一种ESD保护电路及显示面板制造技术

本实用新型专利技术提供一种ESD保护电路及显示面板，可有效减少占用空间降低工艺难度，该ESD保护电路包括有第一信号线、第二信号线、公共电极线和ESD保护单元；ESD保护单元中有共用节点，包括第一薄膜晶体管，栅极连接至第一信号输入端，源极和漏极连接于第一信号输入端和共用节点间；第二薄膜晶体管，栅极连接至第二信号输入端，源极和漏极连接于第二信号输入端和共用节点间；第三薄膜晶体管，栅极连接至共用节点，源极和漏极连接于第一信号输入端和公共电极线间；第四薄膜晶体管，其栅极连接至共用节点，源极和漏极连接于第二信号输入端和公共电极线间；第五薄膜晶体管，其栅极连接至公共电极线，源极和漏极连接于公共电极线和共用节点间。

【技术实现步骤摘要】
一种ESD保护电路及显示面板
本技术涉及了显示
，特别是涉及了一种ESD保护电路及显示面板。
技术介绍
静电防护能力是影响显示面板质量和良率的一个重要因素，现有的显示面板为了能够在生产、运输或者工作工程中减少免除静电损害，一般都需要配置ESD保护电路，ESD保护电路用于在积聚在信号线的输入端口位置的静电通过公共电极线导出，保证显示面板的质量。但是现有的ESD保护电路往往需要在每一条信号线的信号输入端出配置一个ESD保护单元，使得现有的ESD保护电路占用空间大，且工艺复杂。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题是提供一种ESD保护电路，它可以有效减少占用空间，降低工艺难度。为了解决以上技术问题，本技术提供了一种ESD保护电路，包括设有第一信号输入端的第一信号线、设有第二信号输入端的第二信号线、公共电极线和ESD保护单元；所述ESD保护单元中形成有共用节点，包括:第一薄膜晶体管，其栅极连接至第一信号输入端，源极和漏极连接于第一信号输入端和共用节点之间；第二薄膜晶体管，其栅极连接至第二信号输入端，源极和漏极连接于第二信号输入端和共用节点之间；第三薄膜晶体管，其栅极连接至共用节点，源极和漏极连接于第一信号输入端和公共电极线之间；第四薄膜晶体管，其栅极连接至共用节点，源极和漏极连接于第二信号输入端和公共电极线之间；第五薄膜晶体管，其栅极连接至公共电极线，源极和漏极连接于公共电极线和共用节点之间。作为本技术的一种优选方案，所述第一信号线和第二信号线均为数据线或者，均为栅极线。作为本技术的一种优选方案，所述第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、第四薄膜晶体管和第五薄膜晶体管均为N形TFT或P形TFT。进一步地，提供一种显示面板，包括以上任一项所述的ESD保护电路。本技术具有如下技术效果：本技术提供的一种ESD保护电路通过设置ESD保护单元可以及时有效地是实现将第一信号线的正静电和负静电通过公共电极线导出，也能实现将第二信号线的的正静电和负静电通过公共电极线导出，可以用于两条信号线的静电防护，一方面减少了薄膜晶体管的数量，缩小了ESD保护单元的布置空间，另一方面降低了生产成本；而且可以有效减少换层设计，既节省布置空间又降低了工艺难度。附图说明为了更清楚地说明本技术实施例的技术方案，下面将对实施例的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅涉及本技术的一些实施例，而非对本技术的限制。图1为本技术提供的一种ESD保护电路的结构示意图；图2为本技术提供的一种ESD保护单元的结构示意图。具体实施方式为使本技术的目的，技术方案和优点更加清楚，下面结合附图对本技术实施方式作进一步详细说明。显然，所描述的实施例是本技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本技术的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。除非另外定义，本技术使用的技术术语或者科学术语应当为本技术所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本技术中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。在本技术的描述中，需要理解的是，若有术语“上”、“下”、“左”、“右”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此附图中描述位置关系的用语仅用于示例性说明，不能理解为对本专利的限制，对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语的具体含义。