一种Micro LED显示面板及制作方法、显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种Micro LED显示面板及其制作方法、显示装置，在转运LED芯片阵列时，只需要将LED芯片阵列压入粘接膜层即可，通过粘接膜层将LED芯片阵列粘接于承载基板或阵列基板上，而后通过去除粘接膜层不需要的部分，以达到去除不需要的LED芯片而完成转运过程，无需通过焊接方式将LED芯片阵列中每个芯片一一焊接在基板上，简化了制作Micro LED显示面板的工艺，降低了Micro LED显示面板的工艺难度，并且避免了通过焊接工艺产生的高温对LED芯片造成影响的情况，避免了转运过程中对LED芯片造成损伤。

【技术实现步骤摘要】
一种MicroLED显示面板及制作方法、显示装置
本专利技术涉及显示
，更为具体的说，涉及一种MicroLED显示面板及其制作方法、显示装置。
技术介绍
发光二极管(LightEmittingDiode，LED)是一种可将电流转换成特定波长范围的光电半导体元件，其发光原理为电子在n型半导体与p型半导体间移动的能量差，以光的形式释放能量，因此发光二极管被称为冷光源，其具有低功耗、尺寸小、亮度高、易与集成电路匹配、可靠性高等优点，作为光源被广泛应用。并且，随着LED技术的成熟，直接利用LED作为自发光显示点像素的LED显示器或MicroLED(即微型LED)显示器的技术也逐渐被广泛应用。其中，MicroLED显示屏综合了TFT-LCD(thinfilmtransistor-liquidcrystaldisplay，薄膜晶体管液晶显示器)和LED显示屏的技术特点，其显示原理是将LED结构设计进行薄膜化、微小化、阵列化，之后将MicroLED从最初的生长衬底上转运到电路基板上，目前MicroLED技术发展的难点之一就在于MicroLED的转运过程，现有在将MicroLED芯片转运至电路基板上时过程复杂。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提供了一种MicroLED显示面板及其制作方法、显示装置，制作MicroLED显示面板的工艺难度低，且能够避免转运过程中对LED芯片造成损伤。为实现上述目的，本专利技术提供的技术方案如下：一种MicroLED显示面板的制作方法，包括：提供一承载基板；在所述承载基板一侧表面涂布粘接膜层，所述粘接膜层包括保留区和去除区；通过携带有LED芯片阵列的转运基板，将所述LED芯片阵列压入所述粘接膜层后，分离所述LED芯片阵列和所述转运基板；对所述粘接膜层曝光显影，去除所述粘接膜层在所述去除区的部分，以去除所述去除区对应的LED芯片。相应的，本专利技术还提供了一种MicroLED显示面板的制作方法，包括：S1、提供一阵列基板，所述阵列基板包括晶体管阵列层，所述晶体管阵列层包括多个像素点区域，所述晶体管阵列层对应所述像素点区域设置有至少一个晶体管；S2、在所述阵列基板具有所述晶体管阵列层的表面涂布粘接膜层，所述粘接膜层包括保留区和去除区；S3、通过携带有LED芯片阵列的转运基板，将所述LED芯片阵列压入所述粘接膜层后，分离所述LED芯片阵列和所述转运基板；S4、对所述粘接膜层曝光显影，去除所述粘接膜层在所述去除区的部分，以去除所述去除区对应的LED芯片，其中，所述保留区对应的LED芯片与所述晶体管阵列层的相应像素点区域一一对应；S5、执行步骤S2至S4至少一次；S6、制作连通所述LED芯片的阳极和相应所述晶体管的源极或漏极的阳极连通电极，和制作接触所述LED芯片的阴极的阴极连通电极，得到MicroLED显示面板。相应的，本专利技术还提供了一种MicroLED显示面板，包括：阵列基板，所述阵列基板包括晶体管阵列层，所述晶体管阵列层包括多个像素点区域，所述晶体管阵列层对应所述像素点区域设置至少一个晶体管；位于所述阵列基板具有所述晶体管阵列层的表面上的粘接膜层；以及，嵌入所述粘接膜层的多个LED芯片，所述LED芯片与所述晶体管阵列层的像素点区域一一对应，其中，所述LED芯片的阳极与相应所述晶体管的源极或漏极通过阳极连通电极连通，且所述LED芯片的阴极连接有阴极连通电极。