发光器件封装制造技术

本发明专利技术提供一种发光器件封装。根据实施例的发光器件封装包括：主体，包括穿过主体的上表面和主体的下表面的第一和第二开口；发光器件，被布置在主体上并包括第一和第二结合部；以及第一导电层和第二导电层，分别被布置在主体下面并且电连接到第一和第二结合部，其中第一和第二结合部中的每个包括在第一和第二开口内在向下方向中突出并且延伸的突出部分。

【技术实现步骤摘要】
发光器件封装
本实施例涉及半导体器件封装、制造半导体器件封装的方法和光源装置。
技术介绍
包括诸如GaN和AlGaN的化合物的半导体器件具有许多优点，诸如宽且易于调节的带隙能量，因此该器件能够以各种方式用作发光器件、光接收器件和各种二极管。特别地，由于薄膜生长技术和器件材料的发展，通过使用III-V族或II-VI族化合物半导体物质获得的诸如发光二极管和激光二极管的发光器件能够实现具有各种波段的光，诸如红色、绿色、蓝色和紫外线。另外，通过使用III-V族或II-VI族化合物半导体物质获得的诸如发光二极管和激光二极管的发光器件能够通过使用荧光物质或组合颜色来实现具有高效率的白光源。与诸如荧光灯和白炽灯的传统光源相比，这种发光器件具有诸如低功耗、半永久寿命、快速响应速度、安全性和环境友好性的优点。此外，当使用III-V族或II-VI族化合物半导体物质制造诸如光电探测器或太阳能电池的光接收器件时，随着器件材料的发展，通过吸收具有各种波长域的光来产生光电流，使得能够使用具有各种波长域的光，例如从伽马射线到无线电波。另外，上述光接收器件具有诸如响应速度快、安全、环保、易于控制器件材料等优点，使得光接收器件能够方便地用于电源控制、超高频电路或通信模块。因此，半导体器件已经应用并扩展到光通信工具的传输模块、替换构成液晶显示器(LCD)的背光的冷阴极荧光灯(CCFL)的发光二极管背光源、可替换荧光灯或白炽灯泡的白色发光二极管照明装置、车辆前灯、交通灯和用于检测气体或火的传感器。另外，半导体器件的应用能够被扩展到高频应用电路、功率控制装置或通信模块。例如，发光器件可以被提供作为具有通过使用元素周期表中的III-V族元素或II-VI族元素将电能转换成光能的特性的pn结二极管，并且能够通过调节化合物半导体物质的组分比实现各种波长。例如，因为氮化物半导体具有高热稳定性和宽带隙能量，所以在光学器件和高功率电子设备的开发领域中已经受到极大关注。特别地，使用氮化物半导体的蓝色发光器件、绿色发光器件、紫外(UV)发光器件和红色发光器件被商业化并广泛使用。例如，紫外发光器件指的是产生分布在200nm至400nm的波长范围内的光的发光二极管。在上述波长范围中，短波长可以被用于灭菌、纯化等，并且长波长可以被用于光刻机、固化装置等。紫外线可以按照长波长的顺序被分类成UV-A(315nm至400nm)、UV-B(280nm至315nm)和UV-C(200nm至280nm)。UV-A(315nm至400nm)领域被应用于各种领域，诸如工业UV固化、印刷油墨固化、曝光机、鉴别假币、光催化灭菌、特殊照明(诸如水族箱/农业)，UV-B(280nm至315nm)域被应用于医疗用途，并且UV-C(200nm至280nm)域被应用于空气净化、水净化、灭菌产品等。同时，由于已经要求能够提供高输出的半导体器件，因此正在进行能够通过施加高功率源来增加输出功率的半导体器件的研究。另外，对于半导体器件封装，已经进行改进半导体器件的光提取效率和改进封装阶段中的光强度的方法的研究。另外，关于半导体器件封装，已经进行改进封装电极和半导体器件之间的结合强度的方法的研究。另外，对于半导体器件封装，已经进行通过改进工艺效率和改变结构来降低制造成本和改进制造产量的方法的研究。
技术实现思路
实施例可以提供能够改进光提取效率和电特性的半导体器件封装、制造半导体器件封装的方法和光源装置。实施例可以提供能够降低制造成本并且改进制造产量的半导体器件封装、制造半导体器件封装的方法和光源装置。实施例提供半导体器件封装和制造半导体器件封装的方法，其能够防止在将半导体器件重新结合到衬底等等的工艺期间在半导体器件封装的结合区域中发生再熔化现象。根据实施例的发光器件封装包括：主体，其包括穿过主体的上表面和主体的下表面的第一开口和第二开口；发光器件，其布置在主体上并且包括第一和第二结合部；以及第一导电层和第二导电层，其分别被布置在主体下面并且电连接到第一和第二结合部，其中第一和第二结合部中的每个包括在第一和第二开口内在向下方向中分别突出和延伸的突出部分。根据实施例的发光器件封装还可以包括被布置在主体和发光器件之间的树脂。根据实施例，第一结合部和第二结合部的突出部分可以分别布置在第一开口和第二开口中。