一种薄膜晶体管的制备方法技术

本发明专利技术涉及显示设备技术领域，公开了一种薄膜晶体管的制备方法，该薄膜晶体管的制备方法包括：在基板上形成第一透明导电层和第一金属层；对第一金属层以及第一透明导电层进行第一次刻蚀，对第一透明导电层进行刻蚀形成第一透明电极和第二透明电极；对第一金属层进行第二次刻蚀以露出第二透明电极；对第二透明电极进行氧离子注入处理以使其表面注入氧离子；在第一金属层和第二透明电极背离基板的一侧沉积第一绝缘层后进行退火处理。该薄膜晶体管的制备方法采用四次掩膜工艺和氧离子注入及退火处理工艺，有效降低了第二透明电极电阻和应力，消除了晶格缺陷，从而有效提高了透过率。

【技术实现步骤摘要】
一种薄膜晶体管的制备方法
本专利技术涉及显示设备
，特别涉及一种薄膜晶体管的制备方法。
技术介绍
目前大尺寸TV产品主要以高级超维场转换(ADS)产品为主，其中阵列制作工艺，一种方案是采用4次掩膜技术，需要用到两次半掩膜工艺，但是无法退火处理，容易造成金属膜氧化；另外一种方案是采用5次掩膜技术，可以退火处理。第一种方案优点是采用4次掩膜工艺可以有效降低薄膜晶体管的制作成本，但是不能退火处理以使导电玻璃晶化；第二种方案优点是退火处理可以使导电玻璃晶化，有效降低导电玻璃电阻和应力，消除晶格缺陷，有效提高透过率，但是采用5次掩膜技术，增加了制作成本。
技术实现思路
本专利技术提供了一种薄膜晶体管的制备方法，上述薄膜晶体管的制备方法采用四次掩膜工艺和氧离子注入及退火处理工艺，有效降低了第二透明电极电阻和应力，消除了晶格缺陷，从而有效提高了透过率。为达到上述目的，本专利技术提供以下技术方案：一种薄膜晶体管的制备方法，包括：在基板上形成第一透明导电层和第一金属层；在所述第一金属层背离所述基板的一侧涂覆光刻胶，且采用半掩膜工艺进行曝光显影后形成光刻胶图案，其中，光刻胶图案中包括全保留区域、部分保留区域和全曝光去除区域；对所述第一金属层以及第一透明导电层与光刻胶图案中全曝光去除区域对应的部位进行第一次刻蚀，对所述第一透明导电层进行刻蚀形成第一透明电极和第二透明电极；对所述光刻胶图案进行灰化处理，将所述部分保留区域内的光刻胶灰化去除，以露出所述第一金属层与所述部分保留区域对应的部位；对所述第一金属层中与所述部分保留区域对应的部位进行第二次刻蚀以去除第一金属层与所述部分保留区域对应的部位，露出所述第二透明电极；对所述第二透明电极进行氧离子注入处理以使其表面注入氧离子；去除与所述第一透明电极相对位置的光刻胶；在所述第一金属层和所述第二透明电极背离所述基板的一侧形成第一绝缘层；退火处理。上述薄膜晶体管的制备方法中首先在基板上制备第一透明导电层和第一金属层，通过半掩膜工艺对光刻胶进行曝光显影后对第一透明导电层和第一金属层进行刻蚀，在第一透明导电层形成第一透明电极和第二透明电极，在与第一透明电极相对的部分保留第一金属层、去除与第二透明电极相对部位的第一金属层，对第二透明电极进行氧离子注入处理以使其表面注入氧离子，并在第一金属层和第二透明电极背离基板的一侧形成第一绝缘层，后进行退火处理，上述制备过程中图案的形成和退火工艺制备采用了一次掩膜工艺，后续薄膜晶体管中其他膜层的形成过程可与现有技术类似，采用三次掩膜工艺形成后续膜层，在此不作描述，由此在本专利技术提供的薄膜晶体管的制备方法中可以采用四次掩膜工艺，且对第二透明电极进行氧离子注入处理并经过了退火处理，采用四次掩膜工艺有效降低了薄膜晶体管的制作成本，同时对第二透明电极进行氧离子注入处理并经过退火处理使第二透明电极晶化，有效降低了第二透明电极电阻和应力，消除了晶格缺陷，从而有效提高了透过率。优选地，所述第一透明导电层的材料为氧化铟锡。优选地，所述第二透明电极经氧离子注入处理和退火处理后形成多晶氧化铟锡。优选地，采用离子注入机对所述第二透明电极进行氧离子注入处理。优选地，所述氧离子注入处理的注入能量为50～500keV、参杂深度为70nm、注入剂量为2.0×1015cm-2～1.0×1016cm-2。优选地，所述氧离子注入处理的注入能量为70keV。优选地，所述氧离子注入处理的注入剂量为6.0×1015cm-2。优选地，采用湿法剥离去除与第一透明电极相对位置的光刻胶。优选地，所述基板为玻璃基板。附图说明图1为本专利技术提供的一种薄膜晶体管的制备方法流程图；图2a至图2g为本专利技术提供的薄膜晶体管的制备方法的制备过程示意图；图3为由本专利技术提供的一种薄膜晶体管的制备方法制备的一种薄膜晶体管。图标：1-基板；2-第一透明导电层；21-第一透明电极；22-第二透明电极3-第一金属层；4-光刻胶；5-第一绝缘层；6-有源层；7-第二金属层；8-第二绝缘层；9-第二透明导电层。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。