The invention provides a RF power amplifier system, which includes: a power amplifier circuit configured to generate RF output signal by amplifying a constant envelope RF input signal; an amplifier circuit used to generate analog control voltage according to an amplitude modulation control signal; a transmission transistor that couples the power supply voltage to the working voltage input of a power amplifier circuit and is configured to respond to analog control. Voltage-controlled variable resistance device; digital circuit configured to determine the binary value of a digital control signal based on the amplitude modulation required for the RF output signal.
【技术实现步骤摘要】
射频功率放大系统
技术介绍
除了幅度信息之外还包括频率或相位信息的RF信号可以被分成第一和第二信号分量。第一信号处于期望的发送频率并且具有恒定的幅度包络,但包括要被放大的原始RF信号的相位或频率调制信息。第二信号是幅度调制(AM)信号,并且表示要被放大的原始RF信号中的AM信息。以有效饱和模式操作的功率放大器放大第一信号,而第二信号调制通过有损调制器提供给功率放大器的电源电压。以这种方式,来自功率放大器的RF输出信号包括要被放大的原始RF信号的相位或频率和幅度信息。有损调制器响应于幅度调制信号而作为可变电阻操作。有损调制器可以以数字和模拟形式实现。在操作中,有损调制器可以有利地提供基本上从零到无穷大的电阻的可变电阻。由于能够以低至零电阻工作,有损调制器允许功率放大器在基本上等于电源电压的电压下工作。有损调制器的最小导通电阻非常低,可确保RF输出信号的最大动态范围不会降低。
技术实现思路
鉴于上述问题作出了本专利技术。为解决上述问题,本专利技术提供一种射频功率放大系统,包括:功率放大电路,用于通过放大恒定包络RF输入信号产生射频输出信号;放大电路,用于根据幅度调制控制信号产生模拟控制电压;传输晶体管,将电源电压耦合到功率放大器电路的工作电压输入端,并配置为响应模拟控制电压的可变电阻器件;数字电路,被配置为根据RF输出信号所需的幅度调制确定数字控制信号的二进制值。在一个实施例中,传输晶体管包括场效应晶体管(FET)。在一个实施例中,RF功率放大系统还包括用于将功率放大器电路的操作电压输入耦合到电源电压的电阻性负载,该调制器被配置为基于幅度调制控制来改变电阻性负载的电阻。 ...
【技术保护点】
1.一种RF功率放大系统,其特征在于,包括:功率放大器电路,用于通过放大恒定包络RF输入信号产生RF输出信号;放大电路,用于根据幅度调制控制信号产生模拟控制电压;传输晶体管,将电源电压耦合到功率放大器电路的工作电压输入,并且配置为响应于模拟控制电压的可变电阻器件;数字电路,被配置为根据RF输出信号所需的幅度调制来确定数字控制信号的二进制值。
【技术特征摘要】
1.一种RF功率放大系统,其特征在于,包括:功率放大器电路,用于通过放大恒定包络RF输入信号产生RF输出信号;放大电路,用于根据幅度调制控制信号产生模拟控制电压;传输晶体管,将电源电压耦合到功率放大器电路的工作电压输入,并且配置为响应于模拟控制电压的可变电阻器件;数字电路,被配置为根据RF输出信号所需的幅度调制来确定数字控制信号的二进制值。2.根据权利要求1所述的RF功率放大系统,其特征在于,其中所述传输晶体管包括场效应晶体管(FET)。3.根据权利要求2所述的RF功率放大系统,其特征在于,还包括用于将所述功率放大器电路的工作电压输入耦合到电源电压的电阻性负载,所述调制器被配置为基于幅度调制控制来改变所述电阻性负载的电阻;信号调制器包括配置为电阻性负载的可变电阻器件。4.根据权利要求3所述的RF功率放大系统,其特征在于,其中所述电阻性负载包括传输晶体管,并且其中所述调制器还包括控制电路,所述控制电路被配置为基于所述幅度调制控制信号控制所述传输晶体管。5.根据权利要求4所述的RF功率放大系统,其特征在于,其中,所述FET是P沟道FET,包括:栅极端子耦合到控制电...
【专利技术属性】
技术研发人员:杜江,宋婷,
申请(专利权)人:成都凯力科技有限公司,成都方芯科技有限公司,
类型:发明
国别省市:四川,51
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