相应的，本专利技术还提供了一种MicroLED显示装置，包括上述的MicroLED显示面板。相较于现有技术，本专利技术提供的技术方案至少具有以下优点：本专利技术提供了一种MicroLED显示面板及其制作方法、显示装置，在制作MicroLED显示面板时，首先在承载基板的表面或阵列基板具有晶体管阵列层的表面涂布粘接膜层，而后通过携带有LED芯片阵列的转运基板，将LED芯片阵列压入粘接膜层后分离LED芯片阵列和转运基板，而后对粘接膜层曝光显影，去除粘接膜层对应去除区的部分，且同时去除了去除区对应的LED芯片；并且，在LED芯片阵列粘接于阵列基板上时，去除了去除区对应的LED芯片，以使保留区对应的LED芯片与晶体管阵列层中相应像素点区域一一对应后，制作连通LED芯片的阳极和相应晶体管的源极或漏极的阳极连通电极，及制作接触LED芯片的阴极的阴极连通电极。由上述内容可知，本专利技术提供的技术方案，在转运LED芯片阵列时，只需要将LED芯片阵列压入粘接膜层即可，通过粘接膜层将LED芯片阵列粘接于承载基板或阵列基板上，而后通过去除粘接膜层不需要的部分，以达到去除不需要的LED芯片而完成转运过程，无需通过焊接方式将LED芯片阵列中每个芯片一一焊接在基板上，简化了制作MicroLED显示面板的工艺，降低了MicroLED显示面板的工艺难度，并且避免了通过焊接工艺产生的高温对LED芯片造成影响的情况，避免了转运过程中对LED芯片造成损伤。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。图1为本申请实施例提供的一种MicroLED显示面板的制作方法的流程图；图2为本申请实施例提供的又一种MicroLED显示面板的制作方法的流程图；图3为本申请实施例提供的又一种MicroLED显示面板的制作方法的流程图；图4至图8为图3中各步骤对应的结构示意图；图9为本申请实施例提供的一种MicroLED显示面板的结构示意图；图10至图15为执行步骤S2至S4两次时各步骤对应的结构示意图；图16为本申请实施例提供的另一种MicroLED显示面板的结构示意图；图17为本申请实施例提供的一种LED芯片的结构示意图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。正如
技术介绍
所述，MicroLED显示屏综合了TFT-LCD和LED显示屏的技术特点，其显示原理是将LED结构设计进行薄膜化、微小化、阵列化，之后将MicroLED从最初的生长衬底上转运到电路基板上，目前MicroLED技术发展的难点之一就在于MicroLED的转运过程，现有在将MicroLED芯片转运至电路基板上时过程复杂。基于此，本申请实施例提供了一种MicroLED显示面板及其制作方法、显示装置，制作MicroLED显示面板的工艺难度低，且能够避免转运过程中对LED芯片造成损伤。为实现上述目的，本申请实施例提供的技术方案如下，具体结合图1至图17对本申请实施例提供的技术方案进行详细的描述。参考图1所示，为本申请实施例提供的一种MicroLED显示面板的制作方法的流程图，其中，制作方法包括：S10、提供一承载基板；S20、在所述承载基板一侧表面涂布粘接膜层，所述粘接膜层包括保留区和去除区；S30、通过携带有LED芯片阵列的转运基板，将所述LED芯片阵列压入所述粘接膜层后，分离所述LED芯片阵列和所述转运基板本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种Micro LED显示面板的制作方法，其特征在于，包括：提供一承载基板；在所述承载基板一侧表面涂布粘接膜层，所述粘接膜层包括保留区和去除区；通过携带有LED芯片阵列的转运基板，将所述LED芯片阵列压入所述粘接膜层后，分离所述LED芯片阵列和所述转运基板；对所述粘接膜层曝光显影，去除所述粘接膜层在所述去除区的部分，以去除所述去除区对应的LED芯片。

