一种测试标片制作方法及测试标片技术

技术编号:20245099 阅读:118 留言:0更新日期:2019-01-30 00:06
本发明专利技术涉及晶体硅太阳能电池制造领域,尤其涉及一种测试标片制作方法及测试标片。其中,测试标片制作方法包括:对硅片的双面进行制绒;对硅片的正面进行扩散;对硅片的双面进行边缘刻蚀;在硅片的正面印刷细栅;对硅片进行一次烧结;对硅片的正面镀减反膜;在硅片的背面印刷背极;在硅片的背面印刷背场;在硅片的正面印刷主栅;对硅片进行二次烧结。通过在镀减反膜之前先进行细栅的印刷和一次烧结,在镀减反膜之后进行主栅的印刷和二次烧结,测试标片在使用的过程中能够减少细栅与外界氧气的接触,避免细栅的磨损,从而降低测试标片在使用过程中的衰减,延长测试标片的使用寿命。

A Method of Making Test Label and Testing Label

The invention relates to the field of manufacturing crystalline silicon solar cells, in particular to a method for making test labels and a test label. Among them, the fabrication methods of test labels include: making wool on both sides of silicon wafer; diffusing on the front of silicon wafer; etching on both sides of silicon wafer; printing fine grids on the front of silicon wafer; sintering on silicon wafer once; plating anti-reflection film on the front of silicon wafer; printing on the back of silicon wafer; printing on the back of silicon wafer; printing main grids on the front of silicon wafer; printing on the back of silicon wafer wafer. The sheet was sintered twice. By printing and sintering the fine grids before anti-reflective coating, printing and sintering the main grids after anti-reflective coating, the contact between the fine grids and the external oxygen can be reduced and the wear of the fine grids can be avoided in the process of using the test markers, thus reducing the attenuation of the test markers in the process of using and prolonging the service life of the test markers.

