使用有机发光二极管的照明设备及其制造方法技术

使用有机发光二极管的照明设备及其制造方法。根据本公开的使用有机发光二极管的照明设备及其制造方法，使用透明高电阻导电膜作为正电极而不是铟锡氧化物ITO来控制由于短路引起的电流不平衡，并且通过后处理来减小发射区域的正电极的电阻来防止亮度下降。根据本公开，即使不减小孔径比，也可以解决由于杂质引起的短路而导致的整个面板照明故障的问题，同时由于发射区域减小而可以确保正常亮度。

【技术实现步骤摘要】
使用有机发光二极管的照明设备及其制造方法
本公开涉及一种照明设备，更具体而言，涉及一种使用有机发光二极管的照明设备及其制造方法。
技术介绍
当前，荧光灯或白炽灯主要用作照明设备。在这些照明设备当中，白炽灯显色指数(CRI)高，但是能量效率低。荧光灯效率高，但是CRI低，并且含有导致环境问题的水银。CRI是用于表示重现色彩的能力并表示物体被特定光源照射时的色彩感与物体被参考光源照射时的色彩感之间的相似性程度的指数。太阳光的CRI为100。近来，为了解决现有照明设备的这种问题，已经提出发光二极管(LED)用作照明设备。LED由有机发光材料制成。LED的发光效率在蓝色波长范围内是最高的，并且朝向红色波长范围和绿色波长范围逐渐降低，其中绿色具有最高的光谱光视效能(spectralluminousefficacy)。因而，当通过组合红色LED、绿色LED和蓝色LED发射白光时，发光效率降低。作为其它另选方案，还开发了使用有机发光二极管(OLED)的照明设备。使用一般OLED的照明设备被如下制造：在玻璃基板上形成由铟锡氧化物制成的阳极；形成发光层和阴极；并且在上面形成钝化层和层压膜。在使用OLED的照明设备的情况下，当由于杂质而发生短路时，亮度由于整个面板以及发生短路的对应像素中的电流减少而下降。
技术实现思路
设计本公开是来解决上述问题，并且本公开旨在提供一种使用能够防止由于杂质而发生短路时整个面板的亮度下降的有机发光二极管(OLED)的照明设备及其制造方法。本公开还旨在提供一种使用能够在不减少孔径比的情况下防止亮度下降的OLED的照明设备及其制造方法。本公开的其它目的和特征将在随后的专利技术的构造和权利要求中描述。为了实现该目的，根据本公开的实施方式，一种使用有机发光二极管的照明设备，该照明设备包括：辅助电极，所述辅助电极设置在基板上；非发射区域的第一电极，所述非发射区域的第一电极包括透明导电膜并被设置成覆盖所述辅助电极；和发射区域的第一电极，所述发射区域的第一电极设置在所述非发射区域的第一电极的每个侧表面上；第一钝化层，所述第一钝化层设置在所述非发射区域的第一电极的上部上；有机发光层和第二电极，所述有机发光层和所述第二电极设置在所述基板的设置有所述第一钝化层的照明部分中；以及金属膜，所述金属膜设置在所述基板的照明部分中。所述非发射区域的第一电极可以具有比铟锡氧化物(ITO)的电阻值高的电阻值，并且所述发射区域的第一电极可以具有比所述非发射区域的第一电极的电阻值低的电阻值。所述非发射区域的第一电极可以具有108Ω/平方(Ω/square)到109Ω/平方的薄层电阻。所述发射区域的第一电极可以具有103Ω/平方到104Ω/平方的薄层电阻。所述透明导电膜可以包括1％到10％的导电材料、80％至90的溶剂、10％到20％的粘结剂和大约1％的添加剂。所述导电材料可以包括作为导电聚合物材料的聚(3,4-乙烯二氧噻吩)聚苯乙烯磺酸盐(poly(3,4-ethylenedioxythiophene)polystyrenesulfonate，PEDOT:PSS)。所述粘结剂可以包括诸如正硅酸乙酯(tetraethylorthosilicate，TEOS)、SSQ或聚硅氧烷(polysiloxane)的硅基粘结剂(silicon-basedbinder)或丙烯酸基粘结剂(acrylic-basedbinder)。所述导电材料可以包括石墨烯、单壁碳纳米管(SWCNT)或多壁碳纳米管(MWCNT)。所述导电材料可以包括铜纳米线(CuNW)、银纳米线(AgNW)或金纳米线(AuNW)。所述非发射区域的第一电极可以具有与位于所述第一电极的上部上的第一钝化层的侧表面相匹配的侧表面。根据本公开的另一个实施方式，一种使用有机发光二极管的照明设备的制造方法，该制造方法包括以下步骤：在基板上形成辅助电极；使用电阻值比铟锡氧化物(ITO)的电阻值高的透明导电膜在形成有所述辅助电极的所述基板上形成第一电极；在形成有所述第一电极的所述基板上形成第一钝化层，从而覆盖所述辅助电极；通过热处理减小未被所述第一钝化层覆盖的发射区域的第一电极的电阻值。根据本公开的又一个实施方式，一种使用有机发光二极管的照明设备的制造方法，该制造方法包括以下步骤：在基板上形成辅助电极；使用电阻值比铟锡氧化物(ITO)的电阻值高的透明导电膜在形成有所述辅助电极的所述基板上形成导电图案；在形成有所述导电图案的所述基板上形成第一钝化层，从而覆盖所述辅助电极；通过使用所述第一钝化层作为掩模选择性地去除所述导电图案而在所述第一钝化层的下部上形成非发射区域的第一电极，所述非发射区域的第一电极包括所述透明导电膜；形成未被所述第一钝化层覆盖的发射区域的第一电极，所述发射区域的第一电极具有比所述非发射区域的第一电极的电阻值低的电阻值。根据本公开的另一个实施方式和又一个实施方式的制造方法可以进一步包括：在形成有所述第一钝化层的基板的照明部分中形成有机发光层和第二电极；以及将金属膜附接至所述基板的照明部分。所述透明导电膜可以具有108Ω/平方到109Ω/平方的薄层电阻。所述发射区域的第一电极可以具有103Ω/平方到104Ω/平方的薄层电阻。可以通过在未被所述第一钝化层覆盖的所述发射区域的第一电极上执行诸如等离子体辐射或激光辐射的热处理来减小所述发射区域的第一电极的电阻值。所述发射区域的第一电极可以包括透明导电膜，并且通过增加导电聚合物材料、碳基材料或纳米线基材料的重量百分比含量而形成为具有103Ω/平方到104Ω/平方的薄层电阻。附图说明附图被包括进来以提供对本公开的进一步理解，并且被并入且构成本说明书的一部分，附图例示了本公开的实施方式，并且与说明书一起用来解释本公开实施方式的原理。图1是示例性地示出了根据本公开的实施方式的使用有机发光二极管(OLED)的照明设备的截面图。图2是示出了根据本公开的实施方式的使用OLED的照明设备的平面示意图。图3是沿着图2中所示的根据本公开的实施方式的使用OLED的照明设备的线I-I’截取的示意性截面图。图4是示出了图2中所示的照明部分的一部分的放大图。图5是示出了比较例的照明部分的一部分的放大图。图6是示出了比较例的照明设备的示例的截面图。图7是示出了透明高电阻导电膜的电阻根据热处理条件而变化的表。图8是示出了薄层电阻和热处理导电膜的像素电流之间的关系的曲线图。图9A至图9G是顺序地示出了图2中所示的根据本公开的实施方式的使用OLED的照明设备的制造方法的平面图。图10A至图10G是顺序地示出了图3中所述的根据本公开的实施方式的使用OLED的照明设备的制造方法的截面图。图11A至图11G是顺序地示出了根据本公开的实施方式的照明设备的另一制造方法的截面图。具体实施方式下面，将参照附图详细地描述根据本公开的使用有机发光二极管(OLED)的照明设备及其制造方法的示例性实施方式，以使本领域技术人员能够容易地实现本公开。