晶圆裂片装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及一种晶圆裂片装置，包括：框架，用于固定待裂片晶圆；裂片头，位于所述框架上方或下方，具有一弧形顶面；支撑机构，支撑所述裂片头，用于带动所述裂片头升降以及带动所述裂片头在水平面内移动。所述裂片装置能够提高裂片效果。

【技术实现步骤摘要】
晶圆裂片装置
本技术涉及半导体
，尤其涉及一种晶圆裂片装置。
技术介绍
晶圆是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片，由于其形状为圆形，故称为晶圆。在半导体芯片的制作过程中，在晶圆表面形成多个芯片单元，称为晶粒。在制作过程中，需要对晶圆进行切割将晶圆分割成多个晶粒。激光切割是一种常用的方式，具体的，在晶圆背面贴膜之后，使用激光对晶圆的晶粒与晶粒之间的切割道上进行激光划片，形成横纵交错的多条切割线；然后通过裂片装置将晶粒分裂，形成多个独立的晶粒。现有技术中对晶圆进行裂片通常采用裂片刀沿着切割线进行裂片，容易造成晶粒边缘崩裂，并且，对于切割线的形状有特殊要求，裂片效率较低。并且，在裂片时，由于不同方向不是同时裂片，晶粒不同方向上收到的应力不同，容易从贴膜上脱落，造成损伤。为了避免晶粒在裂片过程中脱落，通常需要采用特殊的保护膜，成本较高。因此，需要提出一种新的裂片装置来克服上述问题。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题是，提供一种晶圆裂片装置，提高裂片的效率减少晶粒损伤。为了解决上述问题，本技术提供了一种晶圆裂片装置，包括：框架，用于固定待裂片晶圆；裂片头，位于所述框架上方或下方，具有一弧形顶面；支撑机构，支撑所述裂片头，用于带动所述裂片头升降以及带动所述裂片头在水平面内移动。可选的，包括：所述裂片头为球形、半球形、圆柱形、弧形棍或曲面层。可选的，所述裂片头在晶圆表面的投影小于晶圆的尺寸。可选的，所述裂片头的弧形顶面的曲率为15/m～120/m。可选的，所述支撑机构用于带动所述裂片头在水平面内作圆周运动。可选的，所述圆周运动的角速度为5°/s～100°/s。可选的，所述支撑机构还用于带动所述裂片头绕轴心旋转。可选的，所述裂片头绕轴心旋转的转速为5°/s～100°/s。可选的，还包括驱动机台，所述支撑机构另一端固定于所述驱动机台，由所述驱动机台驱动以带动所述裂片头移动。本技术的裂片装置包括一具有弧形顶面，通过所述弧形顶面顶起晶圆，撑开晶圆背面的保护膜，从而使得晶圆的晶粒之间裂开，由于所述晶圆具有弧形顶面，对于作用点各个方向都能施加作用力，使得横向和纵向的切割道同时裂开，因此对于切割道的形状要求不高，对于特殊的曲线形、倾斜的各种切割道都能实现裂片；由于作用点处的保护膜受到各个方向的作用力，各方向受力较为均匀，可以避免晶粒从保护膜上翘起等问题，因此，对于保护膜的要求较低，从而可以使用成本更低的保护膜。进一步的，由于可以同时对各个方向的切割道进行裂片，因此与现有的采用单方向的裂片刀裂片方式相比，可以提高裂片效率，提高产能。附图说明图1为本技术一具体实施方式的晶圆裂片装置的结构示意图。具体实施方式下面结合附图对本技术提供的晶圆裂片装置的具体实施方式做详细说明。请参考图1，为本技术一具体实施方式的晶圆裂片装置的具体结构示意图。所述晶圆裂片装置包括：框架101，用于固定待裂片晶圆200；裂片头102，位于所述框架101下方，具有一弧形顶面；支撑机构103，支撑所述裂片头102，用于带动所述裂片头102升降以及带动所述裂片头102在水平面内移动。待裂片晶圆200为已经过划片后的晶圆，背面贴有保护膜，可以是蓝膜或UV膜等。待裂片晶圆200固定于框架101上后，背面悬空朝向所述裂片头102。该具体实施方式中，所述裂片头102位于框架101下方；在本技术的其他具体实施方式中，所述裂片头102位于所述框架101上方。所述裂片头102具有弧形顶面，当需要对晶圆200进行裂片时，由所述支撑机构103带动裂片头102上升顶住晶圆200背面，使得晶圆发生形变。由于所述裂片头102具有弧形顶面，所述晶圆200凸起为弧形，使得与裂片头102接触位置处的晶圆200上横向及纵向的切割线同时裂开，使得晶粒分离，提高裂片效率。