一种溅射靶材的清洁方法及装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种溅射靶材的清洁方法及清洁装置，该清洁方法包括利用海绵砂块的第一面对靶材的溅射面的第一区域进行第一次打磨，去除第一区域的氧化物；对第一次打磨过程中产生的打磨杂质进行第一静电吸附，去除第一次打磨过程中产生的打磨杂质；利用海绵砂块的第二面对靶材的溅射面进行第二次打磨，海绵砂块第二面的粗糙度小于海绵砂块第一面的粗糙度；对第二次打磨过程中产生的打磨杂质进行第二静电吸附，去除第二次打磨过程中产生的打磨杂质；对靶材进行烘烤；对靶材的溅射面进行等离子处理，对靶材的溅射面进行第三次打磨。通过该方法清洁靶材，可以获得更加平整的表面，避免出现尖端放电现象，并且不会造成车间污染。

A Cleaning Method and Device for Sputtering Targets

The invention discloses a cleaning method and a cleaning device for sputtering target material. The cleaning method includes first polishing of the first face of sponge sand block on the first area of the sputtering surface of target material to remove oxide in the first area, first electrostatic adsorption of polishing impurities generated during the first polishing process to remove polishing impurities generated during the first polishing process, and utilization of the polishing impurities generated during the first polishing process. The second surface of sponge sand is polished for the second time, and the roughness of the second surface of sponge sand is less than that of the first surface of sponge sand; the second electrostatic adsorption is carried out to remove the polishing impurities produced in the second polishing process; the target is baked; the sputtering surface of the target is plasma treated, and the target is polished. The sputtering surface of the material is polished for the third time. By this method, the target can be cleaned to obtain a smoother surface, avoid the phenomenon of tip discharge, and do not cause workshop pollution.

【技术实现步骤摘要】
一种溅射靶材的清洁方法及装置
本专利技术涉及靶材清洁
，特别是涉及一种溅射靶材的清洁方法及装置。
技术介绍
在磁控溅射镀膜过程中，随时镀膜时间的累积，会在靶材表面累积形成一些从几微米到几毫米的颗粒，如果不对所述靶材进行清洁保养，去除所述靶材表面产生的这些颗粒，会影响镀膜质量，而且，随着靶材表面颗粒附着量的增加，会在靶材表面产生结瘤，本领域称之为靶材中毒现象，导致靶材报废，影响靶材的使用寿命。因此，如何对溅射靶材进行清洁，以延长靶材的使用寿命，成为本领域技术人员亟待解决的问题。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种溅射靶材的清洁方法及装置，以解决现有技术中清洁靶材表面时，在靶材表面产生划痕影响镀膜质量的问题，并且清洁过程中产生的粉尘造成车间污染的问题。为解决上述技术问题，本专利技术提供了以下技术方案：一种溅射靶材的清洁方法，包括：利用海绵砂块的第一面对靶材的溅射面的第一区域进行第一次打磨，去除所述第一区域的氧化物；对所述第一次打磨过程中产生的打磨杂质进行第一静电吸附，去除所述第一次打磨过程中产生的打磨杂质；利用所述海绵砂块的第二面对所述靶材的溅射面进行第二次打磨，所述海绵砂块第二面的粗糙度小于所述海绵砂块第一面的粗糙度；对所述第二次打磨过程中产生的打磨杂质进行第二静电吸附，去除所述第二次打磨过程中产生的打磨杂质；对所述靶材进行烘烤；对所述靶材的溅射面进行等离子处理，对所述靶材的溅射面进行第三次打磨。可选的，该方法在利用所述海绵砂块的第二面对所述靶材的溅射面进行第二次打磨之后还包括：对所述靶材的溅射面进行擦拭，确认所述靶材的溅射面是否存在满足预设条件的划痕；如果所述靶材的溅射面存在满足预设条件的划痕，继续利用所述海绵砂块的第二面对所述靶材的溅射面进行第二次打磨；如果所述靶材的溅射面不存在满足预设条件的划痕，对所述第二次打磨过程中产生的打磨杂质进行第二静电吸附，去除所述第二次打磨过程中产生的打磨杂质。可选的，所述海绵砂块第一面具有多个凸起，所述海绵砂块的第一面单位英寸内的凸起的数量的取值范围为1500目-4000目，包括端点值。可选的，所述海绵砂块的制作方法包括：提供海绵层；在所述海绵层的第一表面形成粘合层，所述粘合层完全覆盖所述海绵层的第一表面；在所述粘合层背离所述海绵层一侧的表面固定磨料，以形成磨料层，其中，相邻磨料之间具有间隙，该间隙曝露所述粘合层部分表面；在所述粘合层背离所述海绵层一侧的间隙内形成覆胶层，所述覆胶层背离所述海绵层一侧的表面低于所述磨料层背离所述海绵层一侧的表面最高点；在所述磨料层背离所述粘合层一侧形成无机保护层，所述无机保护层完全覆盖所述磨料层和所述覆胶层背离所述海绵层一侧的裸露表面；在所述无机保护层背离所述海绵层一侧形成有机保护层。可选的，所述第一静电吸附的工作电压大于所述第二静电吸附的工作电压，和/或，所述第一静电吸附使用的过滤网的网孔大于所述第二静电吸附使用的过滤网的网孔。可选的，对所述靶材进行等离子处理包括：将所述靶材放在真空腔室中，向所述真空腔室中通入预设气体；给所述真空腔室施加预设磁场和第一电场第一预设时间，所述预设磁场用于电离所述预设气体，产生等离子，所述第一电场用于给所述等离子加速，控制所述等离子轰击所述靶材的溅射面；给所述真空腔室施加预设磁场和第二电场第二预设时间，所述预设磁场用于电离所述预设气体，产生等离子，所述第二电场用于给所述等离子加速，控制所述等离子轰击所述靶材的溅射面；其中，所述第二电场的电场强度大于所述第一电场的电场强度。可选的，给所述真空腔室施加预设磁场和第一电场第一预设时间之后，给所述真空腔室施加预设磁场和第二电场第二预设时间之前还包括：给所述真空腔室施加预设磁场和第三电场第三预设时间，所述第三电场用于给所述等离子加速，控制所述等离子轰击所述靶材的溅射面；其中，所述第三电场的电场强度大于所述第一电场的电场强度，且小于所述第二电场的电场强度。一种溅射靶材的清洁装置，包括：海绵砂块、传输装置、静电吸附装置和等离子处理装置；其中，所述海绵砂块具有第一面和第二面，其中，所述第一面用于对放置在所述传输装置上的所述靶材的溅射面的第一区域进行第一次打磨，去除所述第一区域的氧化物，所述第二面用于对所述靶材的溅射面进行第二次打磨，所述第二面的粗糙度小于所述第一面的粗糙度；所述静电吸附装置用于对所述第一次打磨和所述第二次打磨过程中产生的打磨杂质进行吸附；所述传输装置用于放置所述靶材，并在所述靶材经过所述第一次打磨和所述第二次打磨后，将所述靶材运输至所述等离子处理装置；所述等离子处理装置用于在所述传输装置将所述靶材运输至所述等离子处理装置中后，对所述靶材进行烘烤，并对所述靶材进行等离子处理，实现所述靶材的溅射面的第三次打磨。可选的，所述海绵砂块包括：海绵层；位于所述海绵层第一表面的粘合层；位于所述粘合层背离所述海绵层一侧的磨料层，所述磨料层包括多个磨料，相邻磨料之间具有间隙，曝露所述粘合层部分表面；位于相邻所述磨料之间，覆盖所述粘合层曝露表面的覆胶层；位于所述磨料层背离所述海绵层一侧的无机保护层；位于所述无机保护层背离所述海绵层一侧的有机保护层。可选的，所述磨料为金刚石颗粒、钻石颗粒、刚玉颗粒、石英颗粒、碳化硅颗粒或铬颗粒。可选的，所述无机保护层为Al2O3膜、Si3N4膜或MgF2膜。可选的，所述有机保护层为树脂层。可选的，所述静电吸附装置包括：相对设置的静电吸附过滤元件和活性炭过滤元件；位于静电吸附过滤元件和活性炭过滤元件之间的静电发生元件；位于所述活性炭过滤元件背离所述静电发生元件一侧的颗粒回收元件。可选的，所述等离子处理装置包括：真空腔室；位于所述真空腔室内的第一电极；位于所述真空腔室内所述第一电极表面的加热元件；与所述第一电极电连接的第一电压产生装置；位于所述真空腔室外，与所述第一电极相对的第二电极，所述第二电极具有多个沿预设方向贯穿所述第二电极的第一通孔；与所述第二电极电连接的第二电压产生装置；所述真空腔室具有多个沿预设方向贯穿所述真空腔室的第二通孔，所述第二通孔和所述第一通孔相连通，用于输入预设气体；对所述真空腔室抽真空的泵浦。本专利技术实施例所提供的溅射靶材清洁方法，先利用所述海绵砂块具有大粗糙度的第一面对所述靶材的溅射面进行打磨，以提高所述靶材的清洁效率，再利用所述海绵砂块具有小粗糙度的第二面对所述靶材的溅射面进行打磨，以提高所述靶材表面的平滑度，降低所述靶材表面发生尖端放电现象的概率，最后利用等离子处理，对所述靶材的溅射面进行进一步打磨，以去除微小划痕和凹坑，进一步提高所述靶材表面的平滑度，降低所述靶材表面发生尖端放电现象的概率。而且，本专利技术实施例所提供的溅射靶材清洁方法，利用静电吸附去除所述第一次打磨和第二次打磨过程中产生的打磨杂质，可以避免在去除所述第一次打磨和/或第二打磨过程中产生的打磨杂质时，所述打磨杂质逸散到清洁环境中，造成清洁环境的污染，从而保证了清洁环境的洁净度，而且，还降低了打磨杂质中有毒物质对人体的伤害。附图说明为了更清楚的说明本专利技术实施例或现有技术的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单的介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种溅射靶材的清洁方法，其特征在于，包括：利用海绵砂块的第一面对靶材的溅射面的第一区域进行第一次打磨，去除所述第一区域的氧化物；对所述第一次打磨过程中产生的打磨杂质进行第一静电吸附，去除所述第一次打磨过程中产生的打磨杂质；利用所述海绵砂块的第二面对所述靶材的溅射面进行第二次打磨，所述海绵砂块第二面的粗糙度小于所述海绵砂块第一面的粗糙度；对所述第二次打磨过程中产生的打磨杂质进行第二静电吸附，去除所述第二次打磨过程中产生的打磨杂质；对所述靶材进行烘烤；对所述靶材的溅射面进行等离子处理，对所述靶材的溅射面进行第三次打磨。

【技术特征摘要】
1.一种溅射靶材的清洁方法，其特征在于，包括：利用海绵砂块的第一面对靶材的溅射面的第一区域进行第一次打磨，去除所述第一区域的氧化物；对所述第一次打磨过程中产生的打磨杂质进行第一静电吸附，去除所述第一次打磨过程中产生的打磨杂质；利用所述海绵砂块的第二面对所述靶材的溅射面进行第二次打磨，所述海绵砂块第二面的粗糙度小于所述海绵砂块第一面的粗糙度；对所述第二次打磨过程中产生的打磨杂质进行第二静电吸附，去除所述第二次打磨过程中产生的打磨杂质；对所述靶材进行烘烤；对所述靶材的溅射面进行等离子处理，对所述靶材的溅射面进行第三次打磨。2.根据权利要求1所述的清洁方法，其特征在于，该方法在利用所述海绵砂块的第二面对所述靶材的溅射面进行第二次打磨之后还包括：对所述靶材的溅射面进行擦拭，确认所述靶材的溅射面是否存在满足预设条件的划痕；如果所述靶材的溅射面存在满足预设条件的划痕，继续利用所述海绵砂块的第二面对所述靶材的溅射面进行第二次打磨；如果所述靶材的溅射面不存在满足预设条件的划痕，对所述第二次打磨过程中产生的打磨杂质进行第二静电吸附，去除所述第二次打磨过程中产生的打磨杂质。3.根据权利要求1所述的清洁方法，其特征在于，所述海绵砂块第一面具有多个凸起，所述海绵砂块的第一面单位英寸内的凸起的数量的取值范围为1500目-4000目，包括端点值。4.根据权利要求1所述的清洁方法，其特征在于，所述海绵砂块的制作方法包括：提供海绵层；在所述海绵层的第一表面形成粘合层，所述粘合层完全覆盖所述海绵层的第一表面；在所述粘合层背离所述海绵层一侧的表面固定磨料，以形成磨料层，其中，相邻磨料之间具有间隙，该间隙曝露所述粘合层部分表面；在所述粘合层背离所述海绵层一侧的间隙内形成覆胶层，所述覆胶层背离所述海绵层一侧的表面低于所述磨料层背离所述海绵层一侧的表面最高点；在所述磨料层背离所述粘合层一侧形成无机保护层，所述无机保护层完全覆盖所述磨料层和所述覆胶层背离所述海绵层一侧的裸露表面；在所述无机保护层背离所述海绵层一侧形成有机保护层。5.根据权利要求1所述的清洁方法，其特征在于，所述第一静电吸附的工作电压大于所述第二静电吸附的工作电压，和/或，所述第一静电吸附使用的过滤网的网孔大于所述第二静电吸附使用的过滤网的网孔。6.根据权利要求1所述的清洁方法，其特征在于，对所述靶材进行等离子处理包括：将所述靶材放在真空腔室中，向所述真空腔室中通入预设气体；给所述真空腔室施加预设磁场和第一电场第一预设时间，所述预设磁场用于电离所述预设气体，产生等离子，所述第一电场用于给所述等离子加速，控制所述等离子轰击所述靶材的溅射面；给所述真空腔室施加预设磁场和第二电场第二预设时间，所述预设磁场用于电离所述预设气体，产生等离子，所述第二电场用于给所述等离子加速，控制所述等离子轰击所述靶材的溅射面；其中，所述第二电场的电场强度大于所述第一电场的电场强度。7.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘伟，刘伟文，陈丹丹，林海华，彭绍文，
申请(专利权)人：厦门乾照光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：福建,35