用于电子器件的冷却组件制造技术

技术编号:20247247 阅读:24 留言:0更新日期:2019-01-30 00:52
本发明专利技术涉及用于电子器件的冷却组件。根据本发明专利技术的一些方面,公开了用于电子器件的冷却组件。示例性冷却组件包括具有第一表面和与第一表面相对的第二表面的电路板、第一组的电子器件、第二组的电子器件和第三组的电子器件。每组的电子器件包括至少两个电子器件,所述至少两个电子器件并联电联接并设置在电路板的第一表面上。所述第一组中的至少一个电子器件与所述第二组中的一个电子器件相邻并且与所述第三组中的一个电子器件相邻。该冷却组件还包括设置在所述电路板的第二表面上的散热器。散热器与第一组的电子器件、第二组的电子器件和第三组的电子器件热接触。

【技术实现步骤摘要】
用于电子器件的冷却组件
本专利技术涉及用于电子器件的冷却组件。
技术介绍
本部分提供与本专利技术相关的背景信息,该背景信息不一定是现有技术。电子器件通常用在供电电源中的电路板上。散热器通常用于消散电子器件产生的不需要的热。
技术实现思路
本部分提供了本专利技术的总体概述,并不是其全部范围或其全部特征的全面公开。根据本专利技术的一方面,一种用于电子器件的冷却组件包括电路板,所述电路板具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面、第一组的电子器件、第二组的电子器件以及第三组的电子器件。每组的电子器件包括至少两个电子器件,所述至少两个电子器件并联电联接并设置在所述电路板的第一表面上。所述第一组的电子器件中的至少一个电子器件与所述第二组的电子器件中的一个电子器件相邻并且与所述第三组的电子器件中的一个电子器件相邻。所述冷却组件还包括设置在所述电路板的第二表面上的散热器。所述散热器与第一组的电子器件、第二组的电子器件和第三组的电子器件热接触。根据本专利技术的另一方面,一种用于电子器件的冷却组件包括电路板,所述电路板具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面、第一组的电子器件、第二组的电子器件以及第三组的电子器件。每组的电子器件包括至少两个电子器件,所述至少两个电子器件并联电联接并设置在所述电路板的第一表面上。所述冷却组件还包括设置在电路板的第二表面上的散热器。所述散热器包括与所述第一组的电子器件热接触的第一散热器部分、与所述第二组的电子器件热接触的第二散热器部分、与所述第三组的电子器件热接触的第三散热器部分、与三个所述散热器部分热接触的翅片结构、以及设置在翅片结构和所述三个散热器部分之间以将所述三个散热器部分彼此电隔离的电绝缘层。概述1、一种用于冷却电子器件的冷却组件,所述冷却组件包括:电路板,所述电路板具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面;第一组的电子器件、第二组的电子器件以及第三组的电子器件,每组的电子器件包括至少两个电子器件,所述至少两个电子器件并联电联接并设置在所述电路板的所述第一表面上,所述第一组的电子器件中的至少一个电子器件与所述第二组的电子器件中的一个电子器件相邻并且与所述第三组的电子器件中的一个电子器件相邻;和散热器,所述散热器设置在所述电路板的所述第二表面上,所述散热器与所述第一组的电子器件、所述第二组的电子器件和所述第三组的电子器件热接触。概述2、根据概述1所述的冷却组件,其中,所述电子器件以基本线性布置设置在所述电路板上。概述3、根据概述1或2所述的冷却组件,其中,所述第二组的电子器件中的所述一个电子器件和所述第三组的电子器件中的所述一个电子器件在所述电路板上与所述第一组的电子器件中的所述至少一个电子器件的相对侧相邻布置。概述4、根据概述1至3中任一项所述的冷却组件,其中,每组的所述电子器件包括第三电子器件。概述5、根据概述1至4中任一项所述的冷却组件,其中,对于每个所述电子器件,所述电路板包括在所述第一表面和所述第二表面之间的一个或多个通孔,以促进所述电子器件与所述散热器之间的热接触。概述6、根据概述1至5中任一项所述的冷却组件,其中,所述电子器件中的至少一者包括开关器件。概述7、根据概述6所述的冷却组件,其中,所述开关器件包括金属氧化物半导体场效应晶体管,并且所述金属氧化物半导体场效应晶体管的漏极与所述散热器热接触。概述8、根据概述1至7中任一项所述的冷却组件,其中,所述第一组的电子器件在所述电路板上与所述第二组的电子器件和所述第三组的电子器件电隔离。概述9、根据概述1至8中任一项所述的冷却组件,其中,所述散热器包括与所述第一组的电子器件热接触的第一散热器部分、与所述第二组的电子器件热接触的第二散热器部分、以及与所述第三组的电子器件热接触的第三散热器部分。概述10、根据概述9所述的冷却组件,其中,所述第一散热器部分、所述第二散热器部分和所述第三散热器部分彼此电隔离。概述11、根据概述9或10所述的冷却组件,其中,所述散热器包括与所述第一散热器部分、所述第二散热器部分和所述第三散热器部分热接触的翅片结构,以促进从所述第一散热器部分、所述第二散热器部分和所述第三散热器部分散热。概述12、根据概述9至11中任一项所述的冷却组件,其中,所述散热器包括设置在所述翅片结构与所述第一散热器部分、所述第二散热器部分和所述第三散热器部分之间的电绝缘层。概述13、根据概述9至12中任一项所述的冷却组件,其中,每个所述散热器部分包括多个板接触表面,所述多个板接触表面中的每个板接触表面与所述电路板的与所述电子器件中的相应一个电子器件相对的所述第二表面热接触。概述14、根据概述13所述的冷却组件,其中,所述第一散热器部分的所述多个板接触表面中的至少一个板接触表面与所述第二散热器部分的所述多个板接触表面中的一个板接触表面和所述第三散热器部分的所述多个板接触表面中的一个板接触表面相邻。概述15、根据概述1至14中任一项所述的冷却组件,其中,所述散热器包括至少两个突起,每个所述突起被容纳在所述电路板的所述第二表面上的多个引导件中的相应一个引导件上,以促进所述散热器与所述电路板的所述第一表面上的相应电子器件对准。概述16、根据概述1至15中任一项所述的冷却组件,其中,所述电子器件中的至少一个电子器件包括非绝缘电子器件。概述17、一种电源,包括:根据概述1至16中任一项所述的冷却组件;具有初级绕组和次级绕组的第一变压器;具有初级绕组和次级绕组的第二变压器;和输出扼流电感器,其中:所述第一组的所述至少两个电子器件分别包括联接在所述第一变压器的次级绕组与所述第三组的所述至少两个电子器件之间的正向场效应晶体管;所述第二组的所述至少两个电子器件分别包括联接在所述第二变压器的次级绕组与所述第三组的所述至少两个电子器件之间的正向场效应晶体管;和所述第三组的所述至少两个电子器件分别包括联接至所述输出扼流电感器的飞轮场效应晶体管。概述18、一种用于电子器件的冷却组件,所述冷却组件包括:电路板,所述电路板具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面;第一组的电子器件、第二组的电子器件以及第三组的电子器件,每组的电子器件包括至少两个电子器件,所述至少两个电子器件并联电联接并设置在所述电路板的所述第一表面上;和散热器,所述散热器设置在所述电路板的所述第二表面上,所述散热器包括与所述第一组的电子器件热接触的第一散热器部分、与所述第二组的电子器件热接触的第二散热器部分、与所述第三组的电子器件热接触的第三散热器部分、与三个所述散热器部分热接触的翅片结构、以及设置在所述翅片结构与所述三个散热器部分之间以使所述三个散热器部分彼此电隔离的电绝缘层。概述19、根据概述18所述的冷却组件,其中,每组的电子器件包括第三电子器件。概述20、根据概述18或19所述的冷却组件,其中,对于每个所述电子器件,所述电路板包括在所述第一表面和所述第二表面之间的一个或多个通孔,以促进所述电子器件与所述散热器之间的热接触。概述21、根据概述18至20中任一项所述的冷却组件,其中,至少一个所述电子器件包括金属氧化物半导体场效应晶体管,并且所述金属氧化物半导体场效应晶体管的漏极与所述散热器热接触。概述22、根据概述18至21中任一项所述的冷却组件,其中,每个所述散热器部分包括多个板接触表面,本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于冷却电子器件的冷却组件,所述冷却组件包括:电路板,所述电路板具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面;第一组的电子器件、第二组的电子器件以及第三组的电子器件,每组的电子器件包括至少两个电子器件,所述至少两个电子器件并联电联接并设置在所述电路板的所述第一表面上,所述第一组的电子器件中的至少一个电子器件与所述第二组的电子器件中的一个电子器件相邻并且与所述第三组的电子器件中的一个电子器件相邻;和散热器,所述散热器设置在所述电路板的所述第二表面上,所述散热器与所述第一组的电子器件、所述第二组的电子器件和所述第三组的电子器件热接触。

【技术特征摘要】
2017.07.20 US 15/655,5151.一种用于冷却电子器件的冷却组件,所述冷却组件包括:电路板,所述电路板具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面;第一组的电子器件、第二组的电子器件以及第三组的电子器件,每组的电子器件包括至少两个电子器件,所述至少两个电子器件并联电联接并设置在所述电路板的所述第一表面上,所述第一组的电子器件中的至少一个电子器件与所述第二组的电子器件中的一个电子器件相邻并且与所述第三组的电子器件中的一个电子器件相邻;和散热器,所述散热器设置在所述电路板的所述第二表面上,所述散热器与所述第一组的电子器件、所述第二组的电子器件和所述第三组的电子器件热接触。2.根据权利要求1所述的冷却组件,其中,所述电子器件以基本线性布置设置在所述电路板上。3.根据权利要求1或2所述的冷却组件,其中,所述第二组的电子器件中的所述一个电子器件和所述第三组的电子器件中的所述一个电子器件在所述电路板上与所述第一组的电子器件中的...

【专利技术属性】
技术研发人员:陈又维蓝祎恺周士杰
申请(专利权)人:雅达电子国际有限公司
类型:发明
国别省市:中国香港,81

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