型；第三半导体层，所述第三半导体层被布置在所述第一半导体层和所述第二半导体层之间；第一电极，所述第一电极被布置在所述第一半导体层上并且被电连接到所述第一半导体层；第二电极，所述第二电极被布置在所述第二半导体层上并且被电连接到所述第二半导体层；以及第一绝缘层，所述第一绝缘层被布置在所述第一电极和所述第二电极之间暴露的第一半导体层、第二半导体层和第三半导体层上，其中，靠近所述第二电极的所述第一电极的两个端部之中的第一端部和所述第二电极的两个端部之中的第二端部中的至少一个具有电场分散部。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.06.14 KR 10-2016-00740061.一种半导体器件，包括：衬底；第一半导体层和第二半导体层，所述第一半导体层和所述第二半导体层被布置在所述衬底上并且具有不同导电类型；第三半导体层，所述第三半导体层被布置在所述第一半导体层和所述第二半导体层之间；第一电极，所述第一电极被布置在所述第一半导体层上并且被电连接到所述第一半导体层；第二电极，所述第二电极被布置在所述第二半导体层上并且被电连接到所述第二半导体层；以及第一绝缘层，所述第一绝缘层被布置在所述第一电极和所述第二电极之间暴露的第一半导体层、第二半导体层和第三半导体层上，其中，靠近所述第二电极的所述第一电极的两个端部之中的第一端部和所述第二电极的两个端部之中的第二端部中的至少一个具有电场分散部。2.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括第二绝缘层，所述第二绝缘层被布置在至少一个腔体内，其中，所述电场分散部包括与所述第一半导体层或所述第二半导体层接触的所述至少一个腔体。3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中：从与所述第一半导体层接触的所述至少一个腔体到所述第一端部的边缘的第一距离短于从与所述第一半导体层接触的所述至少一个腔体到所述第一电极的中心的第二距离；以及从与所述第二半导体层接触的所述至少一个腔体到所述第二端部的边缘的第三距离短于从与所述第二半导体层接触的所述至少一个腔体到所述第二电极的中心的第四距离。4.根据权利要求2所述的半导体器件，其中：所述至少一个腔体包括多个腔体；以及所述多个腔体的宽度或深度和分离距离之中的一个或多个相互不同，所述多个腔体通过所述分离距离被彼此分开。5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：所述电场分散部包括至少一个突起，所述至少一个突起朝向所述第一半导体层或所述第二半导体层突出；从朝向所述第一半导体层突出的所述至少一个突起...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴政勋，
申请(专利权)人：LG伊诺特有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR