使用有机发光二极管的照明设备制造技术

技术编号:20163103 阅读:27 留言:0更新日期:2019-01-19 00:16
本公开的使用有机发光二极管(OLED)的照明设备的特征在于,内部光提取层被设置在基板和OLED之间,并且同时,折射率逐渐改变的多缓冲层形成在内部光提取层上。根据本公开,可通过应用内部光提取层来改进由于散射而引起的光提取,并且可通过应用多缓冲层来提取波导模作为光,从而改进发光效率。

【技术实现步骤摘要】
使用有机发光二极管的照明设备
本公开涉及照明设备,更具体地讲,涉及一种使用有机发光二极管的照明设备。
技术介绍
目前,荧光灯或白炽灯主要用作照明设备。在这些当中,白炽灯具有高显色指数(CRI),但具有低能量效率。荧光灯具有高效率,但具有低CRI并且包含汞以导致环境问题。CRI是用于指示再现颜色的能力并指示对象被特定光源照明时的色觉与对象被参考光源照明时的色觉之间的相似度的指数。太阳光的CRI是100。为了解决现有照明设备的这种问题,近来,已提出发光二极管(LED)作为照明设备。LED由无机发光材料制成。LED的发光效率在蓝色波长范围内最高,朝着红色波长范围和绿色波长范围逐渐降低,其中绿色具有最高光谱光视效能。因此,当通过组合红色LED、绿色LED和蓝色LED来发射白光时,发光效率降低。作为其它另选方案,开发了使用有机发光二极管(OLED)的照明设备。使用一般OLED的照明设备如下制造:在玻璃基板上形成由铟锡氧化物(ITO)制成的阳极,形成有机发光层和阴极,并且钝化层和层压膜作为封装工具附着到阴极的上表面。尽管使用OLED的照明设备需要高发光效率(光提取效率)和长器件寿命,但由于由层之间的界面处的全内反射导致生成波导模,发光效率降低。也就是说,随着波导模前进并消失到基板与OLED之间的界面处的侧表面,发光效率降低至约40%。
技术实现思路
本公开旨在解决上述问题并致力于提供一种使用有机发光二极管的照明设备,其能够通过使用内部光提取层和多缓冲层来改进发光效率和可靠性。本公开的其它目的和特征将在本专利技术的配置和下面的权利要求中描述。为了实现所述目的,根据本公开的实施方式,一种使用有机发光二极管的照明设备包括设置在基板上的内部光提取层、设置在内部光提取层上的多缓冲层以及设置在设置有多缓冲层的基板的照明部分中的第一电极、有机发光层和第二电极。多缓冲层可被配置为使得其折射率在内部光提取层的折射率和第一电极的折射率之间逐渐改变。内部光提取层可包括通过在树脂中分散各自具有第一尺寸的第一散射颗粒和各自具有小于第一尺寸的第二尺寸的第二散射颗粒而形成的第一内部光提取层以及通过在树脂中分散各自具有第二尺寸的第二散射颗粒而形成的第二内部光提取层。所述多缓冲层可以具有SiNx/SiNx、SiNx/SiOx、SiNx/SiON、SiOx/SiNx或SiON/SiNx的交替层叠结构,或者SiNx/SiNx/SiNx、SiNx/SiOx/SiNx、SiNx/SiON/SiNx、SiOx/SiNx/SiOx或SiON/SiNx/SiON的交替层叠结构多缓冲层可包括无机膜或有机膜的单层,并且其折射率可在该单层中逐渐改变。多缓冲层可具有三个或更多个层的层叠结构,多缓冲层的上层可被配置为使得其折射率接近第一电极的折射率,并且多缓冲层的下层可被配置为使得其折射率接近内部光提取层的折射率。多缓冲层的上层与下层之间的中间层可被配置为使得其折射率在上层的折射率和下层的折射率之间逐渐改变。该照明设备还可包括设置在基板与内部光提取层之间的附加层,其中,该附加层可由聚酰亚胺制成。根据本公开的另一实施方式,一种使用有机发光二极管的照明设备包括:设置在基板上的内部光提取层;设置在内部光提取层上的多缓冲层;以及设置在设置有多缓冲层的基板的照明部分中的第一电极、有机发光层和第二电极,其中,多缓冲层由SiNx制成并且被配置为使得其折射率在内部光提取层的折射率与第一电极的折射率之间逐渐改变。内部光提取层可包括通过在树脂中分散各自具有第一尺寸的第一散射颗粒和各自具有小于第一尺寸的第二尺寸的第二散射颗粒而形成的第一内部光提取层以及通过在树脂中分散各自具有第二尺寸的第二散射颗粒而形成的第二内部光提取层。多缓冲层可具有三个或更多个层的层叠结构,多缓冲层的上层可被配置为使得其折射率接近第一电极的折射率,并且多缓冲层的下层可被配置为使得其折射率接近内部光提取层的折射率。多缓冲层的上层与下层之间的中间层可被配置为使得其折射率在上层的折射率和下层的折射率之间逐渐改变。多缓冲层可包括单层,并且其折射率可在该单层中逐渐改变。附图说明附图被包括以提供本公开的进一步理解,并且被并入本说明书并构成本说明书的一部分,附图示出本公开的实现方式并与说明书一起用于说明本公开的实施方式的原理。图1是示例性地示出根据本公开的实施方式的使用有机发光二极管(OLED)的照明设备的横截面图。图2是示出根据本公开的实施方式的使用OLED的照明设备的示意性平面图。图3是沿图2所示的根据本公开的实施方式的使用OLED的照明设备的线I-I’截取的示意性横截面图。图4是具体地示出图3所示的根据本公开的实施方式的使用OLED的照明设备的部分结构的横截面图。图5是示例性地示出比较例的使用OLED的照明设备中的光的行为的示图。图6A和图6B是示例性地示出根据本公开的实施方式的使用OLED的照明设备中的光的行为的示图。图7A至图7D是示例性地示出缓冲层的折射率根据气体流量、压力和功率的改变的曲线图。图8A至图8H是顺序地示出图2所示的根据本公开的实施方式的使用OLED的照明设备的制造方法的平面图。图9A至图9H是顺序地示出图3所示的根据本公开的实施方式的使用OLED的照明设备的制造方法的横截面图。图10是示出图8D所示的照明部分的一部分的放大图。图11是示出根据本公开的另一实施方式的使用OLED的照明设备的示意性横截面图。具体实施方式以下,将参照附图详细描述根据本公开的使用有机发光二极管(OLED)的照明设备的示例性实施方式,以便于本领域技术人员容易地实现本公开。本公开的优点和特征及其实现方法可通过参照示例性实施方式的以下详细描述和附图来更容易地理解。然而,本公开可按照许多不同的形式来具体实现,不应被解释为限于本文所阐述的示例性实施方式。相反,提供这些示例性实施方式以使得本公开将彻底和完整并且将向本领域技术人员充分传达本公开的概念,本专利技术将仅由所附权利要求限定。贯穿说明书,相似的标号指代相似的元件。在附图中,为了清晰,层和区域的尺寸和相对尺寸可能被夸大。将理解,当元件或层被称为“在”另一元件或层“上”时,该元件或层可直接位于另一元件或层上,或者也可存在中间元件或层。相比之下,当元件或层被称为“直接在”另一元件或层“上”时,不存在中间元件或层。本文中可使用诸如“在...下面”、“在...下方”、“下”、“在...上方”、“上”等的空间相对术语来容易地描述如附图中所示的一个元件或组件与另一元件或其它组件之间的相关性。将理解,除了附图中描绘的取向之外,空间相对术语旨在涵盖在使用或操作中元件的不同取向。例如,如果附图中的元件被翻转,则被描述为“在”其它元件“下方”或“下面”的元件将被取向为“在”其它元件“上方”。因此,示例性术语“在...下方”可涵盖上方和下方两种取向。本文所使用的术语仅是为了描述特定实施方式,而非旨在限制本公开。如本文所用,除非上下文另外清楚地指出,否则单数形式旨在也包括复数形式。还将理解,术语“包括”和/或“包含”如果用在本文中,则指明所述步骤、操作、元件和/或组件的存在,但不排除一个或更多个其它步骤、操作、元件、组件和/或其组的存在或添加。图1是示例性地示出根据本公开的实施方式的使用OLED的照明设备100本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种使用有机发光二极管的照明设备,该照明设备包括:设置在基板上的内部光提取层;设置在所述内部光提取层上的多缓冲层;设置在设置有所述多缓冲层的所述基板的照明部分中的第一电极、有机发光层和第二电极;以及设置在所述基板的所述照明部分中的封装工具,其中,所述多缓冲层被配置为使得所述多缓冲层的折射率在所述内部光提取层的折射率和所述第一电极的折射率之间逐渐改变。

