阵列基板及制作方法、显示面板技术

本公开涉及显示器技术领域，提出一种阵列基板，所述阵列基板包括阵列分布的多个像素单元，每个所述像素单元包括多个子像素，每个所述子像素均包括至少一个金属层和发光层，至少一个所述子像素还包括反射阳极层。反射阳极层与所述至少一个金属层中的一个同层成型；且所述反射阳极层靠近所述发光层的一侧具有透明导电层，至少两个不同所述子像素的透明导电层厚度不同。本公开通过将反射阳极层与子像素上的金属层同层成型，从而在不增加工艺步骤的情况下实现在不同子像素反射阳极层上设置不同厚度的透明导电层。

【技术实现步骤摘要】
阵列基板及制作方法、显示面板
本公开涉及显示器
，尤其涉及一种阵列基板及制作方法、显示面板。
技术介绍
在大尺寸AMOLED(Active-matrixOrganicLight-emittingDiode，有源矩阵有机发光二极体或主动矩阵有机发光二极体)显示面板开发过程中，采用顶发光技术方案能够提高显示面板的分辨率，因此该技术方案逐渐被深入研究，在顶发射技术方案中，通过调节子像素微腔结构的长度可以获得不同波长光波的通过率，调节不同子像素的微腔结构的长度可以提高显示面板的色域。相关技术中，通常通过调节子像素中反射阳极层面向发光层一侧的透明导电层的厚度调节子像素微腔结构的长度。然而，相关技术中，通过调节透明导电层的厚度调节微腔结构长度时，需要通过多次沉积透明导电层以及多个图形化工艺才能实现调节微腔结构的长度，这样增添了工艺步骤，增加了成本，并且容易造成良率的降低。需要说明的是，在上述
技术介绍
部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
技术实现思路
本公开的目的在于提供一种阵列基板及制作方法、显示面板，进而至少在一定程度上克服相关技术中，在不同子像素的反射阳极层上形成不同厚度透明导电层的工艺复杂的技术问题。根据本公开的一个方面，提供一种阵列基板，所述阵列基板包括阵列分布的多个像素单元，每个所述像素单元包括多个子像素，每个所述子像素均包括至少一个金属层和发光层，至少一个所述子像素还包括反射阳极层，该反射阳极层与所述金属层中的一个同层成型；且所述反射阳极层靠近所述发光层的一侧具有透明导电层，至少两个不同所述子像素的透明导电层厚度不同。在本公开的一种示例性实施例中，至少一个所述金属层包括：遮光金属层、栅极金属层、源漏金属层。在本公开的一种示例性实施例中，所述像素单元包括第一子像素；所述第一子像素包括与所述遮光金属层同层成型的第一反射阳极层，所述第一反射阳极层靠近发光层一侧具有第一厚度的第一透明导电层。在本公开的一种示例性实施例中，所述像素单元包括第二子像素；所述第二子像素包括与所述栅极金属层同层成型的第二反射阳极层，所述第二反射阳极层靠近发光层一侧具有第二厚度的第二透明导电层。在本公开的一种示例性实施例中，所述像素单元包括第三子像素；所述第三子像素包括与所述源漏金属层同层成型的第三反射阳极层，所述第三反射阳极层靠近发光层一侧具有第三厚度的第三透明导电层。在本公开的一种示例性实施例中，所述透明导电层的厚度为120埃到820埃。根据本公开的一个方面，提供一种阵列基板的制作方法，所述阵列基板包括阵列分布的多个像素单元，每个所述像素单元包括多个子像素，每个所述子像素均包括至少一个金属层和发光层，该方法包括：将至少一个所述子像素的反射阳极层与所述金属层同层成型，且所述反射阳极层靠近所述发光层的一侧具有透明导电层，至少两个不同所述子像素的透明导电层厚度不同。在本公开的一种示例性实施例中，至少一个所述金属层包括遮光金属层，所述像素单元包括第一子像素，所述方法包括：将所述第一子像素的第一反射阳极层与所述遮光金属层同层成型，且所述第一反射阳极层靠近发光层一侧具有第一厚度的第一透明导电层。在本公开的一种示例性实施例中，至少一个所述金属层包括栅极金属层，所述像素单元包括第二子像素，所述方法包括：将所述第二子像素的第二反射阳极层与所述栅极金属层同层成型，且所述第二反射阳极层靠近发光层一侧具有第二厚度的第二透明导电层。在本公开的一种示例性实施例中，至少一个所述金属层包括源漏金属层，所述像素单元包括第三子像素，所述方法包括：将所述第三子像素的第三反射阳极层与所述源漏金属层同层成型，且所述第三反射阳极层靠近发光层一侧具有第三厚度的第三透明导电层。在本公开的一种示例性实施例中，所述像素单元包括第一子像素、第二子像素、第三子像素，至少一个所述金属层包括遮光金属层、栅极金属层、源漏金属层，所述方法包括：将所述第一子像素的第一反射阳极层与所述遮光金属层同层成型，且所述第一反射阳极层靠近发光层一侧具有第一厚度的第一透明导电层；将所述第二子像素的第二反射阳极层与所述栅极金属层同层成型，且所述第二反射阳极层靠近发光层一侧具有第二厚度的第二透明导电层；将所述第三子像素的第三反射阳极层与所述源漏金属层同层成型，且所述第三反射阳极层靠近发光层一侧具有第三厚度的第三透明导电层。在本公开的一种示例性实施例中，将所述第一子像素的第一反射阳极层与所述遮光金属层同层成型包括：在衬底基板上形成第一阳极材料层，所述第一阳极材料层背离所述衬底基板一侧包括第一厚度的透明导电层；将部分所述第一阳极材料层形成所述遮光金属层；将部分所述第一阳极材料层形成所述第一反射阳极层。在本公开的一种示例性实施例中，所述方法还包括：在所述遮光金属层、所述第一反射阳极层以及部分所述衬底基板上形成缓冲层；在部分所述缓冲层上形成有源层。在本公开的一种示例性实施例中，将所述第二子像素的第二反射阳极层与所述栅极金属层同层成型包括：在部分所述有源层以及部分所述缓冲层上形成栅极绝缘材料层；在所述栅极绝缘材料层上形成第二阳极材料层，所述第二阳极材料层背离所述衬底基板一侧包括第二厚度的透明导电层；将部分所述第二阳极材料层形成所述栅极金属层；将部分所述第二阳极材料层形成所述第二反射阳极层。