【技术实现步骤摘要】
一种测试标片制作方法及测试标片
本专利技术涉及晶体硅太阳能电池制造领域,尤其涉及一种测试标片制作方法及测试标片。
技术介绍
光电转换效率是太阳能电池的重要产品指标,太阳能电池制造商会在太阳能电池片出厂前对此指标进行测试,获得的效率称为出厂效率,根据不同的出厂效率以不同的价格卖给购买商。购买商在收到产品后,也会对太阳能电池进行效率测试,所测得效率称为检验效率,如果检验效率与出厂效率不符合,便会引起制造商和购买商之间的纠纷。所以太阳能电池效率测试的准确性在光伏行业中起着十分重要的作用。获得光电转换效率的方式如下:准备一张太阳能电池测试标片,通过调整测试机的光强、温度补偿系数等参数,使标片的测试值等于其标称效率,从而完成测试机的校准。然而,随着太阳能电池测试标片的使用次数增多,其上设置的细栅不断的磨损及氧化,标片的测试效率发生衰减,使测试效率偏离标称效率,造成测试标片的使用寿命较短。
技术实现思路
本专利技术的一个目的是提出一种测试标片制作方法,用来解决测试标片使用寿命短的问题。本专利技术的另一个目的是提出一种测试标片,用来解决现有的测试标片使用寿命短的问题。为达此目的,本专利技术采用以下技术方案:一种测试标片制作方法,包括以下步骤:步骤A:对硅片的双面进行制绒;步骤B:对步骤A处理后的硅片的正面进行扩散;步骤C:对步骤B处理后的硅片的双面进行边缘刻蚀;步骤D:在步骤C处理后的硅片的正面印刷细栅;步骤E:对步骤D处理后的硅片进行一次烧结;步骤F:对步骤E处理后的硅片的正面镀减反膜;步骤G:在步骤F处理后的硅片的背面印刷背极;步骤H:在步骤G处理后的硅片的背面印刷背场;步骤I:在步骤H处理后的硅片的正面印刷主栅;步骤J:对步骤I处理后的硅片进行二次烧结。作为一种测试标片制作方法的优选方案,步骤D中印刷所述细栅的浆料为非烧穿型浆料。作为一种测试标片制作方法的优选方案,步骤D在印刷所述细栅的同时还印刷定位点,所述定位点用于印刷所述主栅时的定位。作为一种测试标片制作方法的优选方案,步骤D中印刷的所述细栅为多条,多条所述细栅平行设置。作为一种测试标片制作方法的优选方案,步骤I中印刷的所述主栅与步骤D中印刷的所述细栅相垂直。作为一种测试标片制作方法的优选方案,步骤I中印刷所述主栅的浆料为烧穿型浆料。作为一种测试标片制作方法的优选方案,步骤F中的所述减反膜为氮化硅的薄膜。一种测试标片,应用如上所述的测试标片制作方法制成。作为一种测试标片的优选方案,包括硅片,所述硅片的正面由下至上依次设置有细栅、减反膜以及主栅,所述细栅与所述主栅相连接。作为一种测试标片的优选方案,所述细栅的外部包裹有减反膜,所述细栅与所述主栅接触处无减反膜,实现所述细栅与所述主栅的连接。本专利技术的有益效果为:本专利技术中测试标片制作方法通过在镀减反膜之前先进行细栅的印刷和一次烧结,在镀减反膜之后进行主栅的印刷和二次烧结,测试标片在使用的过程中能够减少细栅与外界氧气的接触,避免细栅的磨损,从而降低测试标片在使用过程中的衰减,延长测试标片的使用寿命。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案,下面将对本专利技术实施例描述中所需要使用的附图作简单的介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据本专利技术实施例的内容和这些附图获得其他的附图。图1是本专利技术提供的测试标片制作方法的流程图;图2是本专利技术提供的测试标片的剖视图;图3是现有技术中的测试标片的剖视图;图4是测试标片的俯视图。图中标记如下:1′-细栅;2′-减反膜;4′-硅片;1-细栅;2-减反膜;3-主栅;4-硅片;5-定位点。具体实施方式为了使本领域技术人员更好地理解本专利技术的技术方案,下面结合附图并通过具体实施方式来进一步说明本专利技术的技术方案。如图1所示,本实施例提供一种测试标片制作方法,包括以下步骤:步骤A:对硅片1的双面进行制绒;步骤B:对步骤A处理后的硅片1的正面进行扩散;步骤C:对步骤B处理后的硅片1的双面进行边缘刻蚀;步骤D:在步骤C处理后的硅片1的正面印刷细栅1;步骤E:对步骤D处理后的硅片1进行一次烧结;步骤F:对步骤E处理后的硅片1的正面镀减反膜2;步骤G:在步骤F处理后的硅片1的背面印刷背极;步骤H:在步骤G处理后的硅片1的背面印刷背场;步骤I:在步骤H处理后的硅片1的正面印刷主栅3;步骤J:对步骤I处理后的硅片1进行二次烧结。在本实施例中,测试标片制作方法通过在镀减反膜2之前先进行细栅1的印刷和一次烧结,在镀减反膜2之后进行主栅3的印刷和二次烧结,通过此种制作顺序,测试标片在使用的过程中能够减少细栅1与外界氧气的接触,避免细栅1的磨损,从而降低测试标片在使用过程中的衰减,延长测试标片的使用寿命。在本实施例中,步骤A具体为:先用硝酸将硅片4氧化成氧化硅,再用氢氟酸与氧化硅反应生成硅的络合物,再用氢氧化钠溶液冲洗硅片4,最后用氢氟酸与盐酸的混合物冲洗硅片4,从而获得制绒表面,起到去除硅片4表面切割损伤层、去除硅片4表面的污染物及使硅片4表面组织化、降低反射率、促进光吸收的作用。在本实施例中,通过步骤B主要是用来形成PN结,建立内电场。通过步骤C对硅片1的双面进行边缘刻蚀,可以实现去除硅片1边缘的PN结,防止边缘导通。在本实施例中,步骤D中印刷细栅1的浆料为非烧穿型浆料,步骤I中印刷主栅3的浆料为烧穿型浆料,保证在进行步骤J第二次烧结时,避免细栅1上的浆料烧穿减反膜2,避免暴露在空气中,降低测试标片在使用过程中的衰减,同时保证主栅3上的浆料烧穿减反膜2,使主栅3能够穿透减反膜2实现主栅3与细栅1之间的接触与导通,实现电流的传输。在本实施例中,如图4所示,步骤D在印刷细栅1的同时还印刷定位点5,定位点5用于印刷主栅3时的定位,实现主栅3的快速印刷,提高测试标片的生产效率和精准性。具体的,可以通过CCD定位系统与定位点5的配合,实现主栅3印刷位置的确定。在本实施例中,步骤D中印刷的细栅1为多条,多条细栅1平行设置,步骤I中印刷的主栅3与步骤D中印刷的细栅1相垂直,增加主栅3与细栅1之间的接触点的数量,提高电流传递效率。在本实施例中,步骤F中的减反膜2为氮化硅的薄膜,氮化硅薄膜的作用为:一保护作用:由于氮化硅薄膜结构致密硬度大,耐湿,可抵御碱金属离子和一般酸碱的侵蚀,可以作为保护层,在后道工序和使用过程中保护电池片表面不被损伤和污染;二减反射作用:氮化硅薄膜介电强度高,可钝化多晶硅,有高效的光学减反射作用。三钝化作用:又分表面钝化和体钝化,体钝化对多晶作用尤其大。表面钝化即钝化表面Si悬挂键,体钝化即钝化硅片4体内杂质和缺陷,包括悬挂键、过渡金属络合物、C、O以及扩散杂质等。在本实施例中,步骤F具体为:首先机器进舟,随后进行抽真空,氮气吹扫,抽出氮气,检查密封性,再重复一遍氮气吹扫并升温,抽真空,稳压预通气,一次镀膜,抽真空,通气稳压,二次镀膜,抽真空,氨气轰击吹扫,三次镀膜,抽真空,氮气吹扫,通气稳压,出舟。本实施例还提出一种测试标片,应用如上的测试标片制作方法制成,如图2所示,硅片4的正面由下之上依次设置有细栅1、减反膜2以及主栅3。其中,细栅1的外部包裹有减反膜2,细栅1与主栅3接触处无减反膜2,实现细栅1与主栅3的连接。这是本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种测试标片制作方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤A:对硅片(1)的双面进行制绒;步骤B:对步骤A处理后的硅片(1)的正面进行扩散;步骤C:对步骤B处理后的硅片(1)的双面进行边缘刻蚀;步骤D:在步骤C处理后的硅片(1)的正面印刷细栅(1);步骤E:对步骤D处理后的硅片(1)进行一次烧结;步骤F:对步骤E处理后的硅片(1)的正面镀减反膜(2);步骤G:在步骤F处理后的硅片(1)的背面印刷背极;步骤H:在步骤G处理后的硅片(1)的背面印刷背场;步骤I:在步骤H处理后的硅片(1)的正面印刷主栅(3);步骤J:对步骤I处理后的硅片(1)进行二次烧结。

