显示面板及其制造方法、显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种显示面板及其制造方法、显示装置，属于显示技术领域。所述显示面板包括：设置在衬底基板上的辅助阴极层和阳极层，以及，在设置有所述阳极层的衬底基板上层叠设置的发光层和阴极层，所述阳极层与所述辅助阴极层绝缘；所述辅助阴极层包括至少一个辅助阴极结构，每个所述辅助阴极结构远离所述衬底基板的表面上设置有至少一个凹槽，所述阴极层在所述凹槽内与所述辅助阴极层接触。本发明专利技术增大了辅助阴极与阴极层的接触面积，减小了辅助阴极结构与阴极层的并联电阻，达到了减小阴极结构的电阻的效果，有效的保证了显示面板的显示效果。本发明专利技术用于显示图像。

【技术实现步骤摘要】
显示面板及其制造方法、显示装置
本专利技术涉及显示
，特别涉及一种显示面板及其制造方法、显示装置。
技术介绍
有机发光二极管(英文：OrganicLight-emittingDiode；缩写：OLED)显示面板可以包括阳极、像素界定层、有机发光层和阴极等。其中，可以通过阴极与阳极之间形成的电压差控制有机发光层的亮度。但是，当阴极的电阻较大时，该阴极对该电压差的影响显著，导致显示面板的显示出现亮度梯度。相关技术中，可以通过设置阴极结构来代替原有的阴极的功能，该阴极结构包括：并联的阴极和辅助阴极，且该辅助阴极由金属制成。该阴极结构的电阻为阴极与辅助阴极的并联电阻，且该并联电阻小于原有的阴极的电阻。但是，为了保证显示面板中像素单元的开口率，辅助阴极的面积通常较小，导致阴极与辅助阴极的并联电阻仍较大，显示面板的显示效果仍然会受到影响。
技术实现思路
本专利技术实施例提供了一种显示面板及其制造方法、显示装置，可以解决相关技术中阴极与辅助阴极的并联电阻较大，显示面板的显示效果会受到影响的问题。所述技术方案如下：第一方面，提供了一种显示面板，包括：设置在衬底基板上的辅助阴极层和阳极层，以及，在设置有所述阳极层的衬底基板上层叠设置的发光层和阴极层，所述阳极层与所述辅助阴极层绝缘；所述辅助阴极层包括至少一个辅助阴极结构，每个所述辅助阴极结构远离所述衬底基板的表面上设置有至少一个凹槽，所述阴极层在所述凹槽内与所述辅助阴极层接触。可选地，所述辅助阴极结构中的各凹槽为通槽。可选地，所述发光层在所述衬底基板上的正投影与所述辅助阴极层在所述衬底基板上的正投影不重叠。可选地，所述阴极层填充各个所述凹槽。可选地，所述显示面板包括阵列排布的多个像素单元，每个所述像素单元包括显示区域和非显示区域，所述辅助阴极结构位于所述非显示区域中。可选地，所述显示面板包括多个像素单元组，每个像素单元组包括至少一个像素单元，每个所述像素单元组中的阴极与同一个辅助阴极结构连接。可选地，每个所述像素单元组包括四个像素单元，与所述四个像素单元中的阴极连接的辅助阴极结构位于所述四个像素单元所在区域的几何中心。可选地，所述显示面板还包括：设置在所述衬底基板上的源漏极图形，所述辅助阴极层在所述衬底基板上的正投影与所述源漏极图形在所述衬底基板上的正投影不重叠；所述源漏极图形位于所述衬底基板与所述辅助阴极层之间，或者，所述源漏极图形与所述辅助阴极层同层设置。第二方面，提供了一种显示面板的制造方法，所述方法包括：提供一衬底基板；在所述衬底基板上形成辅助阴极层和阳极层，所述辅助阴极层包括至少一个辅助阴极结构，每个所述辅助阴极结构远离所述衬底基板的表面上形成有至少一个凹槽，所述阳极层与所述辅助阴极层绝缘；在形成有所述阳极层的衬底基板上形成发光层；在形成有所述发光层的衬底基板上形成阴极层，所述阴极层在所述凹槽内与所述辅助阴极层接触。第三方面，提供了一种显示装置，所述显示装置包括上述任一所述的显示面板。本专利技术实施例提供的显示面板，通过在辅助阴极结构远离衬底基板的表面上设置的至少一个凹槽，使得阴极层能够在凹槽内与辅助阴极结构接触，相较于相关技术，增大了辅助阴极层与阴极层的接触面积，减小了阴极层与辅助阴极层的接触电阻，进而减小了阴极层与辅助阴极层的并联电阻，达到了减小阴极结构的电阻的效果，有效的保证了显示面板的显示效果。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1是本专利技术实施例提供的一种显示面板的结构示意图；图2是本专利技术实施例提供的另一种显示面板的结构示意图；图3是本专利技术实施例提供的又一种显示面板的结构示意图；图4是本专利技术实施例提供的再一种显示面板的结构示意图；图5是本专利技术实施例提供的一种辅助阴极结构在衬底基板上的正投影的示意图；图6是本专利技术实施例提供的另一种辅助阴极结构在衬底基板上的正投影的示意图；图7是本专利技术实施例提供的一种多个辅助阴极结构在显示面板上的分布示意图；图8是本专利技术实施例提供的另一种多个辅助阴极结构在显示面板上的分布示意图；图9是本专利技术实施例提供的又一种显示面板的结构示意图；图10是本专利技术实施例提供的一种显示面板的制造方法的流程图；图11是本专利技术实施例提供的另一种显示面板的制造方法的流程图；图12是本专利技术实施例提供的一种在衬底基板上形成有源层后的结构示意图；图13是本专利技术实施例提供的一种在形成有有源层的衬底基板上形成第一栅绝缘层、栅极和第二栅绝缘层后的结构示意图；图14是本专利技术实施例提供的一种在形成有第二栅绝缘层的衬底基板上形成源漏极图形后的结构示意图；图15是本专利技术实施例提供的一种在形成有薄膜晶体管的衬底基板上形成辅助阴极层和阳极层后的结构示意图；图16是本专利技术实施例提供的另一种在形成有薄膜晶体管的衬底基板上形成辅助阴极层和阳极层后的结构示意图；图17是本专利技术实施例提供的一种在形成有发光层的衬底基板上形成阴极层后的结构示意图；图18是本专利技术实施例提供的另一种在形成有发光层的衬底基板上形成阴极层后的结构示意图。