【技术特征摘要】
2017.07.11 KR 10-2017-00880451.一种使用有机发光二极管的照明设备,该照明设备包括:设置在基板上的内部光提取层;设置在所述内部光提取层上的多缓冲层;设置在设置有所述多缓冲层的所述基板的照明部分中的第一电极、有机发光层和第二电极;以及设置在所述基板的所述照明部分中的封装工具,其中,所述多缓冲层被配置为使得所述多缓冲层的折射率在所述内部光提取层的折射率和所述第一电极的折射率之间逐渐改变。2.根据权利要求1所述的照明设备,其中,所述内部光提取层包括第一内部光提取层和第二内部光提取层,所述第一内部光提取层是通过在树脂中分散各自具有第一尺寸的第一散射颗粒和各自具有小于所述第一尺寸的第二尺寸的第二散射颗粒而形成的,并且所述第二内部光提取层是通过在所述树脂中分散各自具有所述第二尺寸的所述第二散射颗粒而形成的。3.根据权利要求1所述的照明设备,其中,所述多缓冲层具有SiNx/SiNx、SiNx/SiOx、SiNx/SiON、SiOx/SiNx或SiON/SiNx的交替层叠结构,或者SiNx/SiNx/SiNx、SiNx/SiOx/SiNx、SiNx/SiON/SiNx、SiOx/SiNx/SiOx或SiON/SiNx/SiON的交替层叠结构。4.根据权利要求1所述的照明设备,其中,所述多缓冲层包括无机膜或有机膜的单层,并且所述多缓冲层的折射率在所述单层中逐渐改变。5.根据权利要求1所述的照明设备,其中,所述多缓冲层具有三个或更多个层的层叠结构,所述多缓冲层的上层被配置为使得所述多缓冲层的上层的折射率接近所述第一电极的折射率,并且所述多缓冲层的下层被配置为使得所述多缓冲层的下层的折射率接近所述内部光提取层的折射率。6...

【专利技术属性】
技术研发人员:金南国李正恩金泰沃
申请(专利权)人:乐金显示有限公司
类型:发明
国别省市:韩国,KR

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