阵列基板及其制造方法、显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种阵列基板及其制造方法、显示装置，属于显示技术领域。该阵列基板包括：衬底基板；在衬底基板上设置的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管；其中，第一薄膜晶体管包括：第一有源层、第一栅极、第一源极和第一漏极，第二薄膜晶体管包括：第二有源层、第二栅极、第二源极和第二漏极。第二源极和第二漏极中的一个作为第一电极，第一电极与第一栅极同层设置，且材料均相同；第二源极和第二漏极中的另一个作为第二电极，第二电极与第一源极以及第一漏极同层设置，且材料均相同。该阵列基板中仅需要设置三层导电结构，相对于相关技术中的阵列基板需要至少四层导电结构，该阵列基板的制造工艺较为简单。

Array Substrate and Its Manufacturing Method and Display Device

The invention discloses an array substrate, a manufacturing method thereof and a display device, belonging to the display technology field. The array substrate comprises a substrate substrate, a first thin film transistor and a second thin film transistor arranged on the substrate, wherein the first thin film transistor comprises a first active layer, a first gate, a first source and a first drain, and the second thin film transistor comprises a second active layer, a second gate, a second source and a second drain. One of the second source pole and the second drain pole acts as the first electrode, the first electrode is arranged in the same layer with the first gate, and the material is the same; the other of the second source pole and the second drain pole acts as the second electrode, and the second electrode is arranged in the same layer with the first source pole and the first drain pole, and the material is the same. Only three layers of conductive structure are needed in the array substrate, and at least four layers of conductive structure are needed in the array substrate compared with the related technology. The manufacturing process of the array substrate is relatively simple.

【技术实现步骤摘要】
阵列基板及其制造方法、显示装置
本专利技术涉及显示
，特别涉及一种阵列基板及其制造方法、显示装置。
技术介绍
目前，有源矩阵有机发光二极管(英文：Active-matrixorganiclightemittingdiode；简称：AMOLED)显示器是市面上新型的显示器，该AMOLED显示器中的像素驱动电路通常包括两个薄膜晶体管(英文：ThinFilmTransistor；简称：TFT)和一个存储电容。通常，该两个TFT中的一个TFT为低温多晶硅薄膜晶体管(英文：LowTemperaturePoly-SiliconThinFilmTransistor；简称：LTPSTFT)，另一个TFT为氧化物TFT。由于LTPSTFT具有高迁移率的优点，氧化物TFT具有漏电流较低的优点，因此在整合了LTPSTFT和氧化物TFT的AMOLED显示器的功耗会大大降低。但是，在整合了LTPSTFT和氧化物TFT的AMOLED显示器中，阵列基板的制造工艺较为复杂。
技术实现思路