通过参照示例性实施方式的如下详细描述以及附图可以更容易地理解本公开的优点和特征以及实现本公开的方法。然而，本公开可以以许多不同形式实施，并且不应该解释为限于这里阐述的示例性实施方式。相反，提供这些示例性实施方式是为了使本公开彻底和完整，并且将本公开的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种使用有机发光二极管的照明设备，该照明设备包括：辅助电极，所述辅助电极设置在基板上；非发射区域的第一电极，所述非发射区域的第一电极包括透明导电膜并被设置成覆盖所述辅助电极；和发射区域的第一电极，所述发射区域的第一电极设置在所述非发射区域的第一电极的每个侧表面上；第一钝化层，所述第一钝化层设置在所述非发射区域的第一电极的上部上；有机发光层和第二电极，所述有机发光层和所述第二电极设置在所述基板的设置有所述第一钝化层的照明部分中；以及金属膜，所述金属膜设置在所述基板的照明部分中，其中，所述非发射区域的第一电极具有比铟锡氧化物ITO的电阻值高的电阻值，并且所述发射区域的第一电极具有比所述非发射区域的第一电极的电阻值低的电阻值。

【技术特征摘要】
2017.07.11 KR 10-2017-00880491.一种使用有机发光二极管的照明设备，该照明设备包括：辅助电极，所述辅助电极设置在基板上；非发射区域的第一电极，所述非发射区域的第一电极包括透明导电膜并被设置成覆盖所述辅助电极；和发射区域的第一电极，所述发射区域的第一电极设置在所述非发射区域的第一电极的每个侧表面上；第一钝化层，所述第一钝化层设置在所述非发射区域的第一电极的上部上；有机发光层和第二电极，所述有机发光层和所述第二电极设置在所述基板的设置有所述第一钝化层的照明部分中；以及金属膜，所述金属膜设置在所述基板的照明部分中，其中，所述非发射区域的第一电极具有比铟锡氧化物ITO的电阻值高的电阻值，并且所述发射区域的第一电极具有比所述非发射区域的第一电极的电阻值低的电阻值。2.根据权利要求1所述的照明设备，其中，所述非发射区域的第一电极具有108Ω/平方到109Ω/平方的薄层电阻。3.根据权利要求1所述的照明设备，其中，所述发射区域的第一电极具有103Ω/平方到104Ω/平方的薄层电阻。4.根据权利要求1所述的照明设备，其中，所述透明导电膜包括1％到10％的导电材料、80％至90％的溶剂、10％到20％的粘结剂和大约1％的添加剂。5.根据权利要求4所述的照明设备，其中，所述导电材料包括作为导电聚合物材料的聚(3,4-乙烯二氧噻吩)聚苯乙烯磺酸盐PEDOT:PSS。6.根据权利要求4所述的照明设备，其中，所述粘结剂包括硅基粘结剂或丙烯酸基粘结剂。7.根据权利要求6所述的照明设备，其中，所述硅基粘结剂是正硅酸乙酯TEOS、SSQ或聚硅氧烷。8.根据权利要求4所述的照明设备，其中，所述导电材料包括石墨烯、单壁碳纳米管SWCNT或多壁碳纳米管MWCNT。9.根据权利要求4所述的照明设备，其中，所述导电材料包括铜纳米线CuNW、银纳米线AgNW或金纳米线AuNW。10.根据权利要求1所述的照明设备，其中，所述非发射区域的第一电极具有与位于所述非发射区域的第一电极的上部上的第一钝化层的侧表面相匹配的侧表面。11.一种使用有机发光二极管的照明设备的制造方法，该制造方法包括以下步...

【专利技术属性】
技术研发人员：金钟珉，宋泰俊，
申请(专利权)人：乐金显示有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR