在一对导线之间侧向地形成竖向延伸导体的方法技术

技术编号:20290624 阅读:21 留言:0更新日期:2019-02-10 20:48
一种在一对导线之间侧向地形成竖向延伸导体的方法包括形成在至少一个垂直剖面中彼此间隔的一对导线。导体材料经形成以在所述至少一个垂直剖面中在所述对导线间侧向地竖向延伸且竖向横跨所述对导线。牺牲材料在所述至少一个垂直剖面中侧向介于所述竖向延伸导体材料与所述对导线中的每一者之间。在所述导体材料竖向横跨所述对导线时从所述竖向延伸导体材料与所述对导线中的每一者之间移除所述牺牲材料以在所述至少一个垂直剖面中所述竖向延伸导体材料与所述对导线中的每一者之间侧向地形成空隙。

A Method of Forming Vertical Extended Conductors Lateral Between a Pair of Conductors

A method of forming a vertical extended conductor laterally between a pair of wires includes a pair of wires formed at least one vertical section spaced from each other. The conductor material is formed to extend laterally and vertically between the pairs of wires in at least one vertical section and to span the pair of wires vertically. The sacrificial material is laterally between the vertically extended conductor material and each of the paired conductors in at least one vertical section. When the conductor material vertically crosses the pair of wires, the sacrificial material is removed from the vertical extension conductor material and each of the pairs of wires to form a lateral gap between the vertical extension conductor material and each of the pairs of wires in at least one vertical section.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】在一对导线之间侧向地形成竖向延伸导体的方法
本文中揭示的实施例涉及在一对导线之间侧向地形成竖向延伸导体的方法。
技术介绍
集成电路制造的持续目标是制成更小且更紧密堆积的电路组件。随着集成电路密度增大,相较于垂直尺寸,电路组件的水平尺寸往往存在更大缩减。在许多例子中,垂直尺寸已增大。竖向延伸导体通常用于电耦合相对于彼此处于不同高度的电路组件。很多时候,导体在两条导线间竖向延伸且具有极大高宽比(高度对宽度)。在历史上,导体仅通过固体电介质材料与导线分离。最近,已提出气隙作为将竖向延伸导体的两侧与紧邻导线分离的电介质材料的部分。在形成并密封此类气隙时维持高导体直立可为困难的。附图说明图1A是根据本专利技术的实施例的过程中的半导体衬底的示意性俯视图。图1B是通过图1A中的线B-B截取的剖面图。图1C是通过图1A中的线C-C截取的剖面图。图1D是通过图1A中的线D-D截取的剖面图。图1E是通过图1A中的线E-E截取的剖面图。图2A是处于继通过图1A展示的步骤之后的处理步骤的图1A衬底的视图。图2B是通过图2A中的线2B-2B截取的剖面图。