【技术特征摘要】
1.一种MicroLED显示面板的制作方法，其特征在于，包括：提供一承载基板；在所述承载基板一侧表面涂布粘接膜层，所述粘接膜层包括保留区和去除区；通过携带有LED芯片阵列的转运基板，将所述LED芯片阵列压入所述粘接膜层后，分离所述LED芯片阵列和所述转运基板；对所述粘接膜层曝光显影，去除所述粘接膜层在所述去除区的部分，以去除所述去除区对应的LED芯片。2.根据权利要求1所述的MicroLED显示面板的制作方法，其特征在于，在所述LED芯片阵列中，任意一LED芯片的阳极和阴极均裸露于所述LED芯片背离所述承载基板一侧。3.一种MicroLED显示面板的制作方法，其特征在于，包括：S1、提供一阵列基板，所述阵列基板包括晶体管阵列层，所述晶体管阵列层包括多个像素点区域，所述晶体管阵列层对应所述像素点区域设置有至少一个晶体管；S2、在所述阵列基板具有所述晶体管阵列层的表面涂布粘接膜层，所述粘接膜层包括保留区和去除区；S3、通过携带有LED芯片阵列的转运基板，将所述LED芯片阵列压入所述粘接膜层后，分离所述LED芯片阵列和所述转运基板；S4、对所述粘接膜层曝光显影，去除所述粘接膜层在所述去除区的部分，以去除所述去除区对应的LED芯片，其中，所述保留区对应的LED芯片与所述晶体管阵列层的相应像素点区域一一对应；S5、执行步骤S2至S4至少一次；S6、制作连通所述LED芯片的阳极和相应所述晶体管的源极或漏极的阳极连通电极，和制作接触所述LED芯片的阴极的阴极连通电极，得到MicroLED显示面板。4.根据权利要求3所述的MicroLED显示面板的制作方法，其特征在于，所述MicroLED显示面板的所有LED芯片的发光颜色相同，其中，执行步骤S2至S4一次。5.根据权利要求4所述的MicroLED显示面板的制作方法，其特征在于，位于所述阵列基板背离所述LED芯片一侧，或位于所述LED芯片背离所述阵列基板一侧还包括有：光转换膜层，所述光转换膜层包括多个光转换区域，所述光转换区域能够将所述LED芯片的发光颜色转换为第一发光颜色至第M发光颜色中的一种，M为不小于2的正整数，所述光转换区域与所述LED芯片一一对应。6.根据权利要求3所述的MicroLED显示面板的制作方法，其特征在于，所述MicroLED显示面板的LED芯片包括第一发光颜色LED芯片至第N发光颜色芯片，N为不小于2的整数，且所述晶体管阵列层包括与所述第一发光颜色LED芯片至所述第N发光颜色芯片分别相应的第一像素点区域至第N像素点区域，其中，执行步骤S2至S4N次为：在执行步骤S2至S4第一次时：S2、在所述阵列基板具有所述晶体管阵列层的表面涂布第一粘接膜层，所述第一粘接膜层包括第一保留区和第一去除区；S3、通过携带有第一LED芯片阵列的转运基板，将所述第一LED芯片阵列压入所述第一粘接膜层后，分离所述第一LED芯片阵列和所述转运基板，所述第一LED芯片阵列的LED芯片均为所述第一发光颜色LED芯片；S4、对所述第一粘接膜层曝光显影，去除所述第一粘接膜层对应所述第一去除区的部分，以去除所述第一去除区对应的第一发光颜色LED芯片，其中，所述第一保留区对应的第一发光颜色LED芯片与所述晶体管阵列层的第一像素点区域一一对应；在执行步骤S2至S4第二次时：S2、在所述阵列基板具有所述源漏电极层一侧涂布第二粘接膜层，所述第二粘接膜层至少覆盖所述阵列基板的裸露表面，所述第二粘接膜层包括第二保留区和第二去除区；S3、通过携带有第二LED芯片阵列的转运基板，将所述第二LED芯片阵列压入所述第二粘接膜层后，分离所述第二LED芯片阵列和所述转运基板，所述第二LED芯片阵列的LED芯片均为第二发光颜色LED芯片；S4、对所...

【专利技术属性】
技术研发人员：符鞠建，刘刚，
申请(专利权)人：上海天马微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31