用于金属氧化物压敏电阻器的基底金属电极制造技术

一种MOV设备包括MOV芯片、设置在MOV芯片的第一侧上的第一基底金属电极、以及设置在与第一侧相对的MOV芯片的第二侧上的第二基底金属电极，第一基底金属电极和第二基底金属电极中的每一个包括第一基底金属电极层和第二基底金属电极层，第一基底金属电极层设置在MOV芯片的表面上并由银、铜和铝中的一种形成，第一基底金属电极层具有2‑200微米范围内的厚度，第二基底金属电极层设置在第一基底金属电极层的表面上并由银、铜和铝中的一种形成，第二基底金属电极层具有2‑200微米范围内的厚度。

Base metal electrodes for metal oxide varistors

A MOV device includes a MOV chip, a first base metal electrode arranged on the first side of the MOV chip, and a second base metal electrode arranged on the second side of the MOV chip opposite to the first side. Each of the first base metal electrode and the second base metal electrode includes a first base metal electrode layer and a second base metal electrode layer, and a first base metal electrode layer is arranged. The first base metal electrode layer has a thickness of 2 to 200 microns. The second base metal electrode layer is located on the surface of the first base metal electrode layer and is formed by one of silver, copper and aluminum. The second base metal electrode layer has a thickness of 2 to 200 microns.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于金属氧化物压敏电阻器的基底金属电极
本公开一般而言涉及电压抑制设备领域，并且更具体地涉及用于金属氧化物压敏电阻器的低成本电极及其制造方法。
技术介绍
金属氧化物压敏电阻器(MOV)是电压相关的非线性设备，其通常在电子电路中采用以提供瞬态电压抑制。典型的MOV设备包括金属氧化物陶瓷芯片(MOV)，其具有设置在其相对侧上的基底金属电极。电引线可以连接(例如，焊接)到基底金属电极，用于促进MOV设备在电路内的电连接。MOV设备的基底金属电极传统上由印刷在金属氧化物陶瓷芯片的表面上的银浆形成。在印刷之后，烧制基底金属电极，由此使银浆硬化并牢固地粘附到金属氧化物压敏变阻器芯片上。由于银的高成本，因此基底金属电极层通常是MOV设备中最昂贵的部件，并且因此是对MOV设备的总生产成本贡献最大的部件。MOV设备的市场是高成本驱动的。因此，MOV设备的制造商努力使生产成本最小化，以便以具有竞争力的价格提供产品。正是关于这些和其它考虑因素，本专利技术的改进会是有用的。
技术实现思路
提供本
技术实现思路
是为了以简化的形式介绍一些概念，这些概念将在下面的具体实施方式中进一步描述。本
技术实现思路
不旨在识别所要求保护的主题的关键特征或必要特征，也不旨在帮助确定所要求保护的主题的范围。根据本公开的示例性实施例的MOV设备可以包括MOV芯片、设置在MOV芯片的第一侧上的第一基底金属电极、以及设置在与第一侧相对的MOV芯片的第二侧上的第二基底金属电极，第一基底金属电极和第二基底金属电极中的每一个包括第一基底金属电极层和第二基底金属电极层，第一基底金属电极层设置在MOV芯片的表面上并由银、铜和铝中的一种形成，第一基底金属电极层具有2-200微米范围内的厚度，并且第二基底金属电极层设置在第一基底金属电极层的表面上并由银、铜和铝中的一种形成，第二基底金属电极层具有2-200微米范围内的厚度。根据本公开的示例性实施例的另一个MOV设备可以包括MOV芯片、设置在MOV芯片的第一侧上的第一基底金属电极、设置在与第一侧相对的MOV芯片的第二侧上的第二基底金属电极，第一基底金属电极和第二基底金属电极中的每一个由铝形成并且具有5-200微米范围内的厚度，并且第一引线和第二引线分别直接连接到第一基底金属电极和第二基底金属电极。