发光器件和发光器件封装制造技术

本发明专利技术涉及发光器件和发光器件封装。实施例中公开的发光器件封装包括：具有第一和第二通孔的第一和第二框架；布置在第一和第二框架之间的主体；包括第一结合焊盘和第二结合焊盘的发光器件；以及在第一和第二通孔中的导电部件。其中第一和第二结合焊盘中的至少一个面向第一和第二框架并且与第一和第二通孔重叠，并且包括接触导电部件的接触区域和不接触导电部件的第一非接触。

Packaging of Light Emitting Devices and Light Emitting Devices

The present invention relates to the packaging of light emitting devices and light emitting devices. The light emitting device package disclosed in the embodiment includes: a first and second frame with first and second through holes; a body arranged between the first and second frames; a light emitting device comprising a first bonding pad and a second bonding pad; and conductive components in the first and second through holes. At least one of the first and second bonding pads faces the first and second frames and overlaps with the first and second through holes, and includes a contact area of the contact conductive component and a first non-contact of the non-contact conductive component.

【技术实现步骤摘要】
发光器件和发光器件封装
本专利技术的实施例涉及半导体器件、半导体器件封装和制造半导体器件封装的方法。本专利技术的实施例涉及发光器件、发光器件封装和用于制造发光器件封装的空间。本专利技术的实施例涉及一种具有半导体器件封装或发光器件封装的光源装置。
技术介绍
包括诸如GaN、AlGaN等化合物的半导体器件可以具有诸如宽且易于调节的带隙能的许多优点，使得半导体器件可以被各种地用作发光器件、光接收器件、各种二极管等。具体地，随着薄膜生长技术和器件材料的发展，使用III-V族或II-VI族化合物半导体材料的发光器件，诸如发光二极管或激光二极管，具有能够实现红色、绿色、蓝色和紫外光等各种波长带的光的优点。此外，使用III-V族或II-VI族化合物半导体材料的发光器件，诸如发光二极管或激光二极管，可以通过使用荧光材料或通过组合颜色实现高效率的白光源。与诸如荧光灯、白炽灯等的传统光源相比，这种发光器件具有低功耗、半永久寿命、快速响应速度、安全性和环境友好性的优点。此外，当通过使用III-V族或II-VI族化合物半导体材料制造诸如光电探测器或太阳能电池的光接收器件时，因为器件材料的材料已经发展，在各种波长范围内的光被吸收以产生光学电流，使得可以使用从伽马射线到无线电波长区域的各种波长范围的光。此外，这种光接收器件可以具有响应速度快、安全、环境友好且易于控制装置材料的优点，使得光接收装置可以容易地用于功率控制、微波电路或通信模块。因此，半导体器件的应用扩展到光通信发送模块的发送模块、用作构成液晶显示器(LCD)的背光的冷阴极荧光灯(CCFL)的替代物的发光二极管背光、用作荧光灯或白炽灯的替代物的白色发光二极管照明装置、车辆前灯、用于检测气体或火的信号灯和传感器。另外，半导体器件的应用可以扩展到高频应用电路、其他功率控制装置和通信模块。发光器件可以用作pn结二极管，其具有通过使用周期表的III-V族或II-VI族元素将电能转换成光能的特性，并且可以通过控制化合物半导体的组成比提供各种波长。例如，氮化物半导体表现优异的热稳定性和宽带隙能，使得氮化物半导体在光学器件和高功率电子器件领域中受到关注。特别地，采用氮化物半导体的蓝色、绿色和UV发光器件已经商业化并被广泛使用。例如，紫外发光器件可以用作发射分布在200nm至400nm波长范围内的光的发光二极管，用于在波长带中具有短波长的情况下的消毒和净化，并且用于在长波长的情况下的曝光机、固化机等。紫外线可以按照长波长的顺序分被划分成三组UV-A(315nm至400nm)、UV-B(280nm至315nm)和UV-C(200nm至280nm)。UV-A(315nm至400nm)已经应用于各种领域，诸如用于工业用途的UV固化、印制油墨固化、曝光机、鉴别假冒、光催化消毒、特殊照明(水族箱/农业等)，UV-B(280nm至315nm)已经被用于医疗用途，并且UV-C(200nm至280nm)已经被应用于空气净化、水净化、灭菌产品等。同时，因为已经要求能够提供高输出的半导体器件，所以已经研究了能够通过应用高功率源来增加输出的半导体器件。此外，已经研究用于改进半导体器件的光提取效率和增强半导体器件封装中的封装级中的发光强度的方法。此外，在半导体器件封装中，已经执行增强封装电极和半导体器件之间的结合强度的方法的研究。此外，在半导体器件封装中，已经执行通过改进工艺效率和改变结构来降低制造成本和改进制造产量的方法的研究。
技术实现思路