在本公开的一种示例性实施例中，所述方法还包括：在所述第二阳极材料层上形成层间介质层；在所述层间介质层上形成连接源漏极和有源层的第一过孔；在所述层间介质层上形成连接所述遮光金属层和所述源漏极中一个的第二过孔；在所述层间介质层上形成连接所述第一反射阳极层和所述源漏极中一个的第三过孔；在所述层间介质层上形成连接所述第二反射阳极层和所述源漏极中一个的第四过孔。在本公开的一种示例性实施例中，将所述第三子像素的第三反射阳极层与所述源漏金属层同层成型包括：在所述层间介质层上形成第三阳极材料层，所述第三阳极材料层背离所述衬底基板一侧包括第三厚度的透明导电层；将部分所述第三阳极材料层形成所述源漏金属层；将部分所述第三阳极材料层形成所述第三反射阳极层。在本公开的一种示例性实施例中，所述方法还包括：在所述第三阳极材料层上形成钝化层；在所述钝化层上形成像素定义层，所述像素定义层包括用于设置电致发光器的开口，所述开口位于所述第一反射阳极层、第二反射阳极层、第三反射阳极层上；在所述开口上形成用于露出所述第一反射阳极层、第二反射阳极层、第三反射阳极层的第五过孔。根据本公开的一个方面，提供一种显示面板，包括上述的阵列基板。本公开提供一种阵列基板及制作方法、显示面板。阵列基板将反射阳极层与子像素上的金属层同层成型。一方面，本公开提供的阵列基板可以在不增加工艺步骤的情况下实现在不同子像素反射阳极层上设置不同厚度的透明导电层；另一方面，本公开中阵列基板的透明导电层一次成型，从而降低了不良率发生的概率。应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本公开。附图说明此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本公开的实施例，并与说明书一起用于解释本公开的原理。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阵列基板，所述阵列基板包括阵列分布的多个像素单元，每个所述像素单元包括多个子像素，每个所述子像素均包括至少一个金属层和发光层，其特征在于，至少一个所述子像素还包括：反射阳极层，与所述至少一个金属层中的一个同层成型；且所述反射阳极层靠近所述发光层的一侧具有透明导电层，至少两个不同所述子像素的透明导电层厚度不同。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，所述阵列基板包括阵列分布的多个像素单元，每个所述像素单元包括多个子像素，每个所述子像素均包括至少一个金属层和发光层，其特征在于，至少一个所述子像素还包括：反射阳极层，与所述至少一个金属层中的一个同层成型；且所述反射阳极层靠近所述发光层的一侧具有透明导电层，至少两个不同所述子像素的透明导电层厚度不同。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述至少一个金属层包括：遮光金属层、栅极金属层、源漏金属层。3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述像素单元包括第一子像素；所述第一子像素包括与所述遮光金属层同层成型的第一反射阳极层，所述第一反射阳极层靠近发光层一侧具有第一厚度的第一透明导电层。4.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述像素单元包括第二子像素；所述第二子像素包括与所述栅极金属层同层成型的第二反射阳极层，所述第二反射阳极层靠近发光层一侧具有第二厚度的第二透明导电层。5.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述像素单元包括第三子像素；所述第三子像素包括与所述源漏金属层同层成型的第三反射阳极层，所述第三反射阳极层靠近发光层一侧具有第三厚度的第三透明导电层。6.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述透明导电层的厚度为120埃到820埃。7.一种阵列基板的制作方法，所述阵列基板包括阵列分布的多个像素单元，每个所述像素单元包括多个子像素，每个所述子像素均包括至少一个金属层和发光层，其特征在于，所述方法包括：将至少一个所述子像素的反射阳极层与所述金属层同层成型，且所述反射阳极层靠近所述发光层的一侧具有透明导电层，至少两个不同所述子像素的透明导电层厚度不同。8.根据权利要求7所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，至少一个所述金属层包括遮光金属层，所述像素单元包括第一子像素，所述方法包括：将所述第一子像素的第一反射阳极层与所述遮光金属层同层成型，且所述第一反射阳极层靠近发光层一侧具有第一厚度的第一透明导电层。9.根据权利要求7所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，至少一个所述金属层包括栅极金属层，所述像素单元包括第二子像素，所述方法包括：将所述第二子像素的第二反射阳极层与所述栅极金属层同层成型，且所述第二反射阳极层靠近发光层一侧具有第二厚度的第二透明导电层。10.根据权利要求7所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，至少一个所述金属层包括源漏金属层，所述像素单元包括第三子像素，所述方法包括：将所述第三子像素的第三反射阳极层与所述源漏金属层同层成型，且所述第三反射阳极层靠近发光层一侧具有第三厚度的第三透明导电层。11.根据权利要求7所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述像素单元包括第一子像素、第二子像素、第三子像素，至少一个所述金属层包括遮光金属层、栅极金属层、源漏金属层...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘威，李伟，韩影，张建业，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11