图2E是通过图2A中的线2E-2E截取的剖面图。图3A是处于继通过图2A展示的步骤之后的处理步骤的图2A衬底的视图。图3B是通过图3A中的线3B-3B截取的剖面图。图4A是处于继通过图3A展示的步骤之后的处理步骤的图3A衬底的视图。图4B是通过图4A中的线4B-4B截取的剖面图。图5A是处于继通过图4A展示的处理步骤之后的处理步骤的图4A衬底的视图。图5B是通过图5A中的线5B-5B截取的剖面图。图6A是处于继通过图5A展示的步骤之后的处理步骤的图5A衬底的视图。图6B是通过图6A中的线6B-6B截取的剖面图。图6C是通过图6A中的线6C-6C截取的剖面图。图7A是处于继通过图6A展示的步骤之后的处理步骤的图6A衬底的视图。图7B是通过图7A中的线7B-7B截取的剖面图。图7C是通过图7A中的线7C-7C截取的剖面图。图8A是处于继通过图7A展示的步骤之后的处理步骤的图7A衬底的视图。图8B是通过图8A中的线8B-8B截取的剖面图。图8C是通过图8A中的线8C-8C截取的剖面图。图8D是通过图8A中的线8D-8D截取的剖面图。图9A是处于继通过图8A展示的步骤之后的处理步骤的图8A衬底的视图。图9B是通过图9A中的线9B-9B截取的剖面图。图9C是通过图9A中的线9C-9C截取的剖面图。图9D是通过图9A中的线9D-9D截取的剖面图。图9E是通过图9A中的线9E-9E截取的剖面图。图10A是处于继通过图9A展示的步骤之后的处理步骤的图9A衬底的视图。图10B是通过图10A中的线10B-10B截取的剖面图。图10C是通过图10A中的线10C-10C截取的剖面图。图10.1是通过图10B中的线10.1-10.1截取的图10A衬底的部分的放大剖面图。图11A是处于继通过图10A展示的步骤之后的处理步骤的图10A衬底的视图。图11B是通过图11A中的线11B-11B截取的剖面图。图11D是通过图11A中的线11D-11D截取的剖面图。图12A是处于继通过图11A展示的步骤之后的处理步骤的图11A衬底的视图。图12B是通过图12A中的线12B-12B截取的剖面图。图13A是处于继通过图12A展示的步骤之后的处理步骤的图12A衬底的视图。图13B是通过图13A中的线13B-13B截取的剖面图。图14A是处于继通过图13A展示的步骤之后的处理步骤的图13A衬底的放大视图。图14B是通过图14A中的线14B-14B截取的标准尺度剖面图。图14E是通过图14A中的线14E-14E截取的标准尺度剖面图。图104.1A是根据本专利技术的实施例的过程中的半导体衬底的示意性俯视图。图104.1B是通过图104.1A中的线104.1B-104.1B截取的剖面图。图104.2A是处于继通过图104.1A展示的步骤之后的处理步骤的图104.1A衬底的视图。图104.2B是通过图104.2A中的线104.2B-104.2B截取的剖面图。图104.2C是通过图104.2A中的线104.2C-104.2C截取的剖面图。图104.3A是处于继通过图104.2A展示的步骤之后的处理步骤的图104.2A衬底的视图。图104.3C是通过图104.3A中的线104.3C-104.3C截取的剖面图。图104.3D是通过图104.3中的线104.3D-104.3D截取的剖面图。图104.4A是处于继通过图104.3A展示的步骤之后的处理步骤的图104.3A衬底的视图。图104.4B是通过图104.4A中的线104.4B-104.4B截取的剖面图。图104.4D是通过图104.4A中的线104.4D-104.4D截取的剖面图。图106A是处于继通过图104.4A展示的步骤之后的处理步骤的图104.4A衬底的视图。图106B是通过图106A中的线106B-106B截取的剖面图。图106C是通过图106A中的线106C-106C截取的剖面图。图106D是通过图106A中的线106D-106D截取的剖面图。图106.1A是处于继通过图106A展示的步骤之后的处理步骤的图106A衬底的视图。图106.1C是通过图106.1A中的线106.1C-106.1C截取的剖面图。