由于晶圆200的裂片位置处的保护膜以及晶粒同时受到各个方向的应力，因此使得晶粒各个位置处受到的应力较为均匀，减少发生崩边或从贴膜上脱落的风险。在该具体实施方式中，所述裂片头102为一弧形棍；在本技术的其他具体方式中，所述裂片头102还可以为球体、半球体、圆柱体或者曲面层等具有凸起的弧形表面的结构，并且，并且以所述凸起的弧形表面作为与晶圆接触时的顶面。为了提高裂片头102的裂片效果，所述裂片头102的尺寸小于晶圆尺寸；较佳的，所述裂片头102的尺寸略大于晶粒间切割道的尺寸。所述裂片头102的弧形顶面的曲率决定了再裂片过程中，晶圆发生形变的曲率。所述裂片头102的弧形顶面的曲率可以为15/m～120/m，相对较大的曲率使得裂片头102与晶圆的接触面较小，对裂片位置之外的区域影响较小。可以根据晶圆的切割道宽度、切割道深度选择合适的裂片头102尺寸与弧形顶面的曲率。晶圆切割道宽度越宽，裂片头尺寸越大，裂片头弧形顶面的曲率越小。所述支撑机构103可带动裂片头102在水平面内移动，以将晶圆200各处的晶粒之间裂开。较佳的，根据所述晶圆200的形状，所述支撑结构103带动裂片头在水平面内作圆周运动。例如，裂片头102可以首先顶住晶圆200中心位置，随后，围绕晶圆中心轴做半径逐渐增大的圆周运动，直至晶圆边缘，将晶圆各位置处的晶粒均依次裂开；或者裂片头102自晶圆200边缘开始做半径逐渐缩小的圆周运动，直至晶圆200中心。可以根据切割道之间的宽度、间距等设置裂片头102进行圆周运动的半径变化规律。在本技术的具体实施方式中，所述裂片头102进行圆周运动的角速度可以设置为5°/s～100°/s。进一步的，所述支撑机构102还用于带动所述裂片头102绕轴心旋转。所述裂片头102在做圆周运动的同时进行旋转，进一步提高对晶圆的裂片效果。所述裂片头102的绕轴心旋转的速率可以根据晶圆切割道的宽度、间距等进行调整。在本技术的具体实施方式中，所述裂片头102绕轴心旋转的速率可以设置为5°/s～100°/s。所述裂片装置还包括驱动机台，所述支撑机构102另一端连接至所述驱动机台，由所述驱动机台驱动所述支撑机构102移动从而带动所述裂片头102进行升降、圆周移动、旋转等运动。具体的，所述驱动机台可以包括步进电机，以精确控制所述裂片头102的运动状态。本技术的裂片装置包括一具有弧形顶面，通过所述弧形顶面顶起晶圆，撑开晶圆背面的保护膜，从而使得晶圆的晶粒之间裂开，由于所述晶圆具有弧形顶面，对于作用点各个方向都能施加作用力，使得横向和纵向的切割道同时裂开，因此对于切割道的形状要求不高，对于特殊的曲线形、倾斜的各种切割道都能实现裂片；由于作用点处的保护膜受到各个方向的作用力，各方向受力较为均匀，可以避免晶粒从保护膜上翘起等问题，因此，对于保护膜的要求较低，从而可以使用成本更低的保护膜。进一步的，由于可以同时对各个方向的切割道进行裂片，因此与现有的采用单方向的裂片刀裂片方式相比，可以提高裂片效率，提高产能。以上所述仅是本技术的优选实施方式，应当指出，对于本
的普通技术人员，在不脱离本技术原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本技术的保护范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶圆裂片装置，其特征在于，包括：框架，用于固定待裂片晶圆；裂片头，位于所述框架上方或下方，具有一弧形顶面；支撑机构，支撑所述裂片头，用于带动所述裂片头升降以及带动所述裂片头在水平面内移动。

【技术特征摘要】
1.一种晶圆裂片装置，其特征在于，包括：框架，用于固定待裂片晶圆；裂片头，位于所述框架上方或下方，具有一弧形顶面；支撑机构，支撑所述裂片头，用于带动所述裂片头升降以及带动所述裂片头在水平面内移动。2.根据权利要求1所述的晶圆裂片装置，其特征在于，包括：所述裂片头为球形、半球形、圆柱形、弧形棍或曲面层。3.根据权利要求1所述的晶圆裂片装置，其特征在于，所述裂片头在晶圆表面的投影小于晶圆的尺寸。4.根据权利要求1所述的晶圆裂片装置，其特征在于，所述裂片头的弧形顶面的曲率为15/m～120/m。5.根据权利要求1所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：王伟，
申请(专利权)人：王伟，
类型：新型
国别省市：上海,31