如图1-2所示，其显示了本技术提供的一种ESD保护电路，包括设有第一信号输入端A的第一信号线100、设有第二信号输入端B的第二信号线200、公共电极线300和ESD保护单元1；所述ESD保护单元1中形成有共用节点C，包括:第一薄膜晶体管11，其栅极连接至第一信号输入端A，源极和漏极连接于第一信号输入端A和共用节点C之间；第二薄膜晶体管12，其栅极连接至第二信号输入端B，源极和漏极连接于第二信号输入端B和共用节点C之间；第三薄膜晶体管13，其栅极连接至共用节点C，源极和漏极连接于第一信号输入端A和公共电极线300之间；第四薄膜晶体管14，其栅极连接至共用节点C，源极和漏极连接于第二信号输入端B和公共电极线300之间；第五薄膜晶体管15，其栅极连接至公共电极线300，源极和漏极连接于公共电极线300和共用节点C之间。具体地，在本实施例中，所述第一信号线100和第二信号线200均为数据线或者，均为栅极线。所述第一薄膜晶体管11、第二薄膜晶体管12、第三薄膜晶体管13、第四薄膜晶体管14和第五薄膜晶体管15均为N形TFT或P形TFT。这样，通过设置了ESD保护单元，当所述第一薄膜晶体管11、第二薄膜晶体管12、第三薄膜晶体管13、第四薄膜晶体管14和第五薄膜晶体管15均为N形TFT时，当第一信号线100的第一信号输入端A出现正静电聚集，第一薄膜晶体管11导通，使得第一信号输入端A和共用节点C之间导通，继而第三薄膜晶体管13导通，从而第一信号输入端A与公共数据线之间导通，可以及时有效地将正静电通过公共电极线300导出，实现正静电释放；当第一信号线100的第一信号输入端A出现负静电聚集时，第五薄膜晶体管15导通，使得公共电极线300和共用节点C之间导通，继而第三薄膜晶体管13导通，从而第一信号输入端A与公共数据线之间导通，可以及时有效地将负静电通过公共电极线300导出，实现负静电释。同样地，当第二信号线200的第二信号输入端B出现正静电聚集时，第二薄膜晶体管12导通，使得第二信号输入端B和共用节点C之间导通，继而第四薄膜晶体管14导通，从而第二信号输入端B与公共数据线之间导通，可以及时有效地将正静电通过公共电极线300导出，实现正静电释放；当第二信号线200的第二信号输入端B出现负静电聚集时，第五薄膜晶体管15导通，使得公共电极线300和共用节点C之间导通，继而第四薄膜晶体管14导通，从而第二信号输入端B与公共数据线之间导通，可以及时有效地将负静电通过公共电极线300导出，实现负静电释放。本技术提供的ESD保护电路可以同时用于两条信号线的静电防护，其中第五薄膜晶体管15可以用于第一信号线100和第二信号线200的静电释放，一方面减少了薄膜晶体管的数量，缩小了ESD保护单元的布置空间，另一方面降低了生产成本；而且共用了第五薄膜晶体管15后，共用节点C上同时连接了第三薄膜晶体管13和第四薄膜晶体管14的栅极以及第五薄膜晶体管15的源极/漏极，考虑到栅极与源极/漏极并不在同层，其连接需要进行换层设计，这样共用第五薄膜晶体管15后可以有效减少换层设计，既节省布置空间又降低了工艺难度。同样地，当所述第一薄膜晶体管11、第二薄膜晶体管12、第三薄膜晶体管13、第四薄膜晶体管14和第五薄膜晶体管15均为P形TFT时，当第一信号线100的第一信号输入端A出现正静电聚集时，第五薄膜晶体管15和第三薄膜晶体管13依次导通，实现正静电释放；当第二信号线100的第一信号输入端A出现负静电聚本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种ESD保护电路，其特征在于，包括设有第一信号输入端的第一信号线、设有第二信号输入端的第二信号线、公共电极线和ESD保护单元；所述ESD保护单元中形成有共用节点，包括:第一薄膜晶体管，其栅极连接至第一信号输入端，源极和漏极连接于第一信号输入端和共用节点之间；第二薄膜晶体管，其栅极连接至第二信号输入端，源极和漏极连接于第二信号输入端和共用节点之间；第三薄膜晶体管，其栅极连接至共用节点，源极和漏极连接于第一信号输入端和公共电极线之间；第四薄膜晶体管，其栅极连接至共用节点，源极和漏极连接于第二信号输入端和公共电极线之间；第五薄膜晶体管，其栅极连接至公共电极线，源极和漏极连接于公共电极线和共用节点之间。

【技术特征摘要】
1.一种ESD保护电路，其特征在于，包括设有第一信号输入端的第一信号线、设有第二信号输入端的第二信号线、公共电极线和ESD保护单元；所述ESD保护单元中形成有共用节点，包括:第一薄膜晶体管，其栅极连接至第一信号输入端，源极和漏极连接于第一信号输入端和共用节点之间；第二薄膜晶体管，其栅极连接至第二信号输入端，源极和漏极连接于第二信号输入端和共用节点之间；第三薄膜晶体管，其栅极连接至共用节点，源极和漏极连接于第一信号输入端和公共电极线之间；第四薄膜晶体管，其栅极连接至共用节点...

【专利技术属性】
技术研发人员：于靖，庄崇营，李林，
申请(专利权)人：信利半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：广东,44