一种双面晶体硅太阳能电池片制造技术

本发明专利技术公开了一种双面晶体硅太阳能电池片，包括硅基体、背钝化膜及背面电极，所述背钝化膜层叠于所述硅基体的背面，所述背钝化膜为厚度在60~90nm之间的蓝膜，所述背面电极包括和所述硅基体相接触的背银电极、形成于所述背钝化膜上的背铝主栅和多个背铝副栅，所述背铝副栅和所述背铝主栅相交，所述背银电极嵌套在所述背铝主栅中，能够提升电池片背面的短路电流及转换效率。

【技术实现步骤摘要】
一种双面晶体硅太阳能电池片
本专利技术属于太阳能电池领域，具体涉及一种双面晶体硅太阳能电池片。
技术介绍
P型PERC双面电池由于其制备工艺简单、成本低廉、双面发电的特性而被广泛关注。根据2017年Semi发布的ITRPV预测，双面单晶电池在未来光伏市场占比份额将逐年增加，到2027年双面电池的市场占比将达到30%左右。与常规PERC工艺相比，双面电池只是在原有的工艺基础上采用背面印刷铝栅线替代常规PERC电池的全铝背场结构，在保持PERC电池正面高转换效率的同时，背面也可以发电。然而目前的PERC电池的电池效率相对较低。
技术实现思路
针对上述技术问题，本专利技术旨在提供一种双面晶体硅太阳能电池片，能够提升电池片背面的短路电流及转换效率。为达到上述目的，本专利技术采用的技术方案如下：一种双面晶体硅太阳能电池片，包括硅基体、背钝化膜及背面电极，所述背钝化膜层叠于所述硅基体的背面，所述背钝化膜为厚度在60~90nm之间的蓝膜，所述背面电极包括和所述硅基体相接触的背银电极、形成于所述背钝化膜上的背铝主栅和多个背铝副栅，所述背铝副栅和所述背铝主栅相交，所述背银电极嵌套在所述背铝主栅中。进一步地，所述背铝主栅包括多个第一主栅部和多个第二主栅部，所述第一主栅部和所述第二主栅部相交错设置并依次沿所述背铝主栅的长度方向排列，所述第一主栅部的宽度大于所述第二主栅部的宽度，所述背银电极嵌套在所述第一主栅部中。更进一步地，所述背银电极和所述第一主栅部之间形成有间隙。更进一步地，所述第一主栅部上开设有使所述背银电极露出的窗口。更进一步地，所述窗口的宽度小于所述背银电极的宽度。具体地，所述背银电极的宽度为1.6~2.0mm，所述窗口的宽度为1.5~1.8mm。具体地，所述第二主栅部的宽度为0.1~1.5mm。进一步地，所述太阳能电池片上开设有激光定位孔。更进一步地，多个所述背铝主栅并列设置，分别处于太阳能电池片边缘处的两个背铝主栅的两端部处分别有一个所述激光定位孔。进一步地，所述背钝化膜为氧化铝和氮化硅膜。本专利技术采用以上方案，相比现有技术具有如下优点：通过采用厚度仅为60~90nm的蓝膜作为背钝化膜，增加陷光效果，提升电池背面转换效率，具有较好的外观；同时背面电极图形采用背铝主栅和背铝副栅设计，降低铝浆耗量和遮光面积，从而提升电池背面的短路电流。附图说明为了更清楚地说明本专利技术的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为根据本专利技术的一种太阳能电池片的背面电极的示意图；图2为图1的局部放大图；图3为图2中沿A-A向的剖视图。其中，1、背面电极；11、背铝主栅；111、第一主栅部；1110、窗口；112、第二主栅部；113、激光定位孔；12、背铝副栅；13、背银电极；130、间隙；2、背钝化膜；3、硅基体。具体实施方式下面结合附图对本专利技术的较佳实施例进行详细阐述，以使本专利技术的优点和特征能更易于被本领域的技术人员理解。在此需要说明的是，对于这些实施方式的说明用于帮助理解本专利技术，但并不构成对本专利技术的限定。此外，下面所描述的本专利技术各个实施方式中所涉及到的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以互相结合。参照图1-3所示，根据本专利技术的双面晶体硅太阳能电池片，包括硅基体3、背钝化膜2及背面电极1，背钝化膜2层叠于硅基体3的背面，背面电极1设置于背钝化膜2上。此外，硅基体3的正面还有形成电池的正面结构，正面结构非本专利技术的重点，在此不做赘述。所述的背钝化膜2为厚度在60~90nm之间的蓝膜，具体为氮化硅膜。一方面，增加了太阳能电池片背面的陷光效果，提升电池片背面转换效率；另一方面，背面电极1形成于蓝膜至上，美化了外观，具有较好的观察效果。背面电极1包括和硅基体3相接触的背银电极13、形成于背钝化膜2上的背铝主栅11和多个背铝副栅12，多个背铝副栅12和多个背铝主栅11相交形成网格状的图形，背银电极13嵌套在背铝主栅11中。