芯片版图的检测方法及装置、计算机可读存储介质、终端制造方法及图纸

一种芯片版图的检测方法及装置、计算机可读介质、终端。所述方法包括：对待检测芯片的版图进行碎片化处理，得到所述待检测芯片的版图中的所有图形，所述待检测芯片为两个以上；将所述待检测芯片的版图中的所有图形分别进行二进制转化，得到所述待检测芯片对应的所有二进制图形；采用预设的新图形查找规则，从所述待检测芯片对应的所有二进制图形中查找所述待检测芯片所有图形中的新图形；采用预设的危险图形查找规则，从所述待检测芯片对应的新图形中查找影响良率的危险图形并输出。应用上述方案，可以避免新芯片引进过程中良率的下降的问题。

【技术实现步骤摘要】
芯片版图的检测方法及装置、计算机可读存储介质、终端
本专利技术涉及半导体制造
，具体涉及一种芯片版图的检测方法及装置、计算机可读介质、终端。
技术介绍
为了保证集成电路芯片在生产过程中成功量产，并得到高的良率，芯片制造工厂要求版图设计者所设计的芯片版图满足一定的设计规则。由于集成电路芯片的芯片版图设计需要满足设计规则，并且芯片版图通常包括大量的图形，版图设计者在设计过程中很有可能会出现失误，版图设计软件设计的图形也不可避免地会存在一些误差，因此，当版图设计完成后，在进入工厂开始制造以前，需要先对芯片版图中的图形进行下线(tape-out)检测。具体地，进行下线检测时，通常先检测芯片版图中的图形是否违反设计规则(designrulecheck)，同时会对芯片版图中的图形进行光学邻近效应修正(OpticalProximityCorrection，OPC)仿真。基于OPC仿真结果，确定所检测的图形中是否有生产中做不到的图形。然而，无论是设计规则检测，还是OPC仿真，都难以检测出芯片版图中是否有造成良率下降的新的图形，由此导致新芯片的引进过程中有可能造成良率的下降。
技术实现思路
本专利技术要解决的是如何避免新芯片引进过程中良率的下降的问题。为解决上述问题，本专利技术实施例提供了一种芯片版图的检测方法，所述方法包括：对待检测芯片的版图进行碎片化处理，得到所述待检测芯片的版图中的所有图形，所述待检测芯片为两个以上；将所述待检测芯片的版图中的所有图形分别进行二进制转化，得到所述待检测芯片对应的所有二进制图形；采用预设的新图形查找规则，从所述待检测芯片对应的所有二进制图形中查找所述待检测芯片所有图形中的新图形；采用预设的危险图形查找规则，从所述待检测芯片对应的新图形中查找影响良率的危险图形并输出。可选地，所述对待检测芯片的版图进行碎片化处理，得到所述待检测芯片的所有图形，包括：确定第一截取半径；按照所确定的第一截取半径，截取所述待检测芯片的版图中的所有图形。可选地，所述确定第一截取半径，包括：根据预先获取到的第一半径设定若干个第二截取半径，其中，所述第一半径是由所选取的一个待检测芯片的版图图形中第三截取半径随重复图形的数量值及非重复图形的种类值的变化进行确定的；所述重复图形为所选取的待检测芯片的版图图形中与参考芯片的版图图形一致的图形，所述非重复图形为选取的待检测芯片的版图图形中与参考芯片的版图图形不一致的图形；分别以所设定的第二截取半径，截取各所述待检测芯片的版图中的所有图形；基于各所述待检测芯片对应的图形的数量的分布情况，确定所述第一截取半径。可选地，所述基于各所述待检测芯片对应的图形的数量的分布情况，确定所述第一截取半径，包括：将各所述待检测芯片对应的图形的数量分布最集中的区域所对应的第二截取半径，作为所述第一截取半径。可选地，所述采用预设的新图形查找规则，从所述待检测芯片对应的所有二进制图形中查找所述待检测芯片所有图形中的新图形，包括：采用预设的新图形查找规则，将所述待检测芯片对应的所有二进制图形与预设的图形数据库中的图形进行比对，查找出所述待检测芯片所有图形中新图形。可选地，所述采用预设的新图形查找规则，将所述待检测芯片对应的所有二进制图形与预设的图形数据库中的图形进行比对，查找所述待检测芯片所有图形中新图形，包括：将具有新的图形特征的图形，以及具有相同图形特征但尺寸不同的图形，作为所述待检测芯片对应的新图形。可选地，所述采用预设的危险图形查找规则，从所述待检测芯片对应的新图形中查找影响良率的危险图形，包括：从所述待检测芯片对应的新图形中查找出图形特征复杂程度大于对应预设复杂程度阈值的图形；从图形特征复杂程度大于对应预设复杂程度阈值的图形中查找出图形中角至角的距离小于预设距离值的图形；将图形中角至角的距离小于预设距离值的图形与预设的危险图形结构数据库进行比对，查找出具有危险图形特征的图形；从具有危险图形特征的图形中，查找出具有最小设计尺寸的图形且OPC仿真无法修正的图形，作为所述待检测芯片的危险图形。可选地，依据图形的行数及列数，以及图形中孔的数量确定所述图形特征复杂程度。本专利技术实施例还提供了一种芯片版图的检测装置，所述装置包括：碎片化处理单元，适于对待检测芯片的版图进行碎片化处理，得到所述待检测芯片的版图中的所有图形，所述待检测芯片为两个以上；转化单元，适于将所述待检测芯片的版图中的所有图形分别进行二进制转化，得到所述待检测芯片对应的所有二进制图形；新图形查找单元，适于采用预设的新图形查找规则，从所述待检测芯片对应的所有二进制图形中查找所述待检测芯片所有图形中的新图形；危险图形查找单元，适于采用预设的危险图形查找规则，从所述待检测芯片对应的新图形中查找影响良率的危险图形并输出。可选地，所述碎片化处理单元，包括：确定子单元，适于确定第一截取半径；截取子单元，适于按照所确定的第一截取半径，截取所述待检测芯片的版图中的所有图形。可选地，所述确定子单元，适于根据预先获取到的第一半径设定若干个第二截取半径；分别以所设定的第二截取半径，截取各所述待检测芯片的版图中的所有图形；以及基于各所述待检测芯片对应的图形的数量的分布情况，确定所述第一截取半径；其中，所述第一半径是由所选取的一个待检测芯片的版图图形中第三截取半径随重复图形的数量值及非重复图形的种类值的变化进行确定的；所述重复图形为所选取的待检测芯片的版图图形中与参考芯片的版图图形一致的图形，所述非重复图形为选取的待检测芯片的版图图形中与参考芯片的版图图形不一致的图形。可选地，所述截取子单元适于将各所述待检测芯片对应的图形的数量分布最集中的区域所对应的第二截取半径，作为所述第一截取半径。可选地，所述新图形查找单元，适于采用预设的新图形查找规则，将所述待检测芯片对应的所有二进制图形与预设的图形数据库中的图形进行比对，查找出所述待检测芯片所有图形中新图形。可选地，所述新图形查找单元适于将具有新的图形特征的图形，以及具有相同图形特征但尺寸不同的图形，作为所述待检测芯片对应的新图形。可选地，所述危险图形查找单元，包括：第一查找子单元，适于从所述待检测芯片对应的新图形中查找出图形特征复杂程度大于对应预设复杂程度阈值的图形；第二查找子单元，适于从图形特征复杂程度大于对应预设复杂程度阈值的图形中查找出图形中角至角的距离小于预设距离值的图形；第三查找子单元，适于将图形中角至角的距离小于预设距离值的图形与预设的危险图形结构数据库进行比对，查找出具有危险图形特征的图形；第四查找子单元，适于从具有危险图形特征的图形中，查找出具有最小设计尺寸的图形且OPC仿真无法修正的图形，作为所述待检测芯片的危险图形。可选地，所述图形特征复杂程度由图形的行数及列数，以及图形中孔的数量确定。本专利技术实施例还提供了一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机指令，所述计算机指令运行时执行上述任一种方法的步骤。本专利技术实施例还提供了一种终端，包括存储器和处理器，所述存储器上存储有能够在所述处理器上运行的计算机指令，所述处理器运行所述计算机指令时执行上述任一种方法的步骤。与现有技术相比，本专利技术实施例的技术方案具有以下优点：采用上述方案，先从待检测芯片所有图形中查找新图形，再从新图形中查查影响良率的危险图形并输出，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种芯片版图的检测方法，其特征在于，包括：对待检测芯片的版图进行碎片化处理，得到所述待检测芯片的版图中的所有图形，所述待检测芯片为两个以上；将所述待检测芯片的版图中的所有图形分别进行二进制转化，得到所述待检测芯片对应的所有二进制图形；采用预设的新图形查找规则，从所述待检测芯片对应的所有二进制图形中查找所述待检测芯片所有图形中的新图形；采用预设的危险图形查找规则，从所述待检测芯片对应的新图形中查找影响良率的危险图形并输出。

【技术特征摘要】
1.一种芯片版图的检测方法，其特征在于，包括：对待检测芯片的版图进行碎片化处理，得到所述待检测芯片的版图中的所有图形，所述待检测芯片为两个以上；将所述待检测芯片的版图中的所有图形分别进行二进制转化，得到所述待检测芯片对应的所有二进制图形；采用预设的新图形查找规则，从所述待检测芯片对应的所有二进制图形中查找所述待检测芯片所有图形中的新图形；采用预设的危险图形查找规则，从所述待检测芯片对应的新图形中查找影响良率的危险图形并输出。2.如权利要求1所述的芯片版图的检测方法，其特征在于，所述对待检测芯片的版图进行碎片化处理，得到所述待检测芯片的所有图形，包括：确定第一截取半径；按照所确定的第一截取半径，截取所述待检测芯片的版图中的所有图形。3.如权利要求2所述的芯片版图的检测方法，其特征在于，所述确定第一截取半径，包括：根据预先获取到的第一半径设定若干个第二截取半径，其中，所述第一半径是由所选取的一个待检测芯片的版图图形中第三截取半径随重复图形的数量值及非重复图形的种类值的变化进行确定的；所述重复图形为所选取的待检测芯片的版图图形中与参考芯片的版图图形一致的图形，所述非重复图形为选取的待检测芯片的版图图形中与参考芯片的版图图形不一致的图形；分别以所设定的第二截取半径，截取各所述待检测芯片的版图中的所有图形；基于各所述待检测芯片对应的图形的数量的分布情况，确定所述第一截取半径。4.如权利要求3所述的芯片版图的检测方法，其特征在于，所述基于各所述待检测芯片对应的图形的数量的分布情况，确定所述第一截取半径，包括：将各所述待检测芯片对应的图形的数量分布最集中的区域所对应的第二截取半径，作为所述第一截取半径。5.如权利要求1所述的芯片版图的检测方法，其特征在于，所述采用预设的新图形查找规则，从所述待检测芯片对应的所有二进制图形中查找出所述待检测芯片所有图形中的新图形，包括：采用预设的新图形查找规则，将所述待检测芯片对应的所有二进制图形与预设的图形数据库中的图形进行比对，查找出所述待检测芯片所有图形中新图形。6.如权利要求5所述的芯片版图的检测方法，其特征在于，所述采用预设的新图形查找规则，将所述待检测芯片对应的所有二进制图形与预设的图形数据库中的图形进行比对，查找所述待检测芯片所有图形中新图形，包括：将具有新的图形特征的图形，以及具有相同图形特征但尺寸不同的图形，作为所述待检测芯片对应的新图形。7.如权利要求1所述的芯片版图的检测方法，其特征在于，所述采用预设的危险图形查找规则，从所述待检测芯片对应的新图形中查找影响良率的危险图形，包括：从所述待检测芯片对应的新图形中查找出图形特征复杂程度大于对应预设复杂程度阈值的图形；从图形特征复杂程度大于对应预设复杂程度阈值的图形中查找出图形中角至角的距离小于预设距离值的图形；将图形中角至角的距离小于预设距离值的图形与预设的危险图形结构数据库进行比对，查找出具有危险图形特征的图形；从具有危险图形特征的图形中，查找出具有最小设计尺寸的图形且OPC仿真无法修正的图形，作为所述待检测芯片的危险图形。8.如权利要求7所述的芯片版图的检测方法，其特征在于，依据图形的行数及列数，以及图形中孔的数量确定所述图形特征复杂程度。9.一种芯片版图的检测装置，其特征在于，包括：碎片化处理单元，...

【专利技术属性】
技术研发人员：沈杨，杨成兴，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31