一种倒装LED芯片及其制作方法技术

本发明专利技术提供了一种倒装LED芯片及其制作方法，包括衬底、位于所述衬底一侧的发光结构层以及位于所述衬底相对的另一侧的半透半反层；所述发光结构层包括第一半导体层、发光层和第二半导体层；所述半透半反层用于透射所述发光层出射的部分光线，并反射所述发光层出射的部分光线。因此，发光层出射的光线透过衬底入射到半透半反层上后，部分光线会被半透半反层透射，从倒装LED芯片的衬底底面出射，部分光线会被半透半反层反射，从倒装LED芯片的侧面出射，从而使得倒装LED芯片侧面的出光增多，使得倒装LED芯片的出光角度增大。

An Inverted LED Chip and Its Fabrication Method

The invention provides a flip-chip LED chip and its fabrication method, including a substrate, a light-emitting structure layer on one side of the substrate and a semi-translucent semi-reverse layer on the opposite side of the substrate; the light-emitting structure layer comprises a first semiconductor layer, a light-emitting layer and a second semiconductor layer; the semi-translucent semi-reflective layer is used to transmit part of the light emitted by the light-emitting layer and reflect the said light. Part of the light coming out of the luminous layer. Therefore, when the light emitted from the light emitting layer passes through the substrate to the semi-transparent and semi-reflective layer, part of the light will be transmitted by the semi-transparent and semi-reflective layer, and part of the light will be reflected by the semi-transparent and semi-reflective layer on the bottom of the substrate of the flip-chip, which will increase the light emitted from the side of the flip-chip and increase the light emitted angle of the flip-chip.

