一种空穴传输元件及其有机电致发光器件制造技术

本发明专利技术提供一种空穴传输元件及其有机发光器件，属于有机光电材料技术领域。本发明专利技术提供的一种空穴传输元件由联芳胺类基质材料和呋喃、噻吩轴烯类掺杂材料组成。该元件可以通过基质与掺杂材料之间的协同效果，显著提高器件的导电性能；不同的基质材料和掺杂材料组合可以取得显著高于NPB掺杂F4TCNQ的效果，继而取得更高的发光效率。此外，由于本申请中掺杂剂的极性普遍很大，可以更好地分散在基质材料中，有效避免了发光效率的降低。

【技术实现步骤摘要】
一种空穴传输元件及其有机电致发光器件
本专利技术涉及有机光电材料
，具体涉及一种空穴传输元件及其有机电致发光器件。
技术介绍
近年来，人们普遍发现在空穴传输物质，如TPD、NPB或者MTDATA等中掺杂强电子受体如2,3,4,6-四氟-四腈基-1,4-苯醌二甲烷(F4TCNQ)，可以有效地提高空穴迁移率。经研究发现，这是由于受体分子通过电子供体材料中的电子转移过程产生空穴，导致了电导率的显著改变。掺杂可以明显提高了空穴传输材料的空穴迁移率，对有机光电材料领域有着巨大的意义。然而，空穴传输材料具有较深的HOMO能级，常常需要更强的掺杂物质进行匹配。因此有必要继续探索不同掺杂物质与基质材料间的最好组合。另一方面，由于掺杂物质在有机层中不均匀的扩散，导致界面间载流子迁移率的不一致，明显影响了发光效率，这些问题都需要研究改进。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术的目的在于提供一种空穴传输元件及其有机电致发光器件，特别是在空穴传输物质中，引入强电子受体分子，增加其空穴传输能力。采用本专利技术所述一种空穴传输元件制备的有机发光器件，具有更高的发光效率。本专利技术首先提供了一种空穴传输元件，其特征在于，包含：一种有机电致发光掺杂材料，如结构式I所示；和一种有机电致发光基质材料，如结构式II所示，其中，所述B选自O或者S；所述A1、A2、A3、A4、A5、A6、A7、A8独立的选自氰基、硝基、卤素、三氟甲基、三氟甲氧基、取代或未取代的C1～C30的烷基、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C3～C30的杂芳基中的一种；H-L-G结构式II其中，L选自C6～C30的取代或未取代的亚芳基、C3～C30的取代或未取代的亚杂芳基中的一种；H选自以下结构式II-1：其中，P选自C6～C30的取代或未取代的芳基、取代或未取代的C3～C30的杂芳基中的一种；M选自以下结构式II-1-1或结构式II-1-2：其中，n选自0～4的整数；D选自取代或未取代的C1～C10的烷基、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C3～C30的杂芳基、取代或未取代的C6～C30的芳胺基中的一种；X选自O、S、NR1、C(R2)2中的一种；R1选自取代或未取代的C1～C10的烷基、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C3～C30的杂芳基中的一种；R2选自C1～C30的取代或未取代的烷基、C6～C30的取代或未取代的芳基中的一种；R2可以相互连结成环；CY1、CY2独立的选自氢、取代或未取代的苯基、取代或未取代的萘基或者以下基团中的一种：其中，Y选自N(R4)、C(R5)2、S、SO2、O中的一种；R4选自取代或未取代的C1～C10的烷基、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C3～C30的杂芳基中的一种；R5选自取代或未取代的C1～C10的烷基、取代或未取代的C6～C30的芳基中的一种；R5可以相互连结成环；表示单键的连接位点所在位置；虚线表示并环的连接位点所在位置；其中，E选自氢、C1～C30的取代或未取代的烷基、C6～C30的取代或未取代的芳基、C6～C30的取代或未取代的杂芳基；C6～C30的取代或未取代的芳胺基中的一种；t选自0～4的整数；R6选自取代或未取代的C1～C30的烷基、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的杂芳基的C3～C30中的一种；Z为O、S、或C(R7)2；所述R7选自取代或未取代的C1～C10的烷基、取代或未取代的C6～C30芳基中的一种；R7可以相互连结成环；G选自以下结构式II-2：其中，R8、R9独立地选自氢、取代或未取代的C1～C10的烷基、取代或未取代的C1～C10的烷氧基、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C6～C30的芳胺基、取代或未取代的C3～C30的杂芳基中的一种；R8、R9可以相互连结生成五元环或六元环；r、q独立地选自0～5的整数。优选的，所述A1、A2、A3、A4独立的选自氰基、硝基、卤素、三氟甲基、三氯甲基、三氟甲氧基中的一种；A5、A6、A7、A8独立的选自氰基、硝基、卤素、三氟甲基、三氯甲基、三氟甲氧基或者结构式I-1至结构式I-3中的一种：其中，Z1至Z10独立的选自C-R10或者N，所述R10选自氢、氟、氯、溴、碘、三氟甲基、三氯甲基、氰基、硝基、三氟甲氧基、取代或未取代的C1～C10的烷基、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C3～C30的杂芳基中的一种。优选的，所述一种有机电致发光掺杂材料，选自结构式I-4或结构式I-5中的一种：优选的，所述一种有机电致发光掺杂材料，选自以下结构中的一种：优选的，所述有机电致发光基质材料，L选自以下结构所示：优选的，所述P选自取代或未取代的苯环，取代或未取代的萘环，取代或未取代的蒽环，取代或未取代的菲环中的一种。优选的，所述一种有机电致发光基质材料，选自以下结构中的一种：优选的，所述一种有机电致发光掺杂材料与一种有机电致发光基质材料的掺杂摩尔比为1:1到1:10000之间。本专利技术还提供一种有机电致发光器件，至少含有一对电极、有机发光层、有机功能层，其中有机功能层中至少含有权利要求1中所述一种空穴传输元件。本专利技术的有益效果：本专利技术提供的一种空穴传输元件由联芳胺类基质材料和呋喃、噻吩轴烯类掺杂材料组成。该元件可以通过基质与掺杂材料之间的协同效果，显著提高器件的导电性能；不同的基质材料和掺杂材料组合可以取得显著高于NPB掺杂F4TCNQ的效果，继而取得更高的发光效率。此外，由于本申请中掺杂剂的极性普遍很大，可以更好地分散在基质材料中，有效避免了发光效率的降低。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。本专利技术所述烷基是指烷烃分子中少掉一个氢原子而成的烃基，其可以为直链烷基、支链烷基、环烷基，实例可包括甲基、乙基、丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、戊基、异戊基、环戊基、环己基等，但不限于此。本专利技术所述芳基是指芳烃分子的芳核碳上去掉一个氢原子后，剩下一价基团的总称，其可以为单环芳基或稠环芳基，实例可包括苯基、联苯基、萘基、蒽基、菲基或芘基等，但不限于此。本专利技术所述杂芳基是指芳基中的一个或多个芳核碳被杂原子替代得到的基团的总称，所述杂原子包括但不限于氧、硫或氮原子，所述杂芳基可以为单环杂芳基或稠环杂芳基，实例可包括吡啶基、嘧啶基、吲哚基、喹啉基、异喹啉基等，但不限于此。本专利技术所述取代的芳基、取代的杂芳基，所述取代基实例可包括甲基、乙基、异丙基、叔丁基、苯基、萘基、蒽基、菲基、苯并菲基、苝基、芘基、苯甲基、甲氧基、甲硫基、苯氧基、苯硫基、芴基、9,9-二甲基芴基、二苯胺基、二甲胺基、咔唑基、9-苯基咔唑基、呋喃基、噻吩基、氰基、卤素原子、氘基、三苯基硅基、三甲基硅基、三氟甲基、吩噻嗪基、吩噁嗪基、吖啶基、哌啶基、吡啶基、吡嗪基、三嗪基、嘧啶基、联苯基、三联苯基、硝基等，但不限于此。本专利技术所述相互连接成环是指彼此接近的两个取代基之间相互连接，并且相互连接的位点与邻近的碳原子间构成环状化本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种空穴传输元件，其特征在于，包含：一种有机电致发光掺杂材料，如结构式I所示；和一种有机电致发光基质材料，如结构式II所示，

【技术特征摘要】
1.一种空穴传输元件，其特征在于，包含：一种有机电致发光掺杂材料，如结构式I所示；和一种有机电致发光基质材料，如结构式II所示，其中，所述B选自O或者S；所述A1、A2、A3、A4、A5、A6、A7、A8独立的选自氰基、硝基、卤素、三氟甲基、三氟甲氧基、取代或未取代的C1～C30的烷基、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C3～C30的杂芳基中的一种；H-L-G结构式II其中，L选自C6～C30的取代或未取代的亚芳基、C3～C30的取代或未取代的亚杂芳基中的一种；H选自以下结构式II-1：其中，P选自C6～C30的取代或未取代的芳基、取代或未取代的C3～C30的杂芳基中的一种；M选自以下结构式II-1-1或结构式II-1-2：其中，n选自0～4的整数；D选自取代或未取代的C1～C10的烷基、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C3～C30的杂芳基、取代或未取代的C6～C30的芳胺基中的一种；X选自O、S、NR1、C(R2)2中的一种；R1选自取代或未取代的C1～C10的烷基、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C3～C30的杂芳基中的一种；R2选自C1～C30的取代或未取代的烷基、C6～C30的取代或未取代的芳基中的一种；R2可以相互连结成环；CY1、CY2独立的选自氢、取代或未取代的苯基、取代或未取代的萘基或者以下基团中的一种：其中，Y选自N(R4)、C(R5)2、S、SO2、O中的一种；R4选自取代或未取代的C1～C10的烷基、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C3～C30的杂芳基中的一种；R5选自取代或未取代的C1～C10的烷基、取代或未取代的C6～C30的芳基中的一种；R5可以相互连结成环；表示单键的连接位点所在位置；虚线表示并环的连接位点所在位置；其中，E选自氢、C1～C30的取代或未取代的烷基、C6～C30的取代或未取代的芳基、C6～C30的取代或未取代的杂芳基；C6～C30的取代或未取代的芳胺基中的一种；t选自0～4的整数；R6选自取代或未取代的C1～C30的烷基、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的杂芳基的C3～C30中的...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙可一，高春吉，
申请(专利权)人：长春海谱润斯科技有限公司，
类型：发明
国别省市：吉林,22