断线修复方法、基板和显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种断线修复方法、基板和显示装置，属于显示器领域。所述方法包括：在导电线的断线区域形成导电聚合物前驱体薄膜，断线区域包括至少一对导电点，每对导电点包括彼此断开的两个导电点，导电聚合物前驱体薄膜与至少一对导电点接触；对导电聚合物前驱体薄膜进行光照处理，使每对导电点之间的导电聚合物前驱体薄膜发生光致聚合，形成导电聚合物。通过光照使得该导电聚合物前驱体薄膜发生光致聚合，形成导电聚合物，从而在每对导电点之间产生导电聚合物线路，将每对导电点接通，实现电路修复，无需采用激光化学气相沉积，修复成本低、修复时间短，不会影响断线区域周边像素单元的性能。

Repair methods, substrates and display devices for broken wires

The invention discloses a method for repairing broken wires, a substrate and a display device, which belong to the field of display. The method includes: forming conductive polymer precursor film in the broken area of conductive wire, including at least one pair of conductive points, each pair of conductive points including two conductive points disconnected from each other, contacting conductive polymer precursor film with at least one pair of conductive points, illuminating conductive polymer precursor film to make conductive polymer precursor film between each pair of conductive points. Photopolymerization occurs in bulk films to form conductive polymers. By illumination, the conductive polymer precursor film is photopolymerized to form conductive polymer, which generates conductive polymer lines between each pair of conductive points. Each pair of conductive points is connected to achieve circuit repair without laser chemical vapor deposition. The repair cost is low and the repair time is short, and the performance of the pixel units around the broken area will not be affected.

【技术实现步骤摘要】
断线修复方法、基板和显示装置
本专利技术涉及显示器领域，特别涉及一种断线修复方法、基板和显示装置。
技术介绍
薄膜晶体管液晶显示器(ThinFilmTransistor-LiquidCrystalDisplay，TFT-LCD)是利用加载在上下两个基板之间的液晶分子层上电场强度的变化，改变液晶分子的取向，从而控制透光的强弱来显示图像的显示器件。液晶显示面板一般包括阵列基板、彩膜(ColorFilter，CF)基板以及填充在这两个基板组成的液晶盒中的液晶分子层。阵列基板上阵列布置有大量的像素单元，每个像素单元均包括一个TFT；通常，每行像素单元的TFT与一条横向布置的栅线连接，栅线用于控制TFT的通断，每列像素单元的TFT与一条纵向布置的数据线连接，数据线用于在TFT导通时，将数据信号写入像素单元。在阵列基板制作过程中，由于工艺或设备的问题可能会导致栅线或数据线等出现断线，当出现断线时往往会导致阵列基板的功能在一定区域内的发生不良，严重影响阵列基板的整体性能。现有的阵列基板修复技术主要有激光化学气相沉积、激光熔接等。在采用激光化学气相沉积进行断线修复时，通常是采用钨粉通过激光化学气相沉积设备将断线架桥进行连接，而采用激光熔接进行断线修复时，需要通过激光熔接机将断线和修复线熔接到一起，由于上述修复过程需要使用激光化学气相沉积设备或激光熔接机，导致修复成本高、修复时间长，并且采用激光化学气相沉积、激光熔接等工艺，沉积和熔接的过程会影响断线区域周边像素单元的性能。
技术实现思路
为了解决现有技术存在着修复成本高、修复时间长，并且影响断线区域周边像素单元的性能的问题，本专利技术实施例提供了一种断线修复方法、基板和显示装置。所述技术方案如下：第一方面，本专利技术实施例提供了一种断线修复方法，所述方法包括：在导电线的断线区域形成导电聚合物前驱体薄膜，所述断线区域包括至少一对导电点，每对导电点包括彼此断开的两个导电点，所述导电聚合物前驱体薄膜与所述至少一对导电点接触；对所述导电聚合物前驱体薄膜进行光照处理，使所述每对导电点之间的导电聚合物前驱体薄膜发生光致聚合，形成导电聚合物。在本专利技术实施例的一种实现方式中，所述导电聚合物前驱体薄膜包括导电聚合物前驱体材料，所述导电聚合物前驱体材料包括混合在一起的苯丙噻吩单体、四氯化碳、四丁基溴化铵和溶剂。在本专利技术实施例的另一种实现方式中，所述导电聚合物前驱体薄膜包括导电聚合物前驱体材料，所述导电聚合物前驱体材料包括混合在一起的光引发剂和噻吩单体。在本专利技术实施例的另一种实现方式中，所述导电聚合物前驱体薄膜还包括与所述导电聚合物前驱体材料混合在一起的有机树脂。在本专利技术实施例的另一种实现方式中，所述导电聚合物前驱体材料与有机树脂的质量比例为1：2～2：1。在本专利技术实施例的另一种实现方式中，所述对所述导电聚合物前驱体薄膜进行光照处理，包括：将点光源照射在所述导电聚合物前驱体薄膜上的光斑沿所述每对导电点之间的连线移动，对所述导电聚合物前驱体薄膜进行照射。在本专利技术实施例的另一种实现方式中，所述点光源为紫外光源或激光光源。在本专利技术实施例的另一种实现方式中，所述方法还包括：将未被照射的导电聚合物前驱体薄膜去除。在本专利技术实施例的另一种实现方式中，所述将未被照射的导电聚合物前驱体薄膜去除，包括：采用有机物剥除液清洗光照处理后的导电聚合物前驱体薄膜，除掉未被照射的导电聚合物前驱体薄膜。在本专利技术实施例的另一种实现方式中，当断线上方覆盖有绝缘层时，所述在导电线的断线区域形成导电聚合物前驱体薄膜，包括：在所述绝缘层上开设至少一对过孔，所述至少一对过孔与所述至少一对导电点一一对应布置，每对过孔用于露出对应的一对导电点；在所述绝缘层上形成导电聚合物前驱体薄膜，所述导电聚合物前驱体薄膜通过所述至少一对过孔与所述至少一对导电点接触。在本专利技术实施例的另一种实现方式中，所述导电线为栅线、数据线、公共线、栅极或源漏极。第二方面，本专利技术实施例还提供了一种基板，所述基板包括：导电线，所述导电线包括至少一对导电点，每对导电点包括两个导电点，所述每对导电点均通过导电聚合物相连。在本专利技术实施例的一种实现方式中，所述导电聚合物由以下材料混合后经过光照得到：苯丙噻吩单体、四氯化碳、四丁基溴化铵和溶剂。在本专利技术实施例的另一种实现方式中，所述导电聚合物由以下材料混合后经过光照得到：光引发剂、环氧化物、烷基乙烯基醚和噻吩单体。在本专利技术实施例的另一种实现方式中，所述导电线为栅线、数据线、公共线、栅极或源漏极。第二方面，本专利技术实施例还提供了一种显示装置，所述显示装置包括如第二方面任一可能的实现方式所述的基板。本专利技术实施例提供的技术方案带来的有益效果是：在进行断线修复时，先形成导电聚合物前驱体薄膜，导电聚合物前驱体是形成导电聚合物前的物质，该薄膜与断线的至少一对导电点相连，然后通过光照使得该导电聚合物前驱体薄膜发生光致聚合，形成导电聚合物，从而在每对导电点之间产生导电聚合物线路，将每一对导电点接通，实现电路修复，该方法无需采用激光化学气相沉积，修复成本低、修复时间短，并且由于修复过程只需要进行光照，不需要进行激光化学气相沉积、激光熔接等工艺，不会影响断线区域周边像素单元的性能。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1是本专利技术实施例提供的一种断线修复方法的流程图；图2是本专利技术实施例提供的一种断线修复过程示意图；图3是本专利技术实施例提供的一种断线修复过程示意图；图4是本专利技术实施例提供的一种断线修复过程示意图；图5是本专利技术实施例提供的一种断线修复过程示意图；图6是本专利技术实施例提供的一种断线修复过程示意图；图7是本专利技术实施例提供的另一种断线修复过程示意图；图8是本专利技术实施例提供的另一种断线修复过程示意图；图9是本专利技术实施例提供的另一种断线修复过程示意图；图10是本专利技术实施例提供的另一种断线修复过程示意图；图11是本专利技术实施例提供的另一种断线修复过程示意图；图12是本专利技术实施例提供的另一种断线修复过程示意图；图13是本专利技术实施例提供的另一种断线修复过程示意图；图14是本专利技术实施例提供的另一种断线修复过程示意图；图15是本专利技术实施例提供的另一种断线修复过程示意图；图16是本专利技术实施例提供的另一种断线修复过程示意图。具体实施方式为使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本专利技术实施方式作进一步地详细描述。图1是本专利技术实施例提供的一种断线修复方法的流程图，参见图1，该方法包括：步骤101：在导电线的断线区域形成导电聚合物前驱体薄膜，断线区域包括至少一对导电点，每对导电点包括彼此断开的两个导电点，导电聚合物前驱体薄膜与至少一对导电点接触。在本专利技术实施例中，导电线可以是显示面板中的基板上的信号线或者电极，通常由金属或氧化铟锡(Indiumtinoxide，ITO)制成，例如阵列基板(包括顶栅型和底栅型)上的栅线、数据线、公共线，或者栅极、源漏极。上述导电线在出现断线时，均可以采用本专利技术实施例提供的断线修复方法进行修复。在步骤101中，断开是指没有电连接，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种断线修复方法，其特征在于，所述方法包括：在导电线的断线区域形成导电聚合物前驱体薄膜，所述断线区域包括至少一对导电点，每对导电点包括彼此断开的两个导电点，所述导电聚合物前驱体薄膜与所述至少一对导电点接触；对所述导电聚合物前驱体薄膜进行光照处理，使所述每对导电点之间的导电聚合物前驱体薄膜发生光致聚合，形成导电聚合物。

【技术特征摘要】
1.一种断线修复方法，其特征在于，所述方法包括：在导电线的断线区域形成导电聚合物前驱体薄膜，所述断线区域包括至少一对导电点，每对导电点包括彼此断开的两个导电点，所述导电聚合物前驱体薄膜与所述至少一对导电点接触；对所述导电聚合物前驱体薄膜进行光照处理，使所述每对导电点之间的导电聚合物前驱体薄膜发生光致聚合，形成导电聚合物。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述导电聚合物前驱体薄膜包括导电聚合物前驱体材料，所述导电聚合物前驱体材料包括混合在一起的苯丙噻吩单体、四氯化碳、四丁基溴化铵和溶剂。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述导电聚合物前驱体薄膜包括导电聚合物前驱体材料，所述导电聚合物前驱体材料包括混合在一起的光引发剂和噻吩单体。4.根据权利要求2或3所述的方法，其特征在于，所述导电聚合物前驱体薄膜还包括与所述导电聚合物前驱体材料混合在一起的有机树脂。5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述导电聚合物前驱体材料与有机树脂的质量比例为1：2～2：1。6.根据权利要求1-3任一项所述的方法，其特征在于，所述对所述导电聚合物前驱体薄膜进行光照处理，包括：将点光源照射在所述导电聚合物前驱体薄膜上的光斑沿所述每对导电点之间的连线移动，对所述导电聚合物前驱体薄膜进行照射。7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述点光源为紫外光源或激光光源。8.根据权利要求1-3任一项所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：将未被照射的导电聚合物...

【专利技术属性】
技术研发人员：谢蒂旎，李伟，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11