根据本专利技术的实施例，能够提供发光器件封装或半导体器件封装，其中框架的通孔和半导体器件的结合焊盘或发光器件彼此面对。接触区域和开口区域或非接触区域被布置在结合焊盘中。根据本专利技术的实施例，在框架的通孔上布置的半导体器件的结合焊盘或发光器件包括接触区域和非接触区域，本专利技术提供半导体器件封装或发光器件封装，其可以分散(disperse)结合焊盘和导电部件之间的粘合。本专利技术的实施例能够提供能够改进光提取效率和电特性的半导体器件封装或发光器件封装。本专利技术的实施例能够提供能够改进工艺效率并且提供新的封装结构以降低制造成本和改进制造产量的半导体器件封装或发光器件封装。本专利技术的实施例能够提供一种半导体器件封装或发光器件封装，其能够防止在将半导体器件封装重新结合到衬底的工艺中在半导体器件封装的结合区域中发生再熔化现象。本专利技术的实施例涉及能够改进光提取效率和电性能的发光器件或半导体器件，以及具有发光器件或半导体器件的封装。根据本专利技术的实施例，提供一种能够通过在低温下提供小压力来执行稳定结合的发光器件或半导体器件、以及具有发光器件或半导体器件的封装。本专利技术的实施例提供一种半导体器件封装或发光器件封装，其能够防止在将半导体器件封装重新结合到衬底的工艺中在半导体器件封装的结合区域中发生再熔化现象。本专利技术的实施例能够提供具有被改进的器件或封装的可靠性的发光器件、制造半导体器件的方法、以及封装制造方法。本专利技术的实施例提供一种发光器件，包括：发光结构，其包括第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层、布置在第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层之间的有源层、以及多个凹槽，所述多个凹槽穿透第二导电类型半导体层和有源层以暴露第一导电类型半导体层的部分区域；第一绝缘层，其被布置在发光结构上并且在垂直方向上与多个凹槽重叠的区域中包括多个第一开口；第二绝缘层，其被布置在第一绝缘层上并且包括多个第二开口，所述多个第二开口在垂直方向上与多个第一开口重叠；以及多个第三开口，所述多个第三开口与所述多个第二开口隔开；第一电极，该第一电极被布置在第二绝缘层上并且在第二开口中电连接到第一导电类型半导体层；第二电极，该第二电极被布置在第二绝缘层上并且在第三开口中电连接到第二导电类型半导体层；第三绝缘层，该第三绝缘层被布置在第一和第二电极上，并包括与第一和第二电极的一部分垂直重叠的多个第四和第五开口；以及第一和第二结合焊盘，其被布置在第三绝缘层上，并分别在第四和第五开口中电连接到第一和第二电极，其中第一和第二电极包括多个第一和第二分支电极，均在第一方向中延伸，其中第一结合焊盘包括多个第二分支电极在其中延伸的第一凹部，其中第二结合焊盘包括多个第一分支电极在其中延伸的第二凹部，其中第一和第二结合焊盘在第一方向上重叠，其中第一凹部包括与第二结合焊盘相邻的第一结合焊盘的非接触区域，并且其中第二凹部包括与第一结合焊盘相邻的第二结合焊盘的非接触区域。根据本专利技术的实施例，第一和第二凹部可以布置为在第一方向上彼此偏移。根据本专利技术的实施例，其中第二凹部的数目大于第一凹部的数目，其中第二分支电极的数目大于第二凹部的数目，其中第一分支电极的数目等于第一凹部的数目。根据本专利技术的实施例，第二结合焊盘的尺寸可以大于第一结合焊盘的尺寸。根据本专利技术的实施例，发光器件封装包括：第一框架，其包括第一通孔；第二框架，其包括第二通孔；主体，其被布置在第一和第二框架之间；包括第一结合焊盘和第二结合焊盘的发光器件；包括第一导电部件的发光器件；以及第二通孔中的第二导电部件，其中第一通孔穿透第一框架的上表面和下表面，其中第二通孔穿透第二框架的上表面和下表面，其中第一结合焊盘面向第一框架并与第一通孔重叠，其中第二结合焊盘面向第二框架并与第二通孔重叠，其中第一结合焊盘包括与第一本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种发光器件，包括：发光结构，所述发光结构包括第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层、布置在所述第一导电类型半导体层和所述第二导电类型半导体层之间的有源层、以及多个凹槽，所述多个凹槽穿透所述第二导电类型半导体层和所述有源层以暴露所述第一导电类型半导体层的部分区域；第一绝缘层，所述第一绝缘层被布置在所述发光结构上并且在垂直方向上与所述多个凹槽重叠的区域中包括多个第一开口；第二绝缘层，所述第二绝缘层被布置在所述第一绝缘层上并且包括多个第二开口和多个第三开口，所述多个第二开口在垂直方向上与所述多个第一开口重叠，所述多个第三开口与所述多个第二开口隔开；第一电极，所述第一电极被布置在所述第二绝缘层上并且在所述第二开口中电连接到所述第一导电类型半导体层；第二电极，所述第二电极被布置在所述第二绝缘层上并且在所述第三开口中电连接到所述第二导电类型半导体层；第三绝缘层，所述第三绝缘层被布置在所述第一和第二电极上，并且包括与所述第一和第二电极的一部分垂直地重叠的多个第四和第五开口；以及第一结合焊盘和第二结合焊盘，所述第一结合焊盘和所述第二结合焊盘被布置在所述第三绝缘层上，并且在所述第四和第五开口中分别电连接到所述第一电极和所述第二电极，其中，所述第一电极和所述第二电极包括多个第一和第二分支电极，所述多个第一和第二分支电极中的每个在第一方向中延伸，其中，所述第一结合焊盘包括第一凹部，所述多个第二分支电极在所述第一凹部中延伸，其中，所述第二结合焊盘包括第二凹部，所述多个第一分支电极在所述第二凹部中延伸，其中，所述第一结合焊盘和所述第二结合焊盘在所述第一方向上重叠，其中，所述第一凹部包括与所述第二结合焊盘相邻的所述第一结合焊盘的非接触区域，以及其中，所述第二凹部包括与所述第一结合焊盘相邻的所述第二结合焊盘的非接触区域。...