【技术特征摘要】
1.一种测试标片制作方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤A:对硅片(1)的双面进行制绒;步骤B:对步骤A处理后的硅片(1)的正面进行扩散;步骤C:对步骤B处理后的硅片(1)的双面进行边缘刻蚀;步骤D:在步骤C处理后的硅片(1)的正面印刷细栅(1);步骤E:对步骤D处理后的硅片(1)进行一次烧结;步骤F:对步骤E处理后的硅片(1)的正面镀减反膜(2);步骤G:在步骤F处理后的硅片(1)的背面印刷背极;步骤H:在步骤G处理后的硅片(1)的背面印刷背场;步骤I:在步骤H处理后的硅片(1)的正面印刷主栅(3);步骤J:对步骤I处理后的硅片(1)进行二次烧结。2.根据权利要求1所述的测试标片制作方法,其特征在于,步骤D中印刷所述细栅(1)的浆料为非烧穿型浆料。3.根据权利要求1所述的测试标片制作方法,其特征在于,步骤D在印刷所述细栅(1)的同时还印刷定位点(5),所述定位点(5)用于印刷所述主栅(3)时的定位。4.根据权利要求1所述的测试标片制作方法,其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员:王雪亮胡冰峰罗茂盛
申请(专利权)人:奥特斯维能源太仓有限公司太仓海润太阳能有限公司
类型:发明
国别省市:江苏,32

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