本申请提供了一种阵列基板及其制造方法、显示装置，可以解决现有的阵列基板的制造工艺较为复杂的问题。所述技术方案如下：第一方面，提供了一种阵列基板，包括：衬底基板；在所述衬底基板上设置的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管；其中，所述第一薄膜晶体管包括：第一有源层、第一栅极、第一源极和第一漏极，所述第二薄膜晶体管包括：第二有源层、第二栅极、第二源极和第二漏极，所述第二源极和所述第二漏极中的一个作为第一电极，所述第一电极与所述第一栅极同层设置，且材料均相同；所述第二源极和所述第二漏极中的另一个作为第二电极，所述第二电极与所述第一源极以及所述第一漏极同层设置，且材料均相同。可选的，所述第二源极与所述第二漏极之间设置有绝缘层，所述绝缘层中设置有第一过孔，所述第二源极与所述第二漏极中靠近所述第一过孔的侧面均与所述第一过孔连接，所述第二有源层位于所述第一过孔中靠近所述第二源极以及所述第二漏极的一侧。可选的，所述第二有源层与所述第二栅极之间设置有第二栅极绝缘层；其中，在所述第一过孔中，沿远离所述衬底基板的方向依次设置有所述第二有源层、所述第二栅极绝缘层和所述第二栅极。可选的，所述阵列基板还包括：在所述衬底基板上设置的第一辅助电极和第二辅助电极；其中，所述第一辅助电极、所述第一源极和所述第一漏极同层设置，且材料均相同；所述第二辅助电极与所述第二栅极同层设置，且材料均相同；所述第一辅助电极与所述第二辅助电极之间设置有所述第二栅极绝缘层，所述第一辅助电极、所述第二栅极绝缘层和所述第二辅助电极构成存储电容。可选的，所述阵列基板还包括：在所述衬底基板上设置的导电电极，所述第一源极和所述第一漏极中的一个与所述导电电极电连接；其中，所述导电电极和所述第二栅极同层设置，且材料均相同。可选的，所述阵列基板包括：在所述衬底基板上沿远离所述衬底基板的方向依次叠加设置的所述第一有源层、第一栅极绝缘层、第一导电图形、层间介电层、第二导电图形、所述第二有源层、第二栅极绝缘层、第一平坦层和第三导电图形；其中，其中，所述第一导电图形包括：所述第一栅极和所述第一电极，所述第二导电图形包括：所述第一源极、所述第一漏极和所述第二电极，所述第三导电图形包括：所述第二栅极。可选的，所述第一有源层的材料包括多晶硅，所述第二有源层的材料包括氧化物半导体。可选的，所述绝缘层的厚度大于或等于3000埃。第二方面，提供了一种阵列基板的制造方法，所述方法包括：在衬底基板上形成第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管；其中，所述第一薄膜晶体管包括：第一有源层、第一栅极、第一源极和第一漏极，所述第二薄膜晶体管包括：第二有源层、第二栅极、第二源极和第二漏极，所述第二源极和所述第二漏极中的一个作为第一电极，所述第一电极与所述第一栅极是利用同一掩模通过一次构图工艺形成，所述第二源极和所述第二漏极中的另一个作为第二电极，所述第二电极与所述第一源极以及所述第一漏极是利用同一掩模通过一次构图工艺形成。可选的，所述在衬底基板上形成第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，包括：在所述衬底基板上形成第一导电图形、绝缘层和第二导电图形；在形成有所述第二导电图形的衬底基板上形成所述第二有源层；其中，所述第一导电图形包括：所述第一栅极和所述第一电极，所述第二导电图形包括：所述第一源极、所述第一漏极和所述第二电极，所述绝缘层中设置有第一过孔，所述第二源极与所述第二漏极中靠近所述第一过孔的侧面均与所述第一过孔连接，所述第二有源层位于所述第一过孔中靠近所述第二源极以及所述第二漏极的一侧。可选的，所述在形成有所述第二导电图形的衬底基板上形成所述第二有源层之后，所述方法还包括：在形成有所述第二有源层的衬底基板上依次形成第二栅极绝缘层和第三导电图形；其中，所述第三导电图形包括所述第二栅极，在所述第一过孔中，沿远离所述衬底基板的方向依次设置有所述第二有源层、所述第二栅极绝缘层和所述第二栅极。可选的，所述第二导电图形还包括：第一辅助电极，所述第三导电图形还包括：第二辅助电极，所述第一辅助电极、所述第二栅极绝缘层和所述第二辅助电极构成存储电容。可选的，所述第三导电图形还包括：导电电极，所述第一源极和所述第一漏极中的一个与所述导电电极电连接。可选的，所述在衬底基板上形成第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，包括：在所述衬底基板上依次形成缓冲层、所述第一有源层、第一栅极绝缘层、第一导电图形、层间介电层、第二导电图形、所述第二有源层、第二栅极绝缘层、第一平坦层和第三导电图形；其中，所述第一导电图形包括：所述第一栅极和所述第一电极，所述第二导电图形包括：所述第一源极、所述第一漏极和所述第二电极，所述第三导电图形包括：所述第二栅极。第三方面，提供了一种显示装置，包括：第二方面任一所述的阵列基板。本专利技术实施例提供的技术方案带来的有益效果是：该阵列基板包括：衬底基板，以及在该衬底基板上设置的第一TFT和第二TFT，该第一TFT包括：第一有源层、第一栅极、第一源极和第一漏极，第二TFT包括：第二有源层、第二栅极、第二源极和第二漏极。