请参考图1和图2a至图2g，本专利技术提供一种薄膜晶体管的制备方法，包括：步骤S101：在基板1上形成第一透明导电层2和第一金属层3，如图2a所示；步骤S201：在所述第一金属层3背离所述基板1的一侧涂覆光刻胶4，且采用半掩膜工艺进行曝光显影后形成光刻胶4图案，其中，光刻胶4图案中包括全保留区域、部分保留区域和全曝光去除区域，如图2b所示；步骤S301：对所述第一金属层3以及第一透明导电层2与光刻胶4图案中全曝光去除区域对应的部位进行第一次刻蚀，对所述第一透明导电层2进行刻蚀形成第一透明电极21和第二透明电极22，如图2c所示；步骤S401：对所述光刻胶4图案进行灰化处理，将所述部分保留区域内的光刻胶4灰化去除，以露出所述第一金属层3与所述部分保留区域对应的部位，如图2d所示；步骤S501：对所述第一金属层3中与所述部分保留区域对应的部位进行第二次刻蚀以去除第一金属层3与所述部分保留区域对应的部位，露出所述第二透明电极22，如图2e所示；步骤S601：对所述第二透明电极22进行氧离子注入处理以使其表面注入氧离子；步骤S701：去除与所述第一透明电极21相对位置的光刻胶4，如图2f所示；步骤S801：在所述第一金属层3和所述第二透明电极22背离所述基板1的一侧形成第一绝缘层5，如图2g所示；步骤S901：退火处理。上述薄膜晶体管的制备方法中首先在基板1上制备第一透明导电层2和第一金属层3，通过半掩膜工艺对光刻胶4进行曝光显影后对第一透明导电层2和第一金属层3进行刻蚀，在第一透明导电层2形成第一透明电极21和第二透明电极22，在与第一透明电极21相对的部分保留第一金属层3、去除与第二透明电极22相对部位的第一金属层3，对第二透明电极22进行氧离子注入处理以使其表面注入氧离子，并在第一金属层3和第二透明电极22背离基板1的一侧形成第一绝缘层5，后进行退火处理，上述制备过程中图案的形成采用了一次掩膜工艺，后续薄膜晶体管中其他膜层的形成过程可与现有技术类似，采用三次掩膜工艺形成后续膜层，在此不作描述，由此在本专利技术提供的薄膜晶体管的制备方法中可以采用四次掩膜工艺，且对第二透明电极22进行氧离子注入处理并经过了退火处理，采用四次掩膜工艺有效降低了薄膜晶体管的制作成本，同时对第二透明电极22进行氧离子注入处理并经过退火处理使第二透明电极22晶化，有效降低了第二透明电极22电阻和应力，消除了晶格缺陷，从而有效提高了透过率。具体地，所述第一透明导电层2的材料为氧化铟锡。氧化铟锡具有很好地透明性和导电性，适合作为第一透明导电层2的材料。具体地，所述第二透明电极22经氧离子注入处理和退火处理后形成多晶氧化铟锡。像素区的第二透明电极22在氧环境下退火，第二透明电极22的材料为氧化铟锡，在退火后形成多晶氧化铟锡，改善了晶格缺陷，提高了透过率。具体地，采用离子注入机对所述第二透明电极22进行氧离本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括：在基板上形成第一透明导电层和第一金属层；在所述第一金属层背离所述基板的一侧涂覆光刻胶，且采用半掩膜工艺进行曝光显影后形成光刻胶图案，其中，光刻胶图案中包括全保留区域、部分保留区域和全曝光去除区域；对所述第一金属层以及第一透明导电层与光刻胶图案中全曝光去除区域对应的部位进行第一次刻蚀，对所述第一透明导电层进行刻蚀形成第一透明电极和第二透明电极；对所述光刻胶图案进行灰化处理，将所述部分保留区域内的光刻胶灰化去除，以露出所述第一金属层与所述部分保留区域对应的部位；对所述第一金属层中与所述部分保留区域对应的部位进行第二次刻蚀以去除第一金属层与所述部分保留区域对应的部位，露出所述第二透明电极；对所述第二透明电极进行氧离子注入处理以使其表面注入氧离子；去除与所述第一透明电极相对位置的光刻胶；在所述第一金属层和所述第二透明电极背离所述基板的一侧形成第一绝缘层；退火处理。

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括：在基板上形成第一透明导电层和第一金属层；在所述第一金属层背离所述基板的一侧涂覆光刻胶，且采用半掩膜工艺进行曝光显影后形成光刻胶图案，其中，光刻胶图案中包括全保留区域、部分保留区域和全曝光去除区域；对所述第一金属层以及第一透明导电层与光刻胶图案中全曝光去除区域对应的部位进行第一次刻蚀，对所述第一透明导电层进行刻蚀形成第一透明电极和第二透明电极；对所述光刻胶图案进行灰化处理，将所述部分保留区域内的光刻胶灰化去除，以露出所述第一金属层与所述部分保留区域对应的部位；对所述第一金属层中与所述部分保留区域对应的部位进行第二次刻蚀以去除第一金属层与所述部分保留区域对应的部位，露出所述第二透明电极；对所述第二透明电极进行氧离子注入处理以使其表面注入氧离子；去除与所述第一透明电极相对位置的光刻胶；在所述第一金属层和所述第二透明电极背离所述基板的一侧形成第一绝缘层；退火处理。2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制备方法，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：叶成枝，李恒滨，操彬彬，栗芳芳，安晖，
申请(专利权)人：合肥鑫晟光电科技有限公司，京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽,34