根据实施例，第一结合部的突出部分的下表面可以布置为低于第一开口的上表面。根据实施例，第一结合部的突出部分可以设置为圆柱形(cylindricalshape)或多边柱形(polygonalcolumnshape)。根据实施例，可以对应于第一开口和第二开口的上部区域的形状来设置第一和第二结合部的形状。根据实施例，第一导电层和第二导电层可以被布置为在主体的下表面上彼此隔开。根据实施例，第一结合部和第二结合部的突出部分的宽度可以设置为小于第一开口和第二开口的上部区域的宽度。根据实施例，第一导电层的上表面的第一区域被布置在第一开口的下面，并且第一导电层的上表面的第二区域可以被布置在主体的下表面的下面。根据实施例，第一导电层的上表面的第一区域可以被布置为在垂直方向上与第一开口重叠。根据实施例，第一导电层的上表面上的第二区域可以被布置为在垂直方向上与主体的下表面重叠。根据实施例，第一导电层的一部分可以被布置在第一结合部的突出部分的外围处。根据实施例，第一和第二结合部可以包括从由Ti、Al、In、Ir、Ta、Pd、Co、Cr、Mg、Zn、Ni、Si、Ge、Ag、Ag合金、Au、Hf、Pt、Ru、，Rh、Sn、Cu、ZnO、IrOx、RuOx、NiO、RuOx/ITO、Ni/IrOx/Au、Ni/IrOx/Au/ITO或其合金组成的组中选择的至少一种材料。根据实施例，第一和第二导电层可以包括从由Ag、Au、Pt、Sn、Cu、SAC(Sn-Ag-Cu)或其合金组成的组中选择的至少一种材料。根据实施例，树脂可以包括白色硅酮(silicone)。根据实施例，树脂可以设置成与主体的上表面和发光器件的下表面直接接触。根据实施例，树脂可以设置在第一和第二结合部的外围处。根据实施例，主体还可以包括凹部，该凹部设置成从主体的上表面朝向其下表面凹进，并且树脂可以设置到凹部。根据实施例，主体的侧表面和第一导电层的侧表面可以设置在同一平面中。根据实施例，主体的上表面可以在整个区域中以平坦形状设置。根据实施例的发光器件封装包括：主体，其包括穿过主体的上表面和主体的下表面的第一开口和第二开口；发光器件，其被布置在主体上；粘合剂，其包括反射材料，其中主体包括布置在第一开口和第二开口之间的第一凹部，并且粘合剂被布置在第一凹部中，并且其中发光器件包括：布置在第一开口上的第一电极；布置在第二开口上的第二电极；半导体结构，其包括电连接到第一电极的第一半导体层、电连接到第二电极的第二半导体层以及被布置在第一和第二半导体层之间的有源层；以及衬底，其被布置在半导体结构上，并且其中第一电极包括在第一方向上与第一开口重叠的第一结合部和从第一结合部延伸的第一分支电极，并且第二电极包括在第一方向上重叠第二开口的第二结合部，并且其中第一方向是从主体的下表面朝向主体的上表面的方向，并且基于衬底的上表面的面积第一和第二结合部的面积之和可以被设置为10％或者更小。根据实施例本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种发光器件封装，包括：主体，所述主体包括第一开口和第二开口，所述第一开口和所述第二开口穿过所述主体的上表面和所述主体的下表面；发光器件，所述发光器件被布置在所述主体上并且包括第一结合部和第二结合部；以及第一导电层和第二导电层，所述第一导电层和所述第二导电层分别布置在所述主体下面并且电连接到所述第一结合部和所述第二结合部，其中，所述第一结合部和所述第二结合部中的每个包括分别在所述第一开口和所述第二开口内在向下方向中突出并且延伸的突出部分。

【技术特征摘要】
2017.07.11 KR 10-2017-0087641;2017.12.01 KR 10-2011.一种发光器件封装，包括：主体，所述主体包括第一开口和第二开口，所述第一开口和所述第二开口穿过所述主体的上表面和所述主体的下表面；发光器件，所述发光器件被布置在所述主体上并且包括第一结合部和第二结合部；以及第一导电层和第二导电层，所述第一导电层和所述第二导电层分别布置在所述主体下面并且电连接到所述第一结合部和所述第二结合部，其中，所述第一结合部和所述第二结合部中的每个包括分别在所述第一开口和所述第二开口内在向下方向中突出并且延伸的突出部分。2.根据权利要求1所述的发光器件封装，还包括树脂，所述树脂被布置在所述主体和所述发光器件之间。3.根据权利要求1所述的发光器件封装，其中，所述第一结合部和所述第二结合部的突出部分被分别地布置在所述第一开口和所...

【专利技术属性】
技术研发人员：李太星，任仓满，宋俊午，
申请(专利权)人：LG伊诺特有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR