Micro LED显示基板及其制作方法、显示装置制造方法及图纸

本申请公开一种Micro LED显示基板及其制作方法、Micro LED显示装置，其中，Micro LED显示基板制作方法，将Micro LED转移到阵列基板的有机层后，经过一次刻蚀，同时在保护层和阵列基板上形成过孔，再通过一次金属沉积，同时形成Micro LED的电极和将石墨烯层与薄膜晶体管结构的源极或漏极电性连接的结构。相对于现有技术中分别形成Micro LED电极和将石墨烯层与薄膜晶体管结构的源极或漏极电性连接的结构需要两次刻蚀和两次金属沉积的过程，本发明专利技术提供的Micro LED制作方法节省了工艺步骤，使得Micro LED的制作方法更加简单，且降低了工艺成本。

【技术实现步骤摘要】
MicroLED显示基板及其制作方法、显示装置
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种MicroLED(LightEmittingDiode，发光二极管)显示基板及其制作方法、MicroLED显示装置。
技术介绍
与OLED(OrganicLight-EmittingDiode，有机发光二极管)相比，LED的亮度更高、发光效率更好，而且功耗更低。随着发光二极管技术的发展，发光二极管已经不仅限用作背光源。随着技术发展，MicroLED(微型LED)在显示
渐露头角，成为新一代显示技术。MicroLED的制作方法主要包括提供阵列基板，在阵列基板上制作MicroLED结构，形成呈阵列排布的多个子像素。通过阵列基板上的驱动电路控制每个MicroLED进行发光，实现显示画面。但是，现有技术中MicroLED显示基板的制作工艺过程繁琐，且成本较大。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提供一种MicroLED显示基板及其制作方法、显示装置，以解决现有技术中MicroLED显示基板制作工艺过程繁琐，成本较大的问题。为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种MicroLED显示基板制作方法，包括：在转移基板上形成石墨烯层；在所述石墨烯层背离所述转移基板的表面形成半导体层及导电层以形成MicroLED；在所述MicroLED的表面形成保护层；提供阵列基板，所述阵列基板包括多个薄膜晶体管结构；在所述阵列基板上形成有机层；将所述MicroLED从所述转移基板上转移到所述有机层上，使得所述石墨烯层与所述有机层连接；刻蚀所述导电层表面的保护层形成第一过孔，暴露出所述导电层，同时刻蚀所述阵列基板形成第二过孔，暴露出所述薄膜晶体管的漏极或者源极；沉积导电金属层，填充所述第一过孔和所述第二过孔，并将所述漏极或所述源极与所述石墨烯层电性连接。本专利技术还提供一种MicroLED显示基板，采用上面所述的MicroLED显示基板制作方法形成；所述MicroLED显示基板包括：阵列基板，所述阵列基板包括呈阵列排布的多个薄膜晶体管结构；位于所述阵列基板表面的有机层；设置在所述有机层背离所述阵列基板表面的石墨烯层；位于所述石墨烯层背离所述阵列基板表面的MicroLED；位于所述MicroLED表面的保护层；导电金属层，所述导电金属层包括贯穿所述保护层且与所述MicroLED的导电层电性连接的导电金属层和电性连接所述石墨烯层和所述薄膜晶体管结构的漏极或源极的导电金属层。本专利技术还提供一种MicroLED显示装置，包括上面所述的MicroLED显示基板。经由上述的技术方案可知，本专利技术提供的MicroLED显示基板制作方法，先在转移基板上形成石墨烯层，然后在石墨烯层上形成MicroLED结构，再在MicroLED表面形成保护层，通过吸附保护层将MicroLED转移到阵列基板的有机层上，通过石墨烯层与有机层的键合，使得MicroLED转移完成。然后经过一次刻蚀工艺，同时在保护层和阵列基板上形成过孔，暴露出MicroLED的导电层和阵列基板上的薄膜晶体管的源极或漏极，再通过一次金属沉积，同时形成MicroLED的电极和将石墨烯层与薄膜晶体管结构的源极或漏极电性连接的结构。相对于现有技术中，分别形成MicroLED电极和将石墨烯层与薄膜晶体管结构的源极或漏极电性连接的结构，需要两次刻蚀和两次金属沉积的过程，本专利技术提供的MicroLED制作方法节省了工艺步骤，从而使得MicroLED的制作方法更加简单，且避免两次刻蚀和两次沉积产生的原料浪费，从而降低了工艺成本。本专利技术还提供一种MicroLED显示基板，采用上面所述的MicroLED显示基板制作方法形成，从而能够降低MicroLED显示基板的制作成本。另外，本专利技术还提供一种MicroLED显示装置，包括上述MicroLED显示基板，同样能够降低其制作成本。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。图1为本专利技术实施例提供的一种MicroLED显示基板制作方法流程示意图；图2-图10为本专利技术实施例提供的MicroLED显示基板制作工艺对应的剖面结构示意图；图11为本专利技术实施例提供的一种MicroLED显示基板的俯视结构示意图；图12为本专利技术实施例提供的另一种MicroLED显示基板的俯视结构示意图；图13为本专利技术实施例提供的一种MicroLED显示装置的示意图。具体实施方式正如
技术介绍
部分所述，现有技术中MicroLED显示基板的制作方法存在制作工艺过程繁琐，成本较大的问题。专利技术人发现，出现上述现象的原因是，现有技术中MicroLED显示基板的制作方法为：在转移基板上形成石墨烯层；在石墨烯层上形成半导体层和导电层以形成发光二极管结构；在导电层表面形成保护层；第一次刻蚀去除导电层部分表面的保护层；提供衬底基板；吸附所述保护层，将发光二极管结构转移到衬底基板上；在保护层上沉积形成透明导电层；刻蚀透明导电层，形成发光二极管的公共电极；刻蚀衬底基板形成过孔，暴露出衬底基板上的薄膜晶体管的漏极；在过孔中沉积形成导电金属层，填充所述过孔，并将漏极和石墨烯层电性连接。可见上述MicroLED显示基板的制作方法中，形成电极时，需要对保护层进行一次刻蚀和一次透明导电层沉积，并图案化所述透明导电层，得到MicroLED的公共电极；而将石墨烯层和薄膜晶体管的漏极电性连接时，也需要先进行一次刻蚀在衬底基板上形成过孔，暴露漏极，然后再沉积金属层，形成电性连接结构。由于需要两次刻蚀工艺和两次导电材料沉积过程，造成MicroLED显示基板的制作工艺步骤繁琐，且每次刻蚀均需要刻蚀液，每次导电材料沉积后，形成的是整层结构，还需要对整层结构进行图形化，去除多余导电材料，造成导电材料的浪费，造成MicroLED显示基板的制作成本较高。基于此，本专利技术实施例提供一种MicroLED显示基板制作方法，包括：在转移基板上形成石墨烯层；在所述石墨烯层背离所述转移基板的表面形成半导体层及导电层以形成MicroLED；在所述MicroLED的表面形成保护层；提供阵列基板，所述阵列基板包括多个薄膜晶体管结构；在所述阵列基板上形成有机层；将所述MicroLED从所述转移基板上转移到所述有机层上，使得所述石墨烯层与所述有机层连接；刻蚀所述导电层表面的保护层形成第一过孔，暴露出所述导电层，同时刻蚀所述阵列基板形成第二过孔，暴露出所述薄膜晶体管的漏极或者源极；沉积导电金属层，填充所述第一过孔和所述第二过孔，并将所述漏极或所述源极与所述石墨烯层电性连接。本专利技术实施例提供的MicroLED显示基板制作方法，先在转移基板上形成石墨烯层，然后在石墨烯层上形成MicroLED结构，再在MicroLED表面形成保护层，通过吸附保护层将MicroLED转移到阵列基板的有机层上，通过石墨烯层与有机层的键合，使得MicroLED转移完成。