图106.1D是通过图106.1A中的线106.1D-106.1D截取的剖面图。图107A是处于继通过图106.1A展示的步骤之后的处理步骤的图106.1A衬底的视图。图107B是通过图107A中的线107B-107B截取的剖面图。图107C是通过图107A中的线107C-107C截取的剖面图。图108A是处于继通过图107A展示的步骤之后的处理步骤的图107A衬底的视图。图108B是通过图108A中的线108B-108B截取的剖面图。图108C是通过图108A中的线108C-108C截取的剖面图。图108D是通过图108A中的线108D-108D截取的剖面图。图204.1A是根据本专利技术的实施例的过程中的半导体衬底的示意性俯视图。图204.1B是通过图204.1A中的线204.1B-204.1B截取的剖面图。图204.2A是处于继通过图204.1A展示的步骤之后的处理步骤的图204.1A衬底的视图。图204.2B是通过图204.2A中的线204.2B-204.2B截取的剖面图。图204.2C是通过图204.2A中的线204.2C-204.2C截取的剖面图。图204.3A是处于继通过图204.2A展示的步骤之后的处理步骤的图204.2A衬底的视图。图204.3C是通过图204.3A中的线204.3C-204.3C截取的剖面图。图204.3D是通过图204.3A中的线204.3D-204.3D截取的剖面图。图204.4A是处于继通过图204.3A展示的步骤之后的处理步骤的图204.3A衬底的视图。图204.4B是通过图204.4A中的线204.4B-204.4B截取的剖面图。图204.4D是通过图204.4A中的线204.4D-204.4D截取的剖面图。图204.4E是通过图204.4A中的线204.4E-204.4E截取的剖面图。图204.5A是处于继通过图204.本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种在一对导线之间侧向地形成竖向延伸导体的方法,其包括:形成在至少一个垂直剖面中彼此间隔的一对导线;形成在所述至少一个垂直剖面中在所述对导线之间侧向地竖向延伸且竖向横跨所述对导线的导体材料,牺牲材料在所述至少一个垂直剖面中侧向介于所述竖向延伸导体材料与所述对导线中的每一者之间;及在所述导体材料竖向横跨所述对导线时从所述竖向延伸导体材料与所述对导线中的每一者之间移除所述牺牲材料以在所述至少一个垂直剖面中所述竖向延伸导体材料与所述对导线中的每一者之间侧向地形成空隙。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.07.14 US 15/210,5111.一种在一对导线之间侧向地形成竖向延伸导体的方法,其包括:形成在至少一个垂直剖面中彼此间隔的一对导线;形成在所述至少一个垂直剖面中在所述对导线之间侧向地竖向延伸且竖向横跨所述对导线的导体材料,牺牲材料在所述至少一个垂直剖面中侧向介于所述竖向延伸导体材料与所述对导线中的每一者之间;及在所述导体材料竖向横跨所述对导线时从所述竖向延伸导体材料与所述对导线中的每一者之间移除所述牺牲材料以在所述至少一个垂直剖面中所述竖向延伸导体材料与所述对导线中的每一者之间侧向地形成空隙。2.根据权利要求1所述的方法,其中,所述对导线经形成以水平延伸;且所述导体材料经形成以包括水平延伸导体材料线,其竖向横跨所述对水平延伸导线且具有在所述对导线间侧向地竖向向内延伸的所述导体材料。3.根据权利要求2所述的方法,其中形成所述导体材料线包括所述导体材料的减成图案化。4.根据权利要求2所述的方法,其中形成所述导体材料线包括:形成沟槽;及用所述导体材料填充所述沟槽。5.根据权利要求4所述的方法,其中所述沟槽经形成在电介质材料内且用所述导体材料填充所述沟槽包括:用所述导体材料过填充所述沟槽且在所述电介质材料上方竖向形成所述导体材料;及移除所述导体材料使其不竖向在所述电介质材料上方。6.