具体实施方式为使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本专利技术实施方式作进一步地详细描述。近年来，由于柔性OLED显示面板具有较高色彩饱和度和柔性可变形等优点，其应用越来越广泛。随着显示面板屏幕的增大，显示面板上像素单元的面积相应增大。且由阴极的电阻引起的电位下降趋于显著，导致阳极和阴极间的电压差减小，进而导致显示面板的显示区域中出现亮度梯度。例如，对于顶发射型显示面板，为了保证位于出光侧的电极(即阴极)的透过率，且由于该电极通常由镁银合金制成，通常会将电极做的很薄，导致电极的电阻较大。相关技术中，通过设置阴极结构来代替原有的阴极的功能，该阴极结构包括：并联的阴极和辅助阴极，且该辅助阴极由金属制成。该阴极结构的电阻为阴极与辅助阴极的并联电阻，且该并联电阻小于原有的阴极的电阻。由于该阴极结构的电阻小于原有的阴极的电阻，使得阴极结构的电位下降程度减小，进而减小了阳极和阴极结构间的电压差的减小程度，可以避免显示面板的显示区域中出现亮度梯度。其中，该阴极结构的设置方式为：该辅助阴极设置在像素单元的非显示区域中，该阳极设置在像素单元的显示区域中，该形成有辅助阴极的衬底基板上形成有发光层，该发光层的厚度小于该辅助阴极的厚度，且由于在非显示区域中该辅助阴极上形成了膜层段差，使得该发光层在该辅助阴极处断开，相应的，在该形成有发光层的衬底基板上形成阴极时，阴极能够在该断开处与辅助阴极接触。可选地，该像素单元可以包括红子像素单元、绿子像素单元和蓝子像素单元。但是，由于辅助阴极远离衬底基板的表面上覆盖有发光层，使得阴极仅能与辅助阴极的侧壁接触，导致阴极与辅助阴极的有效电接触面积较小，以使阴极与辅助阴极的接触电阻较大，进而导致阴极结构的电阻仍较大。并且，若通过增大辅助阴极的面积减小阴极结构的电阻，该增大后的辅助阴极会影响像素单元的开口率，使得显示面板的显示效果受到影响。为此，本专利技术实施例提供了一种显示面板，如图1所示，该显示面板可以包括：设置在衬底基板101上的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括：设置在衬底基板上的辅助阴极层和阳极层，以及，在设置有所述阳极层的衬底基板上层叠设置的发光层和阴极层，所述阳极层与所述辅助阴极层绝缘；所述辅助阴极层包括至少一个辅助阴极结构，每个所述辅助阴极结构远离所述衬底基板的表面上设置有至少一个凹槽，所述阴极层在所述凹槽内与所述辅助阴极层接触。

【技术特征摘要】
1.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括：设置在衬底基板上的辅助阴极层和阳极层，以及，在设置有所述阳极层的衬底基板上层叠设置的发光层和阴极层，所述阳极层与所述辅助阴极层绝缘；所述辅助阴极层包括至少一个辅助阴极结构，每个所述辅助阴极结构远离所述衬底基板的表面上设置有至少一个凹槽，所述阴极层在所述凹槽内与所述辅助阴极层接触。2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述辅助阴极结构中的各凹槽为通槽。3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述发光层在所述衬底基板上的正投影与所述辅助阴极层在所述衬底基板上的正投影不重叠。4.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述阴极层填充各个所述凹槽。5.根据权利要求1至4任一所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板包括阵列排布的多个像素单元，每个所述像素单元包括显示区域和非显示区域，所述辅助阴极结构位于所述非显示区域中。6.根据权利要求1至4任一所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板包括多个像素单元组，每个像素单元组包括至少一个像素单元，每个所述像素单元组中的阴极与同...

【专利技术属性】
技术研发人员：张振华，黎恩源，全盛，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，成都京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11