The invention provides a preparation method of a quantum dot solid-state film, which is a N-type quantum dot solid-state film. The preparation method comprises the following steps: providing a P-type quantum dot solid-state film; immersing the P-type quantum dot solid-state film in a halogenated quaternary ammonium salt solution, exchanging ligands on the surface of the quantum dot, drying and cleaning, and obtaining the N-type quantum dot solid-state film.
【技术实现步骤摘要】
量子点固态膜及其制备方法、QLED器件
本专利技术属于量子点膜制备
,尤其涉及一种量子点固态膜及其制备方法、QLED器件。
技术介绍
胶体量子点由于具有低成本、处理方式简单、带隙随尺寸改变等特点,在光伏、二极管、探测等领域具有很好的应用前景。胶体量子点在光伏、二极管、探测等领域应用时,会涉及到量子点膜的制备,而量子点固态膜的制备方式以及表面处理对相应器件性能的影响很大。一般量子点纳米晶的钝化方法是,采用长链的碳氢化合物配体经溶液法制备成固态膜后,再利用较短的配体来替换掉较长的配体,使纳米颗粒相互紧靠或实现交联,从而实现更好的电荷传输或复合。由于改变量子点表面配体的同时也会改变表面电化学性质,因此,对量子点进行配体交换或钝化处理时需要考虑配体和量子点纳米颗粒所处的环境、配体末端的功能团、配体分子自身的电学性质等因素。依靠量子点膜制备的电学器件尤其是光伏器件,都是基于P型传导的量子点固态膜,结合P型传导的量子点固态膜需要有一种N型的透明传输材料才能有效形成回路整流和有效器件。然而目前,由于没有成熟的N型量子点固态膜的制备方法,基于N型量子点固态膜制备的电学器件在市场上仍然存在空白。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种量子点固态膜及其制备方法,旨在解决由于没有成熟工艺制备基于N型的量子点固态膜,导致基于N型量子点固态膜的电学器件存在空白的问题。本专利技术的另一目的在于提供一种QLED器件。本专利技术是这样实现的,一种量子点固态膜的制备方法,所述量子点固态膜为N型量子点固态膜,其制备方法包括以下步骤:提供一种P型量子点固态膜;将所述P型量子点固态膜浸泡在 ...
【技术保护点】
1.一种量子点固态膜的制备方法,其特征在于,所述量子点固态膜为N型量子点固态膜,包括以下步骤:提供一种P型量子点固态膜;将所述P型量子点固态膜浸泡在卤化季铵盐溶液中进行量子点表面配体交换后,得到所述N型量子点固态膜。
【技术特征摘要】
1.一种量子点固态膜的制备方法,其特征在于,所述量子点固态膜为N型量子点固态膜,包括以下步骤:提供一种P型量子点固态膜;将所述P型量子点固态膜浸泡在卤化季铵盐溶液中进行量子点表面配体交换后,得到所述N型量子点固态膜。2.一种量子点固态膜的制备方法,其特征在于,所述量子点固态膜为N/P/N结构量子点固态膜,包括以下步骤:在基板上沉积第一P型量子点固态膜;将所述第一P型量子点固态膜浸泡在卤化季铵盐溶液中进行量子点表面配体交换后,得到N型量子点固态膜;在所述N型量子点固态膜上表面沉积第二P型量子点固态膜;将第二P型量子点固态膜上表面浸泡在卤化季铵盐溶液中进行量子点表面配体交换后,制备得到具有N/P/N结构的所述量子点固态膜。3.如权利要求2所述量子点固态膜的制备方法,其特征在于,所述第一P型量子点固态膜的厚度为10-30nm,所述第二P型量子点固态膜的厚度为30-50nm。4.一种量子点固态膜的制备方法,其特征在于,所述量子点固态膜为N/P/N结构量子点固态膜,包括以下步骤:在基板上沉积第一P型量子点固态膜;将所述第一P型量子点固态膜浸泡在卤化季铵盐溶液中进行量子点表面配体交换后,得到N型量子点固态膜;在所述N型量子点固态膜上表面沉积第二P型量子点固态膜;在所述第二P型量子点固态膜上表面沉积第三P型量子点固态膜;将第三P型量子点固态膜上表面浸泡在卤化季铵盐溶液中,进行量子点表面配体交换后,得到所述N/P/N结构量子点固态膜。5.如权利要求4所述量子点固态膜的制备方法,其特征在于,所述第一P型量子点固态膜的厚度为10~30nm,所述第二P型量子点固态膜的厚度为10~30nm,所述第三P型量子点固态膜的厚度为20~30nm。6.一种量子点固态膜的制备方法,其特征在于,所述量子点固态膜为P/N/P结构量子点固态膜,包括以下步骤...
【专利技术属性】
技术研发人员:程陆玲,杨一行,
申请(专利权)人:TCL集团股份有限公司,
类型:发明
国别省市:广东,44
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