具体地，背面电极1的制备过程如下：先在背钝化膜2上丝网印刷银浆，再在环绕银浆的四周丝网印刷铝浆，之后烧结，其中银浆向下穿透背钝化膜2而和硅基体3形成接触，构成所述背银电极13，环绕银浆的铝浆则形成位于背钝化膜2上的所述背铝主栅11，烧结后形成的背银电极13嵌套在背铝主栅11中。进一步地，背铝主栅11包括多个第一主栅部111和多个第二主栅部112，第一主栅部111和第二主栅部112相交错设置并依次沿背铝主栅11的长度方向排列，第一主栅部111的宽度大于第二主栅部112的宽度，背银电极13嵌套在第一主栅部111中。具体如图1所示，多个背铝主栅11分别沿上下方向延伸并相互平行，且沿左右方向等间隔并列设置，每个背铝主栅11分别包括沿上下方向等间隔设置的6个第一主栅部111，6个第一主栅部111通过第二主栅部112连接为一体。多个背铝主栅11的第一主栅部111中的背银电极13相互对应设置并沿左右方向线性排列，以便于焊接光伏焊带。宽细两种背铝主栅设计减少了铝浆耗量和遮光面积，从而提升电池背面的转换效率。如图2所示，背银电极13和第一主栅部111之间形成有间隙130。也就是说，在印刷浆料时，铝浆和银浆之间具有一定间隔。该间隙130分别位于背银电极13长度方向上的两侧。在背银电极13和背铝主栅11沿着焊带方向预留空隙，有利于电池和光伏焊带的焊接，降低电池的隐裂，防止由于高度差导致虚焊和硅片隐裂。如图3所示，第一主栅部111的外表面相对背银电极13的外表面向外凸出，第一主栅部111上开设有使背银电极13露出的窗口1110，该窗口1110的宽度小于背银电极13的宽度。背银电极13主要是用于组件焊接，背银电极13的宽度为1.6~2.0mm，减小或消除组件焊接拉力不合格的风险。窗口1110的宽度为1.5~1.8mm。第二主栅部112的宽度为0.1~1.5mm。此外，如图1所示，太阳能电池片上开设有激光定位孔113。具体地，分别处于太阳能电池片边缘处的两个背铝主栅11（最左侧和最右侧的两个背铝主栅11）的两端部处分别有一个激光定位孔113。即，激光定位孔113有四个，分别位于太阳能电池片的四角处，直径为0.3~0.6mm，主要是用于铝背场和激光开槽线的对准。本专利技术的双面晶体硅太阳能电池片具有如下特点：通过采用厚度较小的背钝化膜2，即改善背面印刷图形外观，从而实现较好的外观设计和背面转换效率的提升；背钝化膜2（氧化铝和氮化硅膜）厚度范围在60~90nm，从而实现背面蓝膜设计；背面栅线印刷，采用传统的丝网印刷铝背场机台，无需增加额外的设备，降低制造成本。此外，还具有减少遮光面积和降低铝浆耗量的优点。上述实施例只为说明本专利技术的技术构思及特点，是一种优选的实施例，其目的在于熟悉此项技术的人士能够了解本专利技术的内容并据以实施，并不能以此限定本专利技术的保护范围。凡根据本专利技术的原理所作的等效变换或修饰，都应涵盖在本专利技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种双面晶体硅太阳能电池片，包括硅基体、背钝化膜及背面电极，所述背钝化膜层叠于所述硅基体的背面，其特征在于：所述背钝化膜为厚度在60~90nm之间的蓝膜，所述背面电极包括和所述硅基体相接触的背银电极、形成于所述背钝化膜上的背铝主栅和多个背铝副栅，所述背铝副栅和所述背铝主栅相交，所述背银电极嵌套在所述背铝主栅中。

【技术特征摘要】
1.一种双面晶体硅太阳能电池片，包括硅基体、背钝化膜及背面电极，所述背钝化膜层叠于所述硅基体的背面，其特征在于：所述背钝化膜为厚度在60~90nm之间的蓝膜，所述背面电极包括和所述硅基体相接触的背银电极、形成于所述背钝化膜上的背铝主栅和多个背铝副栅，所述背铝副栅和所述背铝主栅相交，所述背银电极嵌套在所述背铝主栅中。2.根据权利要求1所述的双面晶体硅太阳能电池片，其特征在于：所述背铝主栅包括多个第一主栅部和多个第二主栅部，所述第一主栅部和所述第二主栅部相交错设置并依次沿所述背铝主栅的长度方向排列，所述第一主栅部的宽度大于所述第二主栅部的宽度，所述背银电极嵌套在所述第一主栅部中。3.根据权利要求2所述的双面晶体硅太阳能电池片，其特征在于：所述背银电极和所述第一主栅部之间形成有间隙。4.根据权利要求3所述的双面晶体硅太阳能电池片，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡党平，张树德，魏青竹，倪志春，连维飞，王金艺，
申请(专利权)人：苏州腾晖光伏技术有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32