By accumulating carriers, the accumulator can reduce the on-off voltage (Von) between collector and emitter when IGBT is on. However, when IGBT is turned off, the carrier helps to turn off the loss (Eoff). A semiconductor device is provided, which includes a semiconductor substrate with a plurality of grooves extending in a predetermined direction, a mesa and a drift layer between two adjacent grooves in a plurality of grooves, a plurality of grooves including a gate groove and a fictitious groove, and a mesa with an emitter area, a contact area and a location closer to the emitter area and a contact area than the emitter area and the contact area. The number of accumulation layers in the depth direction in the mesa adjacent to the grid groove is larger than that in the mesa adjacent to the grid groove.
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置
本专利技术涉及半导体装置。
技术介绍
以往,已知具有载流子积累层的绝缘栅双极型晶体管(IGBT)(例如,参照专利文献1)。现有技术文献专利文献专利文献1:日本特开2007-311627号公报
技术实现思路
技术问题载流子积累层也称为积累层。积累层通过积累载流子(例如,空穴),从而具有降低作为IGBT导通时的集电极-发射极间电压的导通电压(Von)的功能。但是,在IGBT的关断时,该载流子有助于关断损耗(Eoff)。技术方案在本专利技术的第一方式中,提供一种半导体装置。半导体装置可以具有半导体基板。半导体基板可以具备:两个沟槽部、台面部和漂移层。两个沟槽部可以沿预先确定的方向延伸。台面部可以设置在两个沟槽部之间。漂移层可以设置在台面部的下方。漂移层可以是第一导电型。台面部可以具有:发射极区、接触区和多个积累层。发射极区的掺杂浓度可以比漂移层的掺杂浓度高。此外,发射极区的至少一部分可以位于半导体基板的上表面。进一步地,发射极区可以是第一导电型。接触区的至少一部分可以位于半导体基板的上表面。此外,接触区可以是第二导电型。多个积累层可以在比发射极区和接触区更靠下方的位置以在半导体基板的深度方向上排列的方式设置。深度方向可以是从半导体基板的上表面向下表面的方向。多个积累层可以具有比漂移层的第一导电型的掺杂浓度高的第一导电型的掺杂浓度。多个积累层中的至少一个积累层可以设置在发射极区的至少一部分的下方,但不设置在接触区的一部分区域的下方。发射极区与接触区可以在预先确定的方向上交替地设置。至少一个积累层可以不设置在多个接触区中的每一个接触区的一部分区域的下方。至少 ...
【技术保护点】
1.一种半导体装置,其特征在于,所述半导体装置具有包括晶体管区的半导体基板,所述半导体基板在所述晶体管区中具备:多个沟槽部,沿预先确定的方向延伸;台面部,分别设置在所述多个沟槽部中的相邻的两个沟槽部之间;以及第一导电型的漂移层,设置在所述台面部的下方,所述多个沟槽部包括:栅极沟槽部,具有栅极导电部,并且栅极电位被提供到所述栅极导电部;以及虚设沟槽部,具有虚设沟槽导电部,并且发射极电位被提供到所述虚设沟槽导电部,所述台面部具有:第一导电型的发射极区,其掺杂浓度比所述漂移层高,且所述发射极区的至少一部分位于所述半导体基板的上表面;第二导电型的接触区,其至少一部分位于所述半导体基板的上表面;以及积累层,其设置在比所述发射极区和所述接触区更靠下方的位置,且具有比所述漂移层的第一导电型的掺杂浓度高的第一导电型的掺杂浓度,在与所述栅极沟槽部相邻的所述台面部中沿从所述半导体基板的所述上表面向下表面的深度方向设置的所述积累层的数量比在两个所述虚设沟槽部之间的所述台面部中沿所述深度方向设置的所述积累层的数量多。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.12.08 JP 2016-238469;2017.06.05 JP 2017-111101.一种半导体装置,其特征在于,所述半导体装置具有包括晶体管区的半导体基板,所述半导体基板在所述晶体管区中具备:多个沟槽部,沿预先确定的方向延伸;台面部,分别设置在所述多个沟槽部中的相邻的两个沟槽部之间;以及第一导电型的漂移层,设置在所述台面部的下方,所述多个沟槽部包括:栅极沟槽部,具有栅极导电部,并且栅极电位被提供到所述栅极导电部;以及虚设沟槽部,具有虚设沟槽导电部,并且发射极电位被提供到所述虚设沟槽导电部,所述台面部具有:第一导电型的发射极区,其掺杂浓度比所述漂移层高,且所述发射极区的至少一部分位于所述半导体基板的上表面;第二导电型的接触区,其至少一部分位于所述半导体基板的上表面;以及积累层,其设置在比所述发射极区和所述接触区更靠下方的位置,且具有比所述漂移层的第一导电型的掺杂浓度高的第一导电型的掺杂浓度,在与所述栅极沟槽部相邻的所述台面部中沿从所述半导体基板的所述上表面向下表面的深度方向设置的所述积累层的数量比在两个所述虚设沟槽部之间的所述台面部中沿所述深度方向设置的所述积累层的数量多。2.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,在两个所述虚设沟槽部之间的所述台面部不设置所述积累层。3.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,在两个所述虚设沟槽部之间的所述台面部设置一个所述积累层。4.根据权利要求1~3中任一项所述的半导体装置,其特征在于,所述发射极区与所述接触区在所述预先确定的方向上交替地设置,与所述栅极沟槽部相邻的所述台面部具有多个积累层,所述多个积累层中的至少一个积累层设置在所述发射极区的至少一部分的下方,但不设置在所述接触区的一部分区域的下方。5.根据权利要求4所述的半导体装置,其特征在于,...
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