【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】存储器单元的印痕避免交叉参考本专利申请案主张2016年6月21日申请的Calderoni等人的标题为“存储器单元的印痕避免(MemoryCellImprintAvoidance)”的第15/188,886号美国专利申请案的优先权,所述案经让渡给其受让人。
技术介绍
下文大体上涉及存储器装置且更具体来说涉及维持存储逻辑值达延长时段的铁电存储器单元的性能。存储器装置广泛用于将信息存储于各种电子装置中,例如计算机、无线通信装置、相机、数字显示器及类似物。通过对存储器装置的不同状态进行编程而存储信息。例如,二进制装置具有两个状态,其通常由逻辑“1”或逻辑“0”表示。在其它系统中,可存储两个以上状态。为存取所存储的信息,电子装置可读取或感测存储器装置中的经存储状态。为存储信息,电子装置可将状态写入或编程于存储器装置中。存在各种类型的存储器装置,包含随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、动态RAM(DRAM)、同步动态RAM(SDRAM)、铁电RAM(FeRAM)、磁性RAM(MRAM)、电阻式RAM(RRAM)、快闪存储器等等。存储器装置可为易失性或非易失性。非易失性存储器(例如,快闪存储器)可甚至在缺乏外部电源的情况下存储数据达延长时段。易失性存储器装置(例如,DRAM)可随时间丢失其存储状态,除非其由外部电源周期性刷新。二进制存储器装置可(例如)包含充电电容器或放电电容器。然而,充电电容器可经由泄漏电流随时间变成放电,从而导致存储信息的丢失。易失性存储器的特定特征可提供性能优势,例如更快的读取速度或写入速度,而非易失性存储器的特征(例如在无周期性刷新的情况下 ...
【技术保护点】
1.一种操作存储器阵列的方法,其包括:将第一逻辑状态写入到铁电存储器单元;确定所述铁电存储器单元已存储所述第一逻辑状态达第一时段;及至少部分基于所述确定所述铁电存储器单元已存储所述第一逻辑状态达所述第一时段而将第二逻辑状态写入到所述铁电存储器单元,其中所述第二逻辑状态不同于所述第一逻辑状态。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.06.21 US 15/188,8861.一种操作存储器阵列的方法,其包括:将第一逻辑状态写入到铁电存储器单元;确定所述铁电存储器单元已存储所述第一逻辑状态达第一时段;及至少部分基于所述确定所述铁电存储器单元已存储所述第一逻辑状态达所述第一时段而将第二逻辑状态写入到所述铁电存储器单元,其中所述第二逻辑状态不同于所述第一逻辑状态。2.根据权利要求1所述的方法,其进一步包括:将指示符存储于锁存器中,其中所述指示符的值指示所述铁电存储器单元的预期逻辑状态是所述第一逻辑状态还是所述第二逻辑状态。3.根据权利要求2所述的方法,其进一步包括:使用与所述铁电存储器单元电子连通的感测组件来感测所述铁电存储器单元的所述第二逻辑状态;及至少部分基于感测所述第二逻辑状态及所述指示符的所述值而确定所述铁电存储器单元的所述预期逻辑状态为所述第一逻辑状态。4.根据权利要求2所述的方法,其进一步包括:识别来自所述存储器阵列的读取操作的码字,其中所述码字的值至少部分基于所述指示符的所述值;及至少部分基于所述码字确定所述铁电存储器单元的所述预期逻辑状态为所述第一逻辑状态。5.根据权利要求2所述的方法,其进一步包括:接收所述第一逻辑状态以存储于所述铁电存储器单元中;及至少部分基于所述指示符的所述值而将所述第二逻辑状态写入到所述铁电存储器单元。6.根据权利要求2所述的方法,其进一步包括:至少部分基于将所述第二逻辑状态写入到所述铁电存储器单元而更新所述指示符的所述值,其中所述指示符的所述经更新值指示所述铁电存储器单元的所述预期逻辑状态为所述第一逻辑状态。7.根据权利要求6所述的方法,其进一步包括:确定所述铁电存储器单元已存储所述第二逻辑状态达第二时段;及至少部分基于确定所述铁电存储器单元已存储所述第二逻辑状态达所述第二时段而将所述第一逻辑状态写回到所述铁电存储器单元。8.根据权利要求7所述的方法,其进一步包括:至少部分基于将所述第一逻辑状态写入到所述铁电存储器单元而更新所述指示符的所述值,其中所述指示符的所述经更新值指示所述铁电存储器单元的所述预期逻辑状态为所述第一逻辑状态。9.根据权利要求7所述的方法,其中所述第一时段包括循环的第一间隔且所述第二时段包括所述循环的第二间隔,其中所述循环的周期包含写入所述第一逻辑状态与写回所述第一逻辑状态之间的时间。10.根据权利要求2所述的方法,其中所述锁存器包括多个锁存器的一个锁存器,且其中所述铁电存储器单元的所述预期逻辑状态至少部分基于通过所述多个锁存器的多数锁存器存储的所述值。11.根据权利要求1所述的方法,其进一步包括:识别所述铁电存储器单元在未经存取的情况下已存储所述第一逻辑状态达所述第一时段,其中写入所述第二逻辑状态至少部分基于所述识别。12.根据权利要求1所述的方法,其进一步包括:识别包含所述铁电存储器单元的所述存储器阵列的子区段;及至少部分基于确定所述子区段的一或多个铁电存储器单元已存储所述第一逻辑状态达所述第一时段而将不同逻辑状态写入到所述子区段的每一铁电存储器单元。13.根据权利要求1所述的方法,其中确定已经过所述第一时段包括以下中的至少一者:确定错误的数目已超过阈值数目;确定所述存储器阵列已在低功率模式中操作;确定所述存储器阵列已在断电模式中操作;或确定已接收来自用户的命令。14.根据权利要求1所述的方法,其进一步包括:激活包含所述铁电存储器单元的所述存储器阵列的子区段,其中写入所述铁电存储器单元包括至少部分基于激活所述子区段而将不同逻辑状态写入到所述子区段的每一铁电存储器单元。15.根据权利要求1所述的方法,其中所述第二逻辑状态与所述第一逻辑状态相反。16.根据权利要求1所述的方法,其中所述第一时段至少部分基于所述铁电存储器单元的温度、所述铁电存储器单元的寿命、所述铁电存储器单元的存取操...
【专利技术属性】
技术研发人员:A·卡德罗尼,D·V·N·拉马斯瓦米,K·普拉尔,F·贝代斯基,
申请(专利权)人:美光科技公司,
类型:发明
国别省市:美国,US
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