【技术实现步骤摘要】
一种倒装LED芯片及其制作方法
本专利技术涉及半导体
，更具体地说，涉及一种倒装LED芯片及其制作方法。
技术介绍
LED(LightEmittingDiode，发光二极管)芯片具有亮度高、寿命长、体积小和耗电量低等优点，因此，已经成为新一代的照明工具。现有的LED芯片主要包括正装结构、倒装结构和垂直结构，倒装结构由于具有尺寸小、电流大、寿命长等优点，已经受到了人们的广泛关注。虽然现有的倒装LED芯片的衬底底面和侧面都能出光，但是，大部分光线都是从衬底底面出射的，侧面出光较少，导致倒装LED芯片的出光角度较小。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提供了一种倒装LED芯片及其制作方法，以提高倒装LED芯片的出光角度。为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种倒装LED芯片，包括衬底、位于所述衬底一侧的发光结构层以及位于所述衬底相对的另一侧的半透半反层；所述发光结构层包括第一半导体层、发光层和第二半导体层；所述半透半反层用于透射所述发光层出射的部分光线，并反射所述发光层出射的部分光线。可选地，所述半透半反层包括金属层和分布式布拉格反射层中的一种或多种。可选地，所述半透半反层包括金属层，所述金属层靠近所述衬底的一侧表面为散射面；所述散射面包括凹凸不平的表面。可选地，所述半透半反层具有多个贯穿所述半透半反层的通孔，所述多个通孔间隔分布。可选地，所述衬底背离所述发光结构层的一侧表面具有多个凹槽，所述多个凹槽间隔分布；所述半透半反层位于所述凹槽内；或者，所述半透半反层包括第一半透半反层和第二半透半反层，所述第一半透半反层位于所述凹槽内，所述第二半透半反层位于所述凹槽之间的区域，且所述第二半透半反层的反射率大于所述第一半透半反层的反射率。一种倒装LED芯片的制作方法，包括：提供衬底；在所述衬底的一侧形成发光结构层，所述发光结构层包括第一半导体层、发光层和第二半导体层；在所述衬底相对的另一侧形成半透半反层，以使所述半透半反层透射所述发光层出射的部分光线，并反射所述发光层出射的部分光线。可选地，所述半透半反层包括金属层，在所述衬底相对的另一侧形成半透半反层包括：在所述衬底相对的另一侧形成金属层，并在所述金属层靠近所述衬底的一侧表面形成散射面，所述散射面包括凹凸不平的表面。可选地，在所述衬底相对的另一侧形成半透半反层之后，还包括：在所述半透半反层上形成多个贯穿所述半透半反层的通孔，所述多个通孔间隔分布。可选地，在所述衬底相对的另一侧形成半透半反层包括：在所述衬底背离所述发光结构层的一侧表面形成多个凹槽，所述多个凹槽间隔分布；在所述凹槽内形成半透半反层。可选地，还包括：在所述凹槽之间的区域形成第二半透半反层；所述凹槽内的半透半反层为第一半透半反层，所述第二半透半反层的反射率大于所述第一半透半反层的反射率。与现有技术相比，本专利技术所提供的技术方案具有以下优点：本专利技术所提供的倒装LED芯片及其制作方法，衬底背离发光结构层一侧具有半透半反层，因此，发光结构层中的发光层出射的光线透过衬底入射到半透半反层上后，部分光线会被半透半反层透射，从倒装LED芯片的衬底底面出射，部分光线会被半透半反层反射，从倒装LED芯片的侧面出射，从而使得倒装LED芯片侧面的出光增多，使得倒装LED芯片的出光角度增大。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。图1为本专利技术实施例提供的一种倒装LED芯片的结构示意图；图2为本专利技术实施例提供的另一种倒装LED芯片的结构示意图；图3为本专利技术实施例提供的另一种倒装LED芯片的结构示意图；图4为本专利技术实施例提供的另一种倒装LED芯片的结构示意图；图5为本专利技术实施例提供的另一种倒装LED芯片的结构示意图；图6为本专利技术实施例提供的另一种倒装LED芯片的结构示意图；图7为本专利技术实施例提供的一种倒装LED芯片的制作方法的流程图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。本专利技术实施例提供了一种倒装LED芯片，如图1所示，包括衬底1、位于衬底1一侧的发光结构层2以及位于衬底1相对的另一侧的半透半反层3。其中，发光结构层2包括第一半导体层20、发光层21和第二半导体层22。半透半反层3用于透射发光层21出射的部分光线，并反射发光层21出射的部分光线。当然，该倒装LED芯片还包括位于第一半导体层20上的第一电极5和位于第二半导体层22上的第二电极4，在此不再赘述。当向第一电极5和第二电极4加电时，发光层21发光，并且，发光层21发出的部分光线经过衬底1和半透半反层3透射后，从倒装LED芯片的底面出射，发光层21发出的部分光线经过衬底1透射和半透半反层3反射后，从倒装LED芯片的侧面出射，从而可以增加倒装LED芯片的侧面的出光量，进而可以增加倒装LED芯片的出光角度。可选地，本专利技术实施例中半透半反层3的反射率在5％～90％的范围内、透射率也在5％～90％的范围内，并且，透射率和反射率的和等于1。在实际应用中，可以调整半透半反层3的厚度等参数，调整半透半反层3的反射率和透射率，以使其能够应用在不同应用场景中的倒装LED芯片上。需要说明的是，本专利技术实施例中的第一半导体层20可以为N型半导体层，第二半导体层22为P型半导体层，第一电极5为N电极，第二电极4为P电极。进一步地，第一半导体层20和第二半导体层22的材料可以为氮化镓，第一电极5和第二电极4的材料可以为金属，如铝等，当然，本专利技术并不仅限于此。可选地，本专利技术实施例中的半透半反层3包括金属层和分布式布拉格反射层(distributedBraggreflection，DBR反射层)中的一种或多种。也就是说，本专利技术实施例中的半透半反层3可以为金属层，例如，铝、银以及银的合金等具有高反射率的金属层，也可以为分布式布拉格反射层，也可以包括交替排布的金属层和DBR反射层，当然，本专利技术并不仅限于此。当半透半反层3包括金属层时，可选地，金属层靠近衬底1的一侧表面为散射面，以进一步增大半透半反层3反射的光线的角度，进一步增大倒装LED芯片的出光角度。可选地，如图2所示，散射面包括凹凸不平的粗糙的表面。图2所示的结构中，金属层靠近衬底1的一侧表面具有多个间隔分布的凹陷或凸起，以使该表面形成凹凸不平的表面，并且，凹陷或凸起的形状为梯形，但是，本专利技术并不仅限于此，在其他实施例中，凹陷或凸起的形状还可以为方形、圆形或三角形等。此外，当金属层和衬底1之间的粘着性较差时，如图3所示，衬底1和金属层之间还可以具有粘着层6，以通过粘着层6增大衬底1和金属层之间的粘性，增加倒装LED芯片的结构稳定性。可选地，该粘着层6的材质为金属，当然，本专利技术并不仅限于此，在其他实施例中，该粘着层6的材质还可以是其他不影响光透过率的粘性材料等。可选地，本专利技术实施例中的金属层的厚度大于0本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种倒装LED芯片，其特征在于，包括衬底、位于所述衬底一侧的发光结构层以及位于所述衬底相对的另一侧的半透半反层；所述发光结构层包括第一半导体层、发光层和第二半导体层；所述半透半反层用于透射所述发光层出射的部分光线，并反射所述发光层出射的部分光线。

【技术特征摘要】
1.一种倒装LED芯片，其特征在于，包括衬底、位于所述衬底一侧的发光结构层以及位于所述衬底相对的另一侧的半透半反层；所述发光结构层包括第一半导体层、发光层和第二半导体层；所述半透半反层用于透射所述发光层出射的部分光线，并反射所述发光层出射的部分光线。2.根据权利要求1所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述半透半反层包括金属层和分布式布拉格反射层中的一种或多种。3.根据权利要求2所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述半透半反层包括金属层，所述金属层靠近所述衬底的一侧表面为散射面；所述散射面包括凹凸不平的表面。4.根据权利要求1或2所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述半透半反层具有多个贯穿所述半透半反层的通孔，所述多个通孔间隔分布。5.根据权利要求1所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述衬底背离所述发光结构层的一侧表面具有多个凹槽，所述多个凹槽间隔分布；所述半透半反层位于所述凹槽内；或者，所述半透半反层包括第一半透半反层和第二半透半反层，所述第一半透半反层位于所述凹槽内，所述第二半透半反层位于所述凹槽之间的区域，且所述第二半透半反层的反射率大于所述第一半透半反层的反射率。6.一种倒装LED芯片...

【专利技术属性】
技术研发人员：柯志杰，李希，陈冬芳，张伟强，林志伟，
申请(专利权)人：厦门乾照光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：福建,35