The invention provides a method for realizing multi-value memory, which includes: a multi-value storage area composed of multiple storage modules; a row decoding module; a column writing circuit module with D/A conversion and a column readout circuit module with A/D conversion; wherein the storage module includes multiple storage units and reset driving circuits; the storage unit includes at least one switch tube and one with. The PN junction capacitor with surface potential pinning connected to the switch tube is described. The reset driving circuit comprises at least one reset tube and one drive tube.
【技术实现步骤摘要】
多值存储器的实现方法
本专利技术涉及存储处理领域,特别涉及一种多值(多bit)存储器的实现方法。
技术介绍
随机存取存储器(RAM,randomaccessmemory)的存储数据可按需读出或写入,且读写的速度与该数据的存储位置无关。这种存储器是存储器中读写速度最快的,但在断电时将丢失其存储的数据,故主要用于存储短时间使用的数据。按照存储信息的不同,随机存储器又可以分为静态随机存储器(StaticRAM,SRAM)和动态随机存储器(DynamicRAM,DRAM)。现有的一种SRAM如图1所示,其存储单元是一个触发器,由6个MOS管组成,即第一MOS管Q1、第二MOS管Q2、第三MOS管Q3、第四MOS管Q4、第五MOS管Q5、第六MOS管Q6,它具有两个稳定的状态,也叫做双稳态触发器。SRAM具有较快的存储速度和较小的功率消耗。但是相对于动态存储器,在相同的存储容量下SRAM所占面积较大,比较适合需要快速存取资料并且资料量不大的需求。现有的一种DRAM如图2所示,其存储单元是由一个MOS管M1和电容器C1组成的记忆电路,其中MOS管M1用作开关,所述电容器C1用作存储介质。DRAM的电容器C1一般采用堆叠式或者沟槽式的方式形成,优点是占地面积小,可以做到大容量,缺点是工艺上相比较逻辑电路复杂很多,而且存取速度比SRAM慢。DRAM的另一个缺点是存储单元是基于电容器C1上的电荷量存储,这个电荷量随着时间和温度而减少,因此必须定期地刷新,以保持它们原来记忆的正确信息。DRAM的再一个缺点是由于电容器C1和MOS管M1之间导电互连,因此就存在一个用来导电互连的 ...
【技术保护点】
1.一种多值存储器的实现方法,其特征在于,包括:多个存储模块组成的多值存储区;行译码模块;带有D/A转换的列写入电路模块与带有A/D转换的列读出电路模块;其中,所述存储模块包括多个存储单元与复位驱动电路;所述存储单元至少包括:一个开关管和一个与所述开关管相连的表面势钉扎的PN结电容;所述复位驱动电路至少包括:一个复位管和一个驱动管。
【技术特征摘要】
1.一种多值存储器的实现方法,其特征在于,包括:多个存储模块组成的多值存储区;行译码模块;带有D/A转换的列写入电路模块与带有A/D转换的列读出电路模块;其中,所述存储模块包括多个存储单元与复位驱动电路;所述存储单元至少包括:一个开关管和一个与所述开关管相连的表面势钉扎的PN结电容;所述复位驱动电路至少包括:一个复位管和一个驱动管。2.根据权利要求1所述的多值存储器的实现方法,其特征在于,控制列写入电路模块中的D/A电路,将需要保存的多位宽数据转换为一特定电压,通过开启某一存储模块的复位管和与所述复位管相连的某一存储单元的开关管,在所述存储单元的PN结电容上注入和所述特定电压相对应的电荷;关闭所述开关管,使得所述PN结电容表面处于钉扎状态,完成对所述存储单元写入所述多位宽数据的操作。3.根据权利要求1所述的多值存储器的实现方法,其特征在于,通过复位某一存储模块,读出所述存储模块的浮动扩散区的参考电压,控制所述存储模块中的一特定存储单元的开关管,将该存储单元PN结电容中存储的电荷转移至所述浮动扩散区,读出该浮动扩散区的信号电压;完成相关双采样操作,得到存储在所述特定存储单元的电荷值,将其转换为所述特定存储单元所存储的多位宽数据,完成对所述特定存储单元的读出操作。4.根据权利要求3所述的多值存储器的实现方法,其特征在于,在读出操作中,所述特定存储单元PN结电容中存储的电荷转移后,所述PN结实现全耗尽,以达到减小噪声的目的。5.根据权利要求1所述的多值存储器的实现方法...
【专利技术属性】
技术研发人员:赵立新,
申请(专利权)人:格科微电子上海有限公司,
类型:发明
国别省市:上海,31
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