由于该第二源极和第二漏极中的一个作为第一电极，该第一电极与第一栅极同层设置，第二源极和第二漏极中的另一个作为第二电极，该第二电极与第一源极以及第一漏极同层设置，因此该阵列基板中仅需要设置三层导电结构，相对于相关技术中的阵列基板需要至少四层导电结构，该阵列基板的制造工艺较为简单，并且制造该阵列基板时采用的导电材料较少，有效的降低了该阵列基板的制造成本。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1是本专利技术实施例提供的一种阵列基板的结构示意图；图2是本专利技术实施例提供的另一种阵列基板的结构示意图；图3是本专利技术实施例提供的一种第二TFT、顶栅型的TFT与底栅型的TFT的尺寸对比图；图4是本专利技术实施例提供的又一种阵列基板的结构示意图；图5是本专利技术实施例提供的一种阵列基板的制造方法的流程图；图6是本专利技术实施例提供的一种在衬底基板上依次形成缓冲层、第一有源层、第一栅极绝缘层和第一导电本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：衬底基板；在所述衬底基板上设置的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管；其中，所述第一薄膜晶体管包括：第一有源层、第一栅极、第一源极和第一漏极，所述第二薄膜晶体管包括：第二有源层、第二栅极、第二源极和第二漏极，所述第二源极和所述第二漏极中的一个作为第一电极，所述第一电极与所述第一栅极同层设置，且材料均相同；所述第二源极和所述第二漏极中的另一个作为第二电极，所述第二电极与所述第一源极以及所述第一漏极同层设置，且材料均相同。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：衬底基板；在所述衬底基板上设置的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管；其中，所述第一薄膜晶体管包括：第一有源层、第一栅极、第一源极和第一漏极，所述第二薄膜晶体管包括：第二有源层、第二栅极、第二源极和第二漏极，所述第二源极和所述第二漏极中的一个作为第一电极，所述第一电极与所述第一栅极同层设置，且材料均相同；所述第二源极和所述第二漏极中的另一个作为第二电极，所述第二电极与所述第一源极以及所述第一漏极同层设置，且材料均相同。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第二源极与所述第二漏极之间设置有绝缘层，所述绝缘层中设置有第一过孔，所述第二源极与所述第二漏极中靠近所述第一过孔的侧面均与所述第一过孔连接，所述第二有源层位于所述第一过孔中靠近所述第二源极以及所述第二漏极的一侧。3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第二有源层与所述第二栅极之间设置有第二栅极绝缘层；其中，在所述第一过孔中，沿远离所述衬底基板的方向依次设置有所述第二有源层、所述第二栅极绝缘层和所述第二栅极。4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括：在所述衬底基板上设置的第一辅助电极和第二辅助电极；其中，所述第一辅助电极、所述第一源极和所述第一漏极同层设置，且材料均相同；所述第二辅助电极与所述第二栅极同层设置，且材料均相同；所述第一辅助电极与所述第二辅助电极之间设置有所述第二栅极绝缘层，所述第一辅助电极、所述第二栅极绝缘层和所述第二辅助电极构成存储电容。5.根据权利要求3或4所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括：在所述衬底基板上设置的导电电极，所述第一源极和所述第一漏极中的一个与所述导电电极电连接；其中，所述导电电极和所述第二栅极同层设置，且材料均相同。6.根据权利要求1至4任一所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括：在所述衬底基板上沿远离所述衬底基板的方向依次叠加设置的所述第一有源层、第一栅极绝缘层、第一导电图形、层间介电层、第二导电图形、所述第二有源层、第二栅极绝缘层、第一平坦层和第三导电图形；其中，所述第一导电图形包括：所述第一栅极和所述第一电极，所述第二导电图形包括：所述第一源极、所述第一漏极和所述第二电极，所述第三导电图形包括：所述第二栅极。7.根据权利要求1至4任一所述的阵列基板，其特征在于，所述第一有源层的材料包括多晶硅，所述第二有源层的材料包括氧化物半导体。8.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述绝缘层的厚度大于或等于3000埃。9.一种阵列...

【专利技术属性】
技术研发人员：王珂，卢鑫泓，胡合合，杨维，宁策，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11