薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示装置，包括：有源层图形、源极和漏极，源极和漏极覆盖有源层图形的部分区域，有源层图形上未被源极和漏极所覆盖的部分为可导电图形，可导电图形包括：连接源极和漏极的主体部和位于主体部两侧的若干个凸起部，凸起部与主体部连接。本发明专利技术的技术方案通过在连接源极和漏极的主体部的两侧分别设置若干个凸起部，可使得可导电图形中连接源极和漏极的边缘可导电区域的长度增长，从而使得边缘可导电区域的阈值电压增大，边缘可导电区域能够后于主可导电区域导通，进而可有效解决因边缘可导电区域先于主可导电区域导通后产生漏电流的问题，有效提升薄膜晶体管的工作稳定性。

Thin film transistor and its preparation method, array substrate and display device

The invention discloses a thin film transistor and its preparation method, an array substrate and a display device, comprising: an active layer pattern, a source and a drain, a source and a drain covering part of an active layer pattern, a conductive pattern on an active layer pattern that is not covered by the source and a drain, and a conductive pattern comprising a main part connecting the source and the drain and a body part located on both sides of the main body. Several protrusions are connected with the main body. The technical scheme of the invention can increase the length of the edge conductive region connecting the source and the drain in the conductive pattern by setting several protrusions on both sides of the main part connecting the source and the drain, thereby increasing the threshold voltage of the edge conductive region and enabling the edge conductive region to conduct after the main conductive region, thereby effectively solving the problem of edge conductive region. The leakage current problem occurs when the conductive region is turned on before the main conductive region, which effectively improves the stability of thin film transistors.

【技术实现步骤摘要】
薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示装置
本专利技术涉及显示
，特别涉及一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示装置。
技术介绍
图1为现有的薄膜晶体管的俯视图，如图1所示，该薄膜晶体管包括：形状为矩形的有源层图形3、与有源层图形3连接的源极1和漏极2，源极1覆盖有源层图形3的部分区域，漏极2覆盖有源层图形3的部分区域，有源层图形3上未被源极1和漏极2所覆盖的部分为该薄膜晶体管的可导电区域。在薄膜晶体管上施加有一定的栅源电压后，在可导电区域中形成有导电沟道，薄膜晶体管中的源极1和漏极2导通。在通过刻蚀工艺对有源层薄膜进行刻蚀以形成有源层图形3时，不可避免的会在有源层图形3的边缘区域形成斜坡。此时，可导电区域包括主可导电区域main和位于主可导电区域main两侧的边缘可导电区域sub。由于边缘可导电区域sub的宽度较窄，载流子在源极1和漏极2之间运动时运动路径呈直线(边缘可导电区域sub对应的沟道长度近似等于源极1和漏极2之间的间距)；而主可导电区域main的宽度较宽，载流子在源极1和漏极2之间运动时运动路径呈曲线(主可导电区域main对应的沟道长度明显大于源极1和漏极2之间的间距)。相应地，边缘可导电区域sub的阈值电压小于主可导电区域main的阈值电压，边缘可导电区域sub先于主可导电区域main形成导电沟道(边缘可导电区域先于主可导电区域导通)，此时在边缘可导电区域sub中会存在漏电流，相应地薄膜晶体管的伏安特性曲线会出现驼峰(Humping)现象，薄膜晶体管的工作稳定性较差。
技术实现思路
本专利技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示装置。为实现上述目的，本专利技术提供了一种薄膜晶体管，包括：有源层图形、源极和漏极，所述源极覆盖所述有源层图形的部分区域，所述漏极覆盖所述有源层图形的部分区域，所述有源层图形上未被所述源极和所述漏极所覆盖的部分为可导电图形，所述可导电图形包括：连接所述源极和漏极的主体部和位于所述主体部两侧的若干个凸起部，所述凸起部与所述主体部连接。可选地，所述凸起部的形状为矩形、三角形或梯形。可选地，位于所述主体部两侧的凸起部的数量相等。可选地，所述可导电图形为轴对称图形或中心对称图形。可选地，所述薄膜晶体管中的所述有源层图形的数量为2个或多个。可选地，所述主体部的宽度范围包括：5um～15um。为实现上述目的，本专利技术还提供了一种阵列基板，包括：薄膜晶体管，该薄膜晶体管采用上述的薄膜晶体管。为实现上述目的，本专利技术还提供了一种显示装置，包括阵列基板，该阵列基板采用上述的阵列基板。为实现上述目的，本专利技术还提供了一种薄膜晶体管的制备方法，包括：在衬底基板上形成有源层图形、源极和漏极，所述源极和所述漏极均与所述有源层连接，所述，所述源极覆盖所述有源层图形的部分区域，所述漏极覆盖所述有源层图形的部分区域，所述有源层图形上未被所述源极和所述漏极所覆盖的部分为可导电图形，所述可导电图形包括：连接所述源极和漏极的主体部和位于所述主体部两侧的若干个凸起部，所述凸起部与所述主体部连接。可选地，形成有源层图形、源极和漏极的步骤具体包括：在衬底基板上形成有源层材料薄膜；在有源层材料薄膜背向所述衬底基板的一侧且对应预设区域形成刻蚀阻挡层，所述预设区域包括主体区域和凸起区域，所述主体区域与后续待形成的可导电图形的主体部对应，所述凸起区域与后续待形成的可导电图形的凸起部对应；在所述刻蚀阻挡层和所述有源层材料薄膜背向所述衬底基板的一侧形成导电材料薄膜；在所述导电材料薄膜背向所述衬底基板的一侧形成光刻胶；使用掩膜板对所述光刻胶进行曝光、显影处理，对应于后续待形成源极和漏极的区域的光刻胶完全保留；对所述导电材料薄膜和有源层材料薄膜进行刻蚀，所述导电材料薄膜上对应所述光刻胶的部分完全保留以得到所述源极和所述漏极的图形，所述有源层材料薄膜对应所述光刻胶的部分和对应所述刻蚀阻挡层的部分完全保留以得到所述有源层的图形。可选地，形成有源层图形、源极和漏极的步骤具体包括：在衬底基板上形成有源层材料薄膜；在所述有源层材料薄膜背向所述衬底基板的一侧形成导电材料薄膜；在所述导电材料薄膜背向所述衬底基板的一侧形成光刻胶；使用半色调掩膜板对所述光刻胶进行曝光、显影处理，对应于待形成源极和漏极的区域的光刻胶完全保留，对应于预设区域的光刻胶部分保留，所述预设区域包括主体区域和凸起区域，所述主体区域与后续待形成的可导电图形的主体部对应，所述凸起区域与后续待形成的可导电图形的凸起部对应；对所述导电材料薄膜、所述有源层材料薄膜进行刻蚀，所述导电材料薄膜和所述有源层材料薄膜对应光刻胶的部分完全保留，以得到所述有源层图形；对所述光刻胶进行灰化处理，对应于源极和漏极的区域的光刻胶部分保留，位于预设区域的光刻胶完全去除；对所述导电材料薄膜进行刻蚀，所述导电材料薄膜位于光刻胶下方的部分完全保留以得到所述源极和所述漏极的图形。本专利技术具有以下有益效果：本专利技术提供了一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示装置，其中该薄膜晶体管包括：有源层图形、源极和漏极，源极覆盖有源层图形的部分区域，漏极覆盖有源层图形的部分区域，有源层图形上未被源极和漏极所覆盖的部分为可导电图形，可导电图形包括：连接源极和漏极的主体部和位于主体部两侧的若干个凸起部，凸起部与主体部连接。本专利技术的技术方案通过在连接源极和漏极的主体部的两侧分别设置若干个凸起部，可使得可导电图形中连接源极和漏极的边缘可导电区域的长度增长，从而使得边缘可导电区域的阈值电压增大，边缘可导电区域能够后于主可导电区域导通，进而可有效解决因边缘可导电区域先于主可导电区域导通后产生漏电流的问题，有效提升薄膜晶体管的工作稳定性。附图说明图1为现有的薄膜晶体管的俯视图；图2为本专利技术实施例一提供的一种薄膜晶体管的俯视图；图3为图2中A-A向的截面示意图；图4为本专利技术提供的薄膜晶体管与现有技术中的薄膜晶体管的伏安特性曲线示意图；图5为本专利技术实施例一提供的又一种薄膜晶体管的俯视图；图6为本专利技术实施例一提供的另一种薄膜晶体管的俯视图；图7为本专利技术实施例二提供的一种薄膜晶体管的俯视图；图8为本专利技术实施例六提供的一种薄膜晶体管的制备方法的流程图；图9为本专利技术实施例七提供的一种薄膜晶体管的制备方法的流程图。具体实施方式为使本领域的技术人员更好地理解本专利技术的技术方案，下面结合附图对本专利技术提供的一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示装置进行详细描述。图2为本专利技术实施例一提供的一种薄膜晶体管的俯视图，图3为图2中A-A向的截面示意图，如图2和图3所示，该薄膜晶体管包括：有源层图形3、源极1和漏极2，源极1覆盖有源层图形3的部分区域，漏极2覆盖有源层图形3的部分区域，有源层图形3上未被源极1和漏极2所覆盖的部分为可导电图形4，可导电图形4包括：连接源极1和漏极2的主体部5和位于主体部5两侧的若干个凸起部6，凸起部6与主体部5连接。需要说明的是，本专利技术中的薄膜晶体管既可以为底栅型薄膜晶体管，也可以为顶栅型薄膜晶体管。此外，源极1和漏极2既可以位于有源层的上方，也可以位于有源层的下方。本专利技术的技术方案对此不作限定。在通过构图工艺制备本专利技术中的有源层图形3时，也不可避免的在有源层图形3的边缘区本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：有源层图形、源极和漏极，所述源极覆盖所述有源层图形的部分区域，所述漏极覆盖所述有源层图形的部分区域，所述有源层图形上未被所述源极和所述漏极所覆盖的部分为可导电图形，所述可导电图形包括：连接所述源极和漏极的主体部和位于所述主体部两侧的若干个凸起部，所述凸起部与所述主体部连接。

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：有源层图形、源极和漏极，所述源极覆盖所述有源层图形的部分区域，所述漏极覆盖所述有源层图形的部分区域，所述有源层图形上未被所述源极和所述漏极所覆盖的部分为可导电图形，所述可导电图形包括：连接所述源极和漏极的主体部和位于所述主体部两侧的若干个凸起部，所述凸起部与所述主体部连接。2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述凸起部的形状为矩形、三角形或梯形。3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，位于所述主体部两侧的凸起部的数量相等。4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述可导电图形为轴对称图形或中心对称图形。5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管中的所述有源层图形的数量为2个或多个。6.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述主体部的宽度范围包括：5um～15um。7.一种阵列基板，其特征在于，包括：如上述权利要求1-6中任一所述的薄膜晶体管。8.一种显示装置，其特征在于，包括：如上述权利要求7所述的阵列基板。9.一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括：在衬底基板上形成有源层图形、源极和漏极，所述源极和所述漏极均与所述有源层连接，所述，所述源极覆盖所述有源层图形的部分区域，所述漏极覆盖所述有源层图形的部分区域，所述有源层图形上未被所述源极和所述漏极所覆盖的部分为可导电图形，所述可导电图形包括：连接所述源极和漏极的主体部和位于所述主体部两侧的若干个凸起部，所述凸起部与所述主体部连接。10.根据权利要求9所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，形成有源层图形、源极和漏极的步骤具体包括：在衬底基板上形成有源层材料薄膜；在有源层材料薄膜背向所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：王骏，黄中浩，赵永亮，林承武，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，重庆京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11