然后经过一次刻蚀工艺，同时在保护层和阵列基板上形成过孔，暴露出MicroLED的导电层和阵列基板上的薄膜晶体管的源极或漏极，再通过一次金本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种Micro LED显示基板制作方法，其特征在于，包括：在转移基板上形成石墨烯层；在所述石墨烯层背离所述转移基板的表面形成半导体层及导电层以形成Micro LED；在所述Micro LED的表面形成保护层；提供阵列基板，所述阵列基板包括多个薄膜晶体管结构；在所述阵列基板上形成有机层；将所述Micro LED从所述转移基板上转移到所述有机层上，使得所述石墨烯层与所述有机层连接；刻蚀所述导电层表面的保护层形成第一过孔，暴露出所述导电层，同时刻蚀所述阵列基板形成第二过孔，暴露出所述薄膜晶体管的漏极或者源极；沉积导电金属层，填充所述第一过孔和所述第二过孔，并将所述漏极或所述源极与所述石墨烯层电性连接。

【技术特征摘要】
1.一种MicroLED显示基板制作方法，其特征在于，包括：在转移基板上形成石墨烯层；在所述石墨烯层背离所述转移基板的表面形成半导体层及导电层以形成MicroLED；在所述MicroLED的表面形成保护层；提供阵列基板，所述阵列基板包括多个薄膜晶体管结构；在所述阵列基板上形成有机层；将所述MicroLED从所述转移基板上转移到所述有机层上，使得所述石墨烯层与所述有机层连接；刻蚀所述导电层表面的保护层形成第一过孔，暴露出所述导电层，同时刻蚀所述阵列基板形成第二过孔，暴露出所述薄膜晶体管的漏极或者源极；沉积导电金属层，填充所述第一过孔和所述第二过孔，并将所述漏极或所述源极与所述石墨烯层电性连接。2.根据权利要求1所述的MicroLED显示基板制作方法，其特征在于，所述第一过孔在所述导电层上的投影为位于所述MicroLED边缘区域的边框结构；所述刻蚀所述导电层表面的保护层形成第一过孔，包括：在所述导电层表面的保护层上形成光刻胶图形；对所述导电层表面的保护层进行光刻，去除所述导电层表面的部分保护层；形成边框结构的第一过孔，且所述第一过孔分布在所述MicroLED的边缘区域。3.根据权利要求1所述的MicroLED显示基板制作方法，其特征在于，所述第一过孔的面积与所述导电层的面积相同；所述刻蚀所述导电层表面的保护层形成第一过孔，包括：在所述导电层表面的保护层上形成光刻胶图形；对所述导电层表面的保护层进行光刻，去除所述导电层表面的所有保护层；形成面积与所述导电层面积相同的第一过孔。4.根据权利要求3所述的MicroLED显示基板制作方法，其特征在于，所述沉积导电金属层，填充所述第一过孔和所述第二过孔，并将所述漏极或所述源极与所述石墨烯层电性连接，具体包括：沉积整层的导电金属层；对所述导电金属层进行刻蚀，去除所述薄膜晶体管区域上对应的导电金属层，以及所述导电层表面的导电金属层与所述保护层侧壁的导电金属层连接处的导电金属层；在所述导电层表面形成填充所述第一过孔的第一导电金属层，在所述第二过孔中形成填充所述第二过孔的第二导电金属层，以及在所述保护层背离所述MicroLED的表面形成围绕所述MicroLED侧壁的第三导电金属层；其中，所述第一导电金属层与所述第三导电金属层之间绝缘，所述第二导电金属层与所述石墨烯层电性连接。5.根据权利要求1所述的MicroLED显示基板制作方法，其特征在于，在所述阵列基板上形成有机层之前，还包括：在所述阵列基板上形成平坦化层。6.根据权利要求1所述的MicroLED显示基板制作方法，其特征在于，所述将所述MicroLED从所述转移基板上转移到所述阵列基板的有机层上，具体包括：采用转运装置吸附所述保护层背离所述导电层的表面，将所述MicroLED从所述转移基板上转移到所述阵列基板上所述薄膜晶体管结构之外区域的有机层上。...

【专利技术属性】
技术研发人员：夏兴达，符鞠建，刘刚，
申请(专利权)人：上海天马微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31