The invention provides a method and device for removing impurities in chlorosilane, which passes chlorosilane into a distillation column, treats impurities in chlorosilane through the adsorption and desorption section containing physical adsorbents, and completes the whole production process by combining distillation and distillation. The physical adsorbent includes the first component, which is composed of carboxyl compounds, amino compounds and polychlorine. One or more kinds of aluminium. The invention adopts the selective adsorption function of physical adsorbent, which can effectively remove trace impurities in chlorosilane, especially carbon organic impurities, has high impurity removal efficiency, good environmental protection, and further improves and stabilizes the quality of chlorosilane.
【技术实现步骤摘要】
一种去除氯硅烷中杂质的方法及装置
本专利技术涉及氯硅烷分离提纯的
,特别是涉及一种去除氯硅烷中杂质的方法及装置。
技术介绍
我国多晶硅工业于上世纪50年代起步,在60年代中期实现了产业化。近年来,随着电子信息和太阳能光伏产业的快速发展,市场对于多晶硅的需求日益增长,但同时,由于国外多晶硅厂商对我国生产领域长期进行的技术封锁,使我国大部份多晶硅企业无法生产出稳定的电子级多晶硅,国内外多晶硅技术水平也始终存在一定差距。改良西门子法是现在生产多晶硅的主流工艺,其通过将冶金级硅粉和氯硅烷进行反应生成三氯氢硅,其后将三氯氢硅进行提纯精制,最后将三氯氢硅与氢气进行还原反应,得到高纯多晶硅。氯硅烷作为该工艺中的循环氯硅烷,其对于多晶硅的生产十分重要,但目前由于上述工艺中冶金级硅粉的引入,氯硅烷不可避免的含有痕量杂质,该些杂质包括金属氯化物、含硼磷的氯化物和氢化物以及含碳有机物等,其均会对多晶硅终产物的质量造成巨大影响。现有技术中已有较多对于氯硅烷中含硼磷的氯化物、金属氯化物进行除杂的研究报道,但一直未有关于去除氯硅烷中含碳有机物的研究报道。因此,我们以去除氯硅烷中痕量杂质为出发点,通过设备和工艺的研究,以期去除氯硅烷中含碳有机物,提高了氯硅烷的纯度,使企业能够生产出稳定的电子级多晶硅,同时解决传统的生产装置和工艺为了除杂而造成的能耗高、设备投资费高、产品质量不稳定等问题。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种去除氯硅烷中杂质的方法,其中采用物理吸附剂中第一组分的选择吸附功能,能够有效去除氯硅烷中的痕量杂质,特别是碳有机杂质,除杂效率高,环保性好,且可重复利用,经济 ...
【技术保护点】
1.一种去除氯硅烷中杂质的方法,其特征在于,用物理吸附剂对含有杂质的气相氯硅烷进行处理,得到处理后的气相氯硅烷;所述物理吸附剂包括第一组分,所述第一组分为含羧基的化合物、含氨基的化合物、聚合氯化铝中的一种或多种。
【技术特征摘要】
1.一种去除氯硅烷中杂质的方法,其特征在于,用物理吸附剂对含有杂质的气相氯硅烷进行处理,得到处理后的气相氯硅烷;所述物理吸附剂包括第一组分,所述第一组分为含羧基的化合物、含氨基的化合物、聚合氯化铝中的一种或多种。2.如权利要求1所述的去除氯硅烷中杂质的方法,其特征在于,所述含羧基的化合物为乙酰胺或硝酸对酚;所述含氨基的化合物为氨水或苯胺。3.如权利要求1所述的去除氯硅烷中杂质的方法,其特征在于,所述第一组分在物理吸附剂中的质量百分比为0.2~5%。4.如权利要求1所述的去除氯硅烷中杂质的方法,其特征在于,所述物理吸附剂还包括多孔固体载体,所述多孔固体载体为苯甲腈及其衍生物、硅铝氧化物、硅胶、树脂、聚酯纤维、活性炭等及其改性物中的一种或多种。5.一种高纯度氯硅烷的生产方法,其特征在于,其包括步骤:(1)将预先汽化的氯硅烷连续送入精馏塔中部,并对精馏塔内部进行抽真空处理;(2)将氯硅烷依次经过充装有物理吸附剂的吸附脱附段和精馏段,其后经塔顶冷凝器冷凝回流后,部分回液相氯硅烷经回流管返回塔顶,另一部分液相氯硅烷经采出管作为第一产品采出;(3)上述部分回流液依次经经过充装有物理吸附剂的吸附脱附段和提馏段,其后在塔釜再沸器汽...
【专利技术属性】
技术研发人员:曹玲玲,蔡延国,李彦,宗冰,肖建忠,王体虎,
申请(专利权)人:亚洲硅业青海有限公司,
类型:发明
国别省市:青海,63
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