电平转换电路制造技术

本发明专利技术涉及电路技术领域，尤其涉及一种电平转换电路，包括，信号输入控制端、信号输出控制端、用于将所述信号输入控制端输入的高或低电平信号转换为相对应的高或低电平的电平转换模块；其中，所述电平转换模块的输入端与所述信号输入控制端连接，所述电平转换模块的输出端与所述信号输出控制端连接。通过设置在所述电平转换电路内的电平转换模块，实现了在不同高低电平之间的转换功能，解决了在高速频率下信号失真以及受干扰的情况。

【技术实现步骤摘要】
电平转换电路
本专利技术涉及电路
，尤其涉及一种电平转换电路。
技术介绍
随着社会的发展，各种电子产品日新月异，一款好的电子产品其内部的电路设计也很好，由于客户对产品内部的各种电路设计的要求越来越高，使得现有的很多技术没法满足客户的多样性需求。比如目前，在覆晶薄膜(ChipOnFlex，COF)的电路设计时，COF需要的最大时序为1.8V，而此电路中的时序控制电路(TimmingController，T-CON)产生的时序为3.3V，T-CON中产生的时序电压远大于其COF所能承受的电压，如果直接将T-CON产生的时序传输给COF，就会很容易将COF器件烧毁失效，这样，产品的安全性能存在隐患。现有设计中一般使用电阻分压的方案来解决上述的问题，但是这种电阻分压的设计在高速频率下，一定会有信号失真和被干扰的情况发生，对产品的性能有不利影响。因此，现有的使用电阻分压的形式来实现高低电平转换的技术方案会存在信号失真以及容易产生信号干扰的问题，不利于产品性能的发挥，需要进一步的提出完善和改进的方案。
技术实现思路
本专利技术提供一种电平转换电路，以解决现有技术中的电阻分压高速频率下信号易失真及易被干扰的问题。为解决上述技术问题，本专利技术提供的技术方案如下：根据本公开实施例的第一方面，提供了一种电平转换电路，包括，信号输入控制端、信号输出控制端、用于将所述信号输入控制端输入的高或低电平信号转换为相对应的高或低电平的电平转换模块；其中，所述电平转换模块的输入端与所述信号输入控制端连接，所述电平转换模块的输出端与所述信号输出控制端连接；所述电平转换模块包括第一电源、第一N场NMOS管以及第一电阻，所述第一N场NMOS管的栅极与所述信号输入控制端连接，所述第一N场NMOS管的源极接地，所述第一N场NMOS管的漏极与第一电阻一端连接，所述第一电阻的另一端连接所述第一电源；所述电平转换模块还包括第二电源、第二N场NMOS管以及第二电阻，所述第二N场NMOS管的漏极与所述信号输出控制端连接，所述第二N场NMOS管的栅极与所述第一N场NMOS管的漏极连接，所述第二N场NMOS管的源极与所述第一N场NMOS管的源极连接，所述第二N场NMOS管的漏极与所述第二电阻一端连接，所述第二电阻的另一端连接所述第二电源。根据本专利技术一优选实施例，所述第一电阻用于滤波。根据本专利技术一优选实施例，所述第一电阻为4K7R2J型。根据本专利技术一优选实施例，所述第二电阻与高电平相连接。根据本专利技术一优选实施例，所述第二电阻为4K7R2J型。根据本专利技术一优选实施例，所述第一电阻和第二电阻的阻值范围为1000-5000Ω。根据本专利技术一优选实施例，所述第一电阻、第二电阻型号相同。根据本专利技术一优选实施例，所述信号输出控制端的电平与所述信号输入端的电平相同。根据本专利技术一优选实施例，所述第二电源端的电压大于或等于所述第一电源端的电压。综上所述，本专利技术的有益效果为：本专利技术提供了一种电平转换电路，所述电平转换电路包括信号输入控制端、信号输出控制端、用于将所述信号输入控制端输入的高或低电平信号转换为相对应的高或低电平的电平转换模块。在信号输入控制端输入高电平时，信号输出控制端输出高电平；当信号输入控制端输入低电平时，信号输出控制端输出低电平。本专利技术提供的电平转换电路无使用电容器件，使电路反应速度更快。通过电平转换模块，不仅能保证电平的输出，还保证了高速信号不失真，外界干扰小的功能，使器件的性能更加的稳定。附图说明为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本专利技术的电平转换电路的结构示意图；具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。在本专利技术的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本专利技术的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本专利技术的不同结构。为了简化本专利技术的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本专利技术。此外，本专利技术可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母，这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外，本专利技术提供了的各种特定的工艺和材料的例子，但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。本专利技术实施例提供了一种电平转换电路，如图1所示，图1为所述电平转换电路的结构示意图。该电平转换电路包括：信号输入控制端20，信号输出控制端30，用于将所述信号输入端信号进行转换的电平转换模块10，电平转换模块10的输入端40，电平转换模块10的输出端50。根据图1所示，所述电平转换电路中起主要作用的为所述电平转换模块10。所述电平转换模块10的输入端40与所述信号输入控制端20连接，在电平转换模块10内，包括有第一N场NMOS管Q1、第二N场NMOS管Q2；第一电阻R1、第二电阻R2；第一电源VDD1、第二电源VDD2。本实施例通过上述器件组成的电平转换模块10组成的电路，其中，所述第一N场NMOS管Q1的栅极与所述信号输入控制端20连接，所述第一N场NMOS管Q1的源极接地，所述第一N场NMOS管Q1的漏极与第一电阻R1的一端相连接，所述第一电阻R1的另一端连接所述的第一电源VDD1。由于第一电阻R1连接的第一电源VDD1与输出信号的高电平相等，这样能够保证在高速信号时，不出现失真的情况，并避免外界的信号干扰情况。本实施例中，如图1所示，电平转换模块10的结构中，还包括所述第二N场NMOS管Q2的漏极与所述信号输出控制端50连接，所述第二N场NMOS管Q2的栅极与所述第一N场NMOS管Q1的漏极连接，所述第二N场NMOS管Q2的源极与所述第一N场NMOS管Q1的源极连接并接地，所述第二N场NMOS管Q2的漏极与所述第二电阻R2的一端相连接，所述第二电阻R2的另一端连接至所述第二电源VDD2。在图1所示的电平转换电路中，当信号输入控制端20输入为高电平时，Q1为导通，Q2的栅极为低电平，电平为0，Q2为截止，此时，信号输出控制端30就会输出所述第二电源VDD2的高电平；当信号输入控制端20输入为低电平时，Q1此时为截止，Q2的栅极为高电平，Q2此时为导通，信号本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电平转换电路，其特征在于，包括，信号输入控制端、信号输出控制端、用于将所述信号输入控制端输入的高或低电平信号转换为相对应的高或低电平的电平转换模块，其中，所述电平转换模块的输入端与所述信号输入控制端连接，所述电平转换模块的输出端与所述信号输出控制端连接；所述电平转换模块包括第一电源、第一N场NMOS管以及第一电阻，所述第一N场NMOS管的栅极与所述信号输入控制端连接，所述第一N场NMOS管的源极接地，所述第一N场NMOS管的漏极与第一电阻一端连接，所述第一电阻的另一端连接所述第一电源；所述电平转换模块还包括第二电源、第二N场NMOS管以及第二电阻，所述第二N场NMOS管的漏极与所述信号输出控制端连接，所述第二N场NMOS管的栅极与所述第一N场NMOS管的漏极连接，所述第二N场NMOS管的源极与所述第一N场NMOS管的源极连接，所述第二N场NMOS管的漏极与所述第二电阻一端连接，所述第二电阻的另一端连接所述第二电源。

【技术特征摘要】
1.一种电平转换电路，其特征在于，包括，信号输入控制端、信号输出控制端、用于将所述信号输入控制端输入的高或低电平信号转换为相对应的高或低电平的电平转换模块，其中，所述电平转换模块的输入端与所述信号输入控制端连接，所述电平转换模块的输出端与所述信号输出控制端连接；所述电平转换模块包括第一电源、第一N场NMOS管以及第一电阻，所述第一N场NMOS管的栅极与所述信号输入控制端连接，所述第一N场NMOS管的源极接地，所述第一N场NMOS管的漏极与第一电阻一端连接，所述第一电阻的另一端连接所述第一电源；所述电平转换模块还包括第二电源、第二N场NMOS管以及第二电阻，所述第二N场NMOS管的漏极与所述信号输出控制端连接，所述第二N场NMOS管的栅极与所述第一N场NMOS管的漏极连接，所述第二N场NMOS管的源极与所述第一N场NMOS管的源极连接，所述第二N场NMOS管的漏极与所述第二电阻一端连接，所述第二电阻的另一端连...

【专利技术属性】
技术研发人员：李继龙，王月，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44