根据本公开的示例性实施例的形成MOV设备的方法可以包括提供MOV芯片、在MOV芯片的相对的第一表面和第二表面上形成第一基底金属电极层，第一基底金属电极层由银、铜和铝中的一种形成并且具有2-200微米范围内的厚度，并在第一基底金属电极层上形成第二基底金属电极层，第二基底金属电极层由银、铜和铝中的一种形成并且具有2-200微米范围内的厚度。附图说明图1a是图示根据本公开的示例性实施例的MOV设备的透视图；图1b是图示制造图1a中所示的MOV设备的示例性方法的流程图；图2a是图示根据本公开的另一个示例性实施例的MOV设备的透视图；图2b是图示制造图2a中所示的MOV设备的示例性方法的流程图；图2c和2d是用于执行图2b中阐述的方法的一部分的替代过程的示意图。图3a是图示根据本公开的另一个示例性实施例的MOV设备的透视图；图3b是图示制造图3a中所示的MOV设备的示例性方法的流程图；图3c和3d是用于执行图3b中阐述的方法的一部分的替代过程的示意图。图4a是图示根据本公开的另一个示例性实施例的MOV设备的透视图；图4b是图示制造图4a中所示的MOV设备的示例性方法的流程图；图5a是图示根据本公开的另一个示例性实施例的MOV设备的透视图；图5b是图示制造图5a中所示的MOV设备的示例性方法的流程图；图6a是图示根据本公开的另一个示例性实施例的MOV设备的透视图；图6b是图示制造图6a中所示的MOV设备的示例性方法的流程图；图7a是图示根据本公开的另一个示例性实施例的MOV设备的透视图；以及图7b是图示制造图7a中所示的MOV设备的示例性方法的流程图。具体实施方式现在将参考附图更全面地描述根据本公开的金属氧化物压敏变阻器(MOV)设备及其制造方法的实施例，附图中给出了本公开的优选实施例。但是，本公开的MOV设备和所附方法可以以许多不同的形式实施，并且不应该被解释为限于这里阐述的实施例。而是，提供这些实施例是为了使本公开将MOV设备的某些示例性方面和所附方法传达给本领域技术人员。在附图中，除非另有说明，否则类似的标号通篇表示类似的元件。参考图1a，示出了根据本公开的MOV设备10的示例性实施例。MOV设备10可以包括MOV芯片11，MOV芯片11具有设置在其相对侧上的第一和第二基底金属电极12。在图1a中只能看到MOV芯片11的一侧，但是应该理解的是，MOV芯片11的不在视图内的相对侧可以设置有与基底金属电极12基本上相同的基底金属电极。因此，下面提供的基底金属电极12的描述也适用于图1a中不在视图内的基底金属电极。MOV芯片11可以由本领域已知的任何MOV组合物形成，包括但不限于嵌入在陶瓷中的氧化锌颗粒。基底金属电极12可以包括第一和第二基底金属电极层13，14。第一基底金属电极层13可以由使用常规的丝网印刷工艺丝网印刷到MOV芯片11的表面上的薄银浆层形成。在非限制性示例中，第一基底金属电极层13可以具有2-10微米范围内的厚度。因此，如本领域普通技术人员将认识到的，第一基底金属电极层13可以比传统MOV设备的银基底金属电极明显更薄。第二基底金属电极层14可以由铜层形成，该铜层可以使用常规的电弧喷涂工艺沉积在第一基底金属电极层13的表面上。在非限制性示例中，第二基底金属电极层14可以具有20-200微米范围内的厚度。MOV芯片11以及第一和第二基底金属电极层13，14被描绘为圆形形状，但这不是关键性的。可以预期的是，在不脱离本公开的范围的情况下，MOV芯片11、第一基底金属电极层13和第二基底金属电极层14中的一个或多个可以具有不同的形状，诸如矩形、三角形、不规则形等。另外，虽然第二基底金属电极层14被描绘为小于第一基底金属电极层13(即，面积小于第一基底金属电极层13)，但是可以预期MOV设备10的替代实施例，其中第二基底金属电极层14的尺寸与第一基底金属电极层13的尺寸相同或者大于第一基底金属电极层13的尺寸。MOV设备10还可以包括导电引线15，16，其可以连接到第二基底金属电极层14，用于促进MOV设备10在电路内的电连接。在各种非限制性实施例中，引线15，16可以经由钎焊(soldering)、焊接(welding)、导电粘合剂等电连接到第二基底金属电极层14。如上所述，MOV设备10的第一基底金属电极层13明显更薄，因此比传统的MOV设备的银基底金属电极需要更少的银。因此，相对于传统的MOV设备，可以以较低的成本生产本公开的MOV设备10。参考图1b，示出了图示根据本公开的用于制造上述MOV设备10的示例性方法的流程图。