一种叠层器件、清洗装置及方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种叠层器件、清洗装置及方法，属于半导体制造工艺技术领域。所述叠层器件包括：衬底及若干支撑柱；若干支撑柱固定设置在衬底上；支撑柱上设置有若干叠片；若干叠片均匀间隔设置在支撑柱上，若干叠片中每两个叠片之间相平行。本发明专利技术叠层器件、清洗装置及方法可以清洗叠层结构的各类深孔、深槽、侧壁凹槽、叠层间隙等清洗液不易于浸入的结构位置，完成有效清洗，不会对叠层结构造成损伤。

【技术实现步骤摘要】
一种叠层器件、清洗装置及方法
本专利技术涉及半导体制造工艺
，特别涉及一种叠层器件、清洗装置及方法。
技术介绍
近年来，非易失性存储(NVM)技术在许多方面都取得了一些重大的进展，为计算机系统的存储能效提升带来了新的契机，研究者们建议采用新型NVM技术来替代传统的存储技术，以适应计算机技术发展对高存储能效的需求。其中，三维闪存(3DNANDFlash)是革新性的半导体存储技术，通过增加存储叠层而非缩小器件二维尺寸实现存储密度增长，将半导体存储器的发展空间带入第三维度，成为未来实现存储器芯片容量可持续增长的关键。三维闪存的制造工艺中出现的叠层器件的结构中将出现较多的深孔、深槽、侧壁凹槽、叠层间隙等结构特征。而一般的清洗工艺中，清洗液在表面张力的作用下很难有效的渗入到这类深孔、深槽、侧壁凹槽、叠层间隙等结构中完成对残余颗粒等杂质的有效清洗，将直接降低对器件结构的湿法清洗工艺效率。
技术实现思路
本专利技术提供一种叠层器件、清洗装置及方法，解决了或部分解决了现有技术中无法实现对叠层器件的有效清洗，降低清洗工艺效率的技术问题。为解决上述技术问题，本专利技术提供了一种叠层器件包括：衬底及若干支撑柱；若干所述支撑柱固定设置在所述衬底上；所述支撑柱上设置有若干叠片；若干所述叠片均匀间隔设置在所述支撑柱上，若干所述叠片中每两个叠片之间相平行。进一步地，所述衬底为硅片衬底。进一步地，所述支撑柱及叠片的材质均为硅晶圆。基于相同的专利技术构思，本专利技术还提供一种叠层器件的清洗装置包括：激光器及聚焦透镜；所述聚焦透镜设置在所述激光器与所述叠层器件之间；所述激光器的发射端对准所述聚焦透镜。进一步地，所述叠层器件的清洗装置还包括：第一驱动机构；所述第一驱动机构与所述激光器及聚焦透镜连接。进一步地，所述第一驱动机构包括：框架及油缸；所述框架上设置所述激光器及聚焦透镜；所述油缸的伸缩端与所述框架连接。进一步地，所述油缸的伸缩端与所述叠层器件平行。进一步地，所述叠层器件的清洗装置还包括：第二驱动机构；所述第二驱动机构与所述叠层器件的底部连接。基于相同的专利技术构思，本专利技术还提供一种叠层器件的清洗方法包括以下步骤：将所述叠层器件表面喷涂清洗液，使清洗液分布扩散；将所述叠层器件设置在所述清洗液内；将聚焦透镜设置在激光器与所述叠层器件之间；开启激光器，所述激光器发射高频脉冲激光，通过所述聚焦透镜聚焦到所述叠层器件的若干支撑柱之间的间隙形成激光聚焦作用点，所述激光聚焦作用点在所述清洗液的液面以下；所述支撑柱上的若干叠片之间形成若干切割沟道槽，所述高频脉冲激光冲击所述清洗液，连续作用所述清洗液，使所述清洗液浸入到所述切割沟道槽进行清洗；移动所述激光器或所述叠层器件，使所述激光聚焦作用点沿着切割沟道槽移动，移动位置覆盖所有切割沟道槽，完成所述叠层器件的清洗。本申请实施例中提供的一个或多个技术方案，至少具有如下技术效果或优点：将叠层器件表面喷涂清洗液，使清洗液分布扩散，将叠层器件设置在清洗液内，将聚焦透镜设置在激光器与叠层器件之间，开启激光器，激光器发射高频脉冲激光，通过聚焦透镜聚焦到叠层器件的若干支撑柱之间的间隙形成激光聚焦作用点，激光聚焦作用点在清洗液的液面以下，支撑柱上的若干叠片之间形成切若干割沟道槽，高频脉冲激光冲击清洗液，连续作用清洗液，使清洗液浸入到切割沟道槽进行清洗，移动激光器或叠层器件的衬底，使激光聚焦作用点沿着切割沟道槽移动，移动位置覆盖所有切割沟道槽，高频脉冲激光冲击清洗液形成冲击波，冲击波将促使清洗液扩散，有利于清洗液浸入叠层器件，如叠层结构的各类深孔、深槽、侧壁凹槽、叠层间隙等清洗液不易于浸入的结构位置，采用高频率脉冲激光连续作用清洗液，将在清洗液内产生周期性的冲击波，持续浸入半导体器件结构并完成有效清洗，不会对叠层结构造成损伤。附图说明图1为本专利技术实施例提供的叠层器件的结构示意图；图2为本专利技术实施例提供的叠层器件的清洗示意图。具体实施方式参见图1，本专利技术实施例提供的一种叠层器件包括：衬底1及若干支撑柱2。若干支撑柱2固定设置在衬底1上。支撑柱2上设置有若干叠片3。若干叠片3均匀间隔设置在支撑柱2上，若干叠片3中每两个叠片之间相平行。详细介绍衬底1的结构。详细介绍衬底1为硅片衬底，硅片是制作集成电路的重要材料，通过对硅片进行光刻、离子注入等手段，可以制成各种半导体器件，用硅片制成的芯片有着惊人的运算能力。科学技术的发展不断推动着半导体的发展，自动化和计算机等技术发展，使硅片(集成电路)这种高技术产品的造价已降到十分低廉的程度。支撑柱2及叠片3的结构。支撑柱2及叠片3的材质均为硅晶圆，硅晶圆(wafer)用来制造集成电路(IC)的载板，在上面布满晶粒，将晶粒切开后得到芯片，将芯片经过封装测试，制成集成电路。基于相同的专利技术构思，本专利技术还提供一种叠层器件的清洗装置包括：激光器4及聚焦透镜5。聚焦透镜5设置在激光器4与叠层器件之间。激光器4的发射端对准聚焦透镜5。本专利技术叠层器件的清洗装置还包括：第一驱动机构。第一驱动机构与激光器4及聚焦透镜5连接，用于带动激光器及聚焦透镜水平位移。详细介绍第一驱动机构的结构。第一驱动机构包括：框架及油缸。框架上固定设置激光器4及聚焦透镜5。具体地，在本实施方式中，框架上可通过螺栓固定设置激光器4及聚焦透镜5，在其它实施方式中，框架上可通过其它方式如轴销等固定设置激光器4及聚焦透镜5。油缸的伸缩端与框架固定连接。具体地，在本实施方式中，油缸的伸缩端可通过螺栓与框架固定连接，在其它实施方式中，油缸的伸缩端可通过其它方式如轴销等与框架固定连接。油缸的伸缩端与叠层器件平行，便于带动激光器4及聚焦透镜5水平移动。油缸的固定端可与外界设备连接。其中，油缸可以用气缸替代。本专利技术叠层器件的清洗装置还包括：第二驱动机构。第二驱动机构与叠层器件的底部固定连接。具体地，在本实施方式中，第二驱动机构可通过螺栓与叠层器件的底部固定连接，在其它实施方式中，第二驱动机构可通过其它方式如轴销等与叠层器件的底部固定连接。第二驱动机构用于叠层器件水平位移。第二驱动机构的动作端与叠层器件的底部固定连接，第二驱动部件的固定端与外界设备连接。其中，第二驱动机构可以使油缸，也可以是气缸。参见图2，基于相同的专利技术构思，本专利技术还提供一种叠层器件的清洗包括以下步骤：步骤1，将叠层器件表面喷涂清洗液，使清洗液分布扩散。步骤2，将叠层器件设置在清洗液内。步骤3，将聚焦透镜5设置在激光器4与叠层器件之间。步骤4，开启激光器4，激光器4发射高频脉冲激光，通过聚焦透镜5聚焦到叠层器件的若干支撑柱2之间的间隙形成激光聚焦作用点，激光聚焦作用点在清洗液的液面以下。步骤5，支撑柱2上的若干叠片3之间形成若干切割沟道槽，高频脉冲激光冲击清洗液，连续作用清洗液，使清洗液浸入到切割沟道槽进行清洗。步骤6，移动激光器4或叠层器件的衬底1，使激光聚焦作用点沿着切割沟道槽移动，移动位置覆盖所有切割沟道槽，完成叠层器件的清洗。为了更清楚本专利技术实施例，下面从本专利技术实施例的使用方法上予以介绍。将若干支撑柱2固定设置在衬底1上，支撑柱2上设置有若干叠片3，若干叠片3均匀间隔设置在支撑柱2上，若干叠片3中每两个叠片之间相平行，若干叠片中每两个叠片之间形成切割沟道槽。聚焦透镜5设置在激光器4与本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种叠层器件，其特征在于，包括：衬底及若干支撑柱；若干所述支撑柱固定设置在所述衬底上；所述支撑柱上设置有若干叠片；若干所述叠片均匀间隔设置在所述支撑柱上，若干所述叠片中每两个叠片之间相平行。

【技术特征摘要】
1.一种叠层器件，其特征在于，包括：衬底及若干支撑柱；若干所述支撑柱固定设置在所述衬底上；所述支撑柱上设置有若干叠片；若干所述叠片均匀间隔设置在所述支撑柱上，若干所述叠片中每两个叠片之间相平行。2.根据权利要求1所述的叠层器件，其特征在于：所述衬底为硅片衬底。3.根据权利要求1所述的叠层器件，其特征在于：所述支撑柱及叠片的材质均为硅晶圆。4.一种叠层器件的清洗装置，其特征在于，包括：激光器及聚焦透镜；所述聚焦透镜设置在所述激光器与所述叠层器件之间；所述激光器的发射端对准所述聚焦透镜。5.根据权利要求4所述的叠层器件的清洗装置，其特征在于，所述叠层器件的清洗装置还包括：第一驱动机构；所述第一驱动机构与所述激光器及聚焦透镜连接。6.根据权利要求5所述的叠层器件的清洗装置，其特征在于，所述第一驱动机构包括：框架及油缸；所述框架上设置所述激光器及聚焦透镜；所述油缸的伸缩端与所述框架连接。7.根据权利要求6所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：兰慧，丁建军，齐卉，孙超，
申请(专利权)人：江汉大学，
类型：发明
国别省市：湖北,42