根据权利要求5所述的方法,其中形成所述沟槽包括:形成且减成图案化预留位置材料以具有对应于所述导体材料线的纵向范围及位置的纵向范围及位置;在所述图案化预留位置材料的顶部上及其侧壁上方形成所述电介质材料;竖向向内移除所述电介质材料以暴露所述图案化预留位置材料的竖向最外表面且使所述电介质材料侧向在所述图案化预留位置材料的所述侧壁上方;及在暴露所述图案化预留位置材料的所述竖向最外表面之后,移除所述图案化预留位置材料以形成所述沟槽。7.根据权利要求1所述的方法,其中,形成所述空隙使其敞开,且所述方法进一步包括在所述导体材料的所述移除之前密封所述空隙使其免于敞开,所述导体材料的所述移除重新敞开所述空隙,所述重新敞开使所述空隙竖向敞开;且在所述导体材料的所述移除之后重新密封所述重新敞开的空隙使其不竖向敞开。8.一种在一对导线之间侧向地形成竖向延伸导体的方法,其包括:形成在至少一个垂直剖面中彼此间隔的一对导线;在所述至少一个垂直剖面中所述对导线的侧壁上方形成牺牲材料;形成在所述至少一个垂直剖面中在侧向在所述牺牲材料上方的所述对导线之间侧向地竖向延伸且竖向横跨所述对导线的导体材料,所述竖向延伸导体材料在所述至少一个垂直剖面中延伸以电耦合到侧向介于所述对导线之间的节点位置;减成图案化所述导体材料以形成具有竖向延伸到侧向介于所述对导线之间的所述节点位置的导体材料的导体材料线,所述导体材料线竖向横跨所述对导线;在所述导体材料线竖向横跨所述对导线时从竖向延伸到所述节点位置的所述导体材料与所述对导线中的每一者之间移除所述牺牲材料以在所述至少一个垂直剖面中在竖向延伸到所述节点位置的所述导体材料与所述对导线中的每一者之间侧向地形成空隙;及在形成所述空隙之后,移除所述导体材料使其不从竖向横跨所述对导线,同时留下竖向延伸到所述节点位置的至少一些所述导体材料。9.根据权利要求8所述的方法,其包括在形成所述空隙之后,在所述移除所述导体材料使其不竖向横跨所述对导线之前在所述竖向延伸导体材料的相对侧壁上方侧向地形成电介质材料。10.根据权利要求9所述的方法,其中所述减成图案化所述导体材料形成另一导体材料线,其与所述导体材料线横向间隔且具有竖向向内延伸到侧向介于所述对导线之间的另一节点位置的导体材料,所述另一导体材料线竖向横跨所述对导线,所述电介质材料填充所述导体材料线与所述另一线之间的空间。11.一种在一对导线之间形成竖向延伸导体的方法,其包括:形成在至少一个垂直剖面中彼此间隔的一对导线;形成在所述至少一个垂直剖面中横跨所述对导线的第一牺牲材料线,所述第一牺牲材料线包括在所述对导线之间侧向地竖向延伸的第一牺牲材料;在所述第一牺牲材料线的相对侧上形成电介质材料;在所述至少一个垂直剖面中所述对导线的侧壁上方形成第二牺牲材料;用导体材料取代所述第一牺牲材料线以形成竖向横跨所述对导线的导体材料线,所述导体材料线具有在所述至少一个垂直剖面中竖向延伸到侧向介于所述对导线之间的节点位置的导体材料;在所述导体材料线竖向横跨所述对导线时从竖向延伸到所述节点位置的所述导体材料与所述对导线中的每一者之间移除所述第二牺牲材料以在所述至少一个垂直剖面中在竖向延伸到所述节点位置的所述导体材料与所述对导线中的每一者之间侧向地形成空隙;及在形成所述空隙之后,移除所述导体材料使其不竖向横跨所述对导线,同时留下竖向延伸到所述节点位置的至少一些所述导体材料。12.根据权利要求11所述的方法,其包括在形成所述第一牺牲材料线之前在所述对导线的所述侧壁上方形成所述第二牺牲材料。13.根据权利要求11所述的方法,其包括在形成所述第一牺牲材料线之后在所述对导线的所述侧壁上方形成所述第二牺牲材料。14.根据权利要求11所述的方法,其包括在所述取代之后,在所述导体材料的所述移除之前相对于所述导体材料线选择性地竖向向内蚀刻所述电介质材料。15.根据权利要求14所述的方法,其中所述蚀刻...

【专利技术属性】
技术研发人员:杨广军R·A·本森B·吉尔根A·J·斯赫林斯凯山·D·唐李時雨
申请(专利权)人:美光科技公司
类型:发明
国别省市:美国,US

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