现在将结合图1a中所示的MOV设备10的图示来描述该方法。在示例性方法的方框100处，可以提供MOV芯片11。如上所述，在一个非限制性示例中，MOV芯片11可以由嵌入在陶瓷中的氧化锌颗粒形成。在各种其它实施例中，MOV芯片11可以由本领域中已知的用于提供瞬态电压抑制的各种其它MOV组合物中的任何一种形成。在示例性方本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种金属氧化物压敏变阻器MOV设备，包括：MOV芯片；第一基底金属电极，设置在所述MOV芯片的第一侧上；以及第二基底金属电极，设置在所述MOV芯片的与所述第一侧相对的第二侧上；所述第一基底金属电极和所述第二基底金属电极中的每一个包括：第一基底金属电极层，设置在所述MOV芯片的表面上并且由银、铜和铝中的一种形成，所述第一基底金属电极层具有2‑200微米范围内的厚度；以及第二基底金属电极层，设置在所述第一基底金属电极层的表面上并且由银、铜和铝中的一种形成，所述第二基底金属电极层具有2‑200微米范围内的厚度。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种金属氧化物压敏变阻器MOV设备，包括：MOV芯片；第一基底金属电极，设置在所述MOV芯片的第一侧上；以及第二基底金属电极，设置在所述MOV芯片的与所述第一侧相对的第二侧上；所述第一基底金属电极和所述第二基底金属电极中的每一个包括：第一基底金属电极层，设置在所述MOV芯片的表面上并且由银、铜和铝中的一种形成，所述第一基底金属电极层具有2-200微米范围内的厚度；以及第二基底金属电极层，设置在所述第一基底金属电极层的表面上并且由银、铜和铝中的一种形成，所述第二基底金属电极层具有2-200微米范围内的厚度。2.如权利要求1所述的MOV设备，其中所述第一基底金属电极层中的每一个由银形成并且具有2-10微米范围内的厚度，并且其中所述第二基底金属电极层中的每一个由铜形成并且具有20-200微米范围内的厚度。3.如权利要求1所述的MOV设备，其中所述第一基底金属电极层中的每一个由铝形成并且具有20-200微米范围内的厚度，并且其中所述第二基底金属电极层中的每一个由铜形成并且具有20-200微米范围内的厚度。4.如权利要求1所述的MOV设备，其中所述第一基底金属电极层中的每一个由铝形成并且具有2-10微米范围内的厚度，并且其中所述第二基底金属电极层中的每一个由铝形成并且具有20-200微米范围内的厚度，所述第一基底金属电极和所述第二基底金属电极中的每一个还包括设置在第二基底金属电极层的表面上的第三基底金属电极层，其中所述第三基底金属电极层中的每一个由铜形成并且具有20-200微米范围内的厚度。5.如权利要求1所述的MOV设备，其中所述第一基底金属电极层中的每一个由铝形成、具有5-30微米范围内的厚度，并且具有在所述第一基底金属电极层设置在其上的所述MOV芯片的表面的相应表面积的60-90％范围内的表面积，并且其中所述第二基底金属电极层中的每一个由银形成、具有2-10微米范围内的厚度，并且具有小于所述第二基底金属电极层设置在其上的所述第一基底金属电极层的表面的相应表面积的60％的表面积。6.如权利要求1所述的MOV设备，其中所述第一基底金属电极层中的每一个由铝形成、具有20-200微米范围内的厚度，并且具有所述第一基底金属电极层设置在其上的所述MOV芯片的表面的相应表面积的60-90％范围内的表面积，并且其中所述第二基底金属电极层中的每一个由银形成、具有2-10微米范围内的厚度，并且具有小于所述第二基底金属电极层设置在其上的所述第一基底金属电极层的表面的相应表面积的60％的表面积。7.一种金属氧化物压敏变阻器MOV设备，包括：MOV芯片；第一基底金属电极，设置在所述MOV芯片的第一侧上；第二基底金属电极，设置在所述MOV芯片的与所述第一侧相对的第二侧上；所述第一基底金属电极和所述第二基底金属电极中的每一个都由铝形成并且具有5-200微米范围内的厚度；以及第一引线和第二引线分别直接连接到所述第一基底金属电极和第二基底金属电极。8.一种形成金属氧化物压敏变阻器MOV设备的方法，包括：提供MOV芯片；在所述所述MOV芯片的相对的第一侧和第二侧上形成第一基底金属电极层，第一基底金属电极层由银、铜和铝中的一种形成并且具有2-200微米范围内的厚...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘树英，雷鸣，陈国良，隋友群，
申请(专利权)人：东莞令特电子有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44