【技术特征摘要】
2017.07.13 KR 10-2017-0088755;2017.08.25 KR 10-2011.一种发光器件，包括：发光结构，所述发光结构包括第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层、布置在所述第一导电类型半导体层和所述第二导电类型半导体层之间的有源层、以及多个凹槽，所述多个凹槽穿透所述第二导电类型半导体层和所述有源层以暴露所述第一导电类型半导体层的部分区域；第一绝缘层，所述第一绝缘层被布置在所述发光结构上并且在垂直方向上与所述多个凹槽重叠的区域中包括多个第一开口；第二绝缘层，所述第二绝缘层被布置在所述第一绝缘层上并且包括多个第二开口和多个第三开口，所述多个第二开口在垂直方向上与所述多个第一开口重叠，所述多个第三开口与所述多个第二开口隔开；第一电极，所述第一电极被布置在所述第二绝缘层上并且在所述第二开口中电连接到所述第一导电类型半导体层；第二电极，所述第二电极被布置在所述第二绝缘层上并且在所述第三开口中电连接到所述第二导电类型半导体层；第三绝缘层，所述第三绝缘层被布置在所述第一和第二电极上，并且包括与所述第一和第二电极的一部分垂直地重叠的多个第四和第五开口；以及第一结合焊盘和第二结合焊盘，所述第一结合焊盘和所述第二结合焊盘被布置在所述第三绝缘层上，并且在所述第四和第五开口中分别电连接到所述第一电极和所述第二电极，其中，所述第一电极和所述第二电极包括多个第一和第二分支电极，所述多个第一和第二分支电极中的每个在第一方向中延伸，其中，所述第一结合焊盘包括第一凹部，所述多个第二分支电极在所述第一凹部中延伸，其中，所述第二结合焊盘包括第二凹部，所述多个第一分支电极在所述第二凹部中延伸，其中，所述第一结合焊盘和所述第二结合焊盘在所述第一方向上重叠，其中，所述第一凹部包括与所述第二结合焊盘相邻的所述第一结合焊盘的非接触区域，以及其中，所述第二凹部包括与所述第一结合焊盘相邻的所述第二结合焊盘的非接触区域。2.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述第一凹部和所述第二凹部被布置为在所述第一方向上彼此偏移。3.根据权利要求1或者2所述的发光器件，其中，所述第二凹部的数目大于所述第一凹部的数目，其中，所述第二分支电极的数目大于所述第二凹部的数目，其中，所述第一分支电极的数目等于所述第一凹部的数目。4.根据权利要求1或者2所述的发光器件，其中，所述第二结合焊盘的尺寸大于所述第一结合焊盘的尺寸。5.一种发光器件封装，包括：第一框架，所述第一框架具有第一通孔；第二框架，所述第二框架具有第二通孔；主体，所述主体被布置在所述第一框架和所述第二框架之间；发光器件，所述发光器件包括第一结合焊盘和第二结合焊盘；在所述第一通孔中的第一导电部件；以及在所述第二通孔中的第二导电部件，其中，所述第一通孔穿过所述第一框架的上表面和下表面，其中，所述第二通孔穿过所述第二框架的上表面和下表面，其中，所述第一结合焊盘面向所述第一框架并且在垂直方向中与所述第一通孔重叠，其中，所述第二结合焊盘面向所述第二框架并且在所述垂直方向中与所述第二通孔重叠，以及其中，所述第一结合焊盘包括第一接触区域和第一非接触区域，所述第一接触区域与所述第一通孔上的所述第一导电部件接触，所述第一非接触区域不与所述第一导电部件接触。6.根据权利要求5所述的发光器件封装，其中，所述第二结合焊盘具有第二接触区域和第二非接触区域，所述第二接触区域与所述第二通孔上的第二导电部件接触，所述第二非接触区域不与所述第二导电部件接触。7.根据权利要求6所述的发光...

【专利技术属性】
技术研发人员：任仓满，金基石，金永信，宋俊午，吴周炫，李昌炯，李太星，郑势演，崔炳然，黃盛珉，
申请(专利权)人：LG伊诺特有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR