【技术实现步骤摘要】
具备直流故障自清除能力的换流器功率模块和换流器
本技术涉及电力电子
,特别是涉及一种具备直流故障自清除能力的换流器功率模块和换流器。
技术介绍
随着电力电子技术的不断发展,高电压、大容量已成为电力电子技术的重要发展方向,高电压、大容量的电力电子换流器已经众多场合中有着重要应用。高电压、大容量的多电平电力电子换流器的有着多种拓扑结构,包括基于阀组串联的两电平结构、二极管箝位多电平结构、飞跨电容多电平结构、组合换流器结构、H桥级联多电平结构、模块化多电平结构(ModularMultilevelConverter,MMC)等等。其中,H桥级联多电平结构、MMC结构因具有模块化设计、便于扩容、交流输出侧出口电压谐波含量少无需交流滤波器等优点,在电网有较为成功应用。传统的MMC结构多采用半H桥或H桥作为功率单元模块。采用半H桥或H桥结构的MMC结构不具备直流自清除能力,在直流侧故障时需在闭锁所有模块后,跳交流断路器才能将故障清除,流程复杂,时间较长。
技术实现思路
基于此,有必要针对传统的模块化多电平换流器不具备直流故障自清除能力的问题,提供一种新的具备直流故障自清除能力的换流器功率模块和换流器。一种具备直流故障自清除能力的换流器功率模块,包括第一级单元、第二级单元和第三级单元;第一级单元包括反向串接的第一全控型模块和第一二极管;第二级单元包括第二全控型模块、第三全控型模块和第一电容;第二全控型模块和第三全控型模块正向串接后与第一电容并联;第三级单元包括第四全控型模块、第五全控型模块、第二二极管和第二电容;第四全控型模块和第五全控型模块正向串接后与第二电容并联,第五全 ...
【技术保护点】
1.一种具备直流故障自清除能力的换流器功率模块,其特征在于,包括第一级单元、第二级单元和第三级单元;所述第一级单元包括反向串接的第一全控型模块和第一二极管;所述第二级单元包括第二全控型模块、第三全控型模块和第一电容;所述第二全控型模块和所述第三全控型模块正向串接后与所述第一电容并联;所述第三级单元包括第四全控型模块、第五全控型模块、第二二极管和第二电容;所述第四全控型模块和所述第五全控型模块正向串接后与所述第二电容并联,所述第五全控型模块与所述第二二极管反向串接;所述第一全控型模块和第一二极管反向串接后与所述第二电容并联,所述第五全控型模块和所述第二二极管反向串接后与所述第一电容并联;所述第一全控型模块和所述第一二极管的连接点作为第一连接点,所述第二全控型模块和所述第三全控型模块的连接点作为第二连接点,所述第一连接点和所述第二连接点作为所述具备直流故障自清除能力的换流器功率模块的输出端子。
【技术特征摘要】
1.一种具备直流故障自清除能力的换流器功率模块,其特征在于,包括第一级单元、第二级单元和第三级单元;所述第一级单元包括反向串接的第一全控型模块和第一二极管;所述第二级单元包括第二全控型模块、第三全控型模块和第一电容;所述第二全控型模块和所述第三全控型模块正向串接后与所述第一电容并联;所述第三级单元包括第四全控型模块、第五全控型模块、第二二极管和第二电容;所述第四全控型模块和所述第五全控型模块正向串接后与所述第二电容并联,所述第五全控型模块与所述第二二极管反向串接;所述第一全控型模块和第一二极管反向串接后与所述第二电容并联,所述第五全控型模块和所述第二二极管反向串接后与所述第一电容并联;所述第一全控型模块和所述第一二极管的连接点作为第一连接点,所述第二全控型模块和所述第三全控型模块的连接点作为第二连接点,所述第一连接点和所述第二连接点作为所述具备直流故障自清除能力的换流器功率模块的输出端子。2.根据权利要求1所述的具备直流故障自清除能力的换流器功率模块,其特征在于,所述第三级单元为多个,前一个第三级单元中的第五全控型模块和第二二极管反向串接后,与后一个第三级单元中的第二电容并联;所述第一全控型模块和第一二极管反向串接后与首部的第三级单元中的第一电容并联,尾部的第三级单元中的第五全控型模块和所述第二二极管反向串接后与所述第一电容并联。3.根据权利要求2所述的具备直流故障自清除能力的换流器功率模块,其特征在于,所述第三级单元为两个。4.根据权利要求2所述的具备直流故障自清除能力的换流器功率模块,其特征在于,所述第三级单元为三个。5.根据权利要求1至4中任意一项所述的具备直流故障自清除能力的换流器功率模块,其特征在于,所述第一全控型模块、所述第二全控型模块、所述第三全控型模块、所述第四全控型模块、所述第五全控型模块均包括反向并联的全控型器件和第三二极管。6.根据权利要求1所述的具备直流故障自清除能力的换流器功率模块,其特征在于,所述第一全控型模块包括绝缘栅双极型晶体管T1和二极管D1,所述第二全控型模块包括绝缘栅双极型晶体管T2和二极管D2,所述第三全控型模块包括绝缘栅双极型晶体管T3和二极管D3,所述第四全控型模块包括绝缘栅双极型晶体管T4和二极管D4,所述第五全控型...
【专利技术属性】
技术研发人员:刘继权,王建武,伦振坚,彭冠炎,
申请(专利权)人:中国能源建设集团广东省电力设计研究院有限公司,
类型:新型
国别省市:广东,44
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