倒装芯片、面光源及采用该面光源的显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种倒装芯片、面光源及采用该面光源的显示装置，所述倒装芯片包括金属栅层，具有相互平行排列的金属线；晶片衬底，设于所述金属栅层的下方；N掺杂层及负极导线，均设于所述晶片衬底的下方；量子阱层，设于所述N掺杂层的下方；P掺杂层，设于所述量子阱层的下方；旋光物质层，设于所述P掺杂层的下方；反射层，设于所述旋光物质层的下方；正极导线，设于所述反射层的下方。本发明专利技术的倒装芯片、面光源及采用该面光源的显示装置，有效提升了面光源在大角度方向的出光效率，扩大了面光源的可视角范围。

【技术实现步骤摘要】
倒装芯片、面光源及采用该面光源的显示装置
本专利技术涉及显示装置等领域，具体涉及一种倒装芯片、面光源及采用该面光源的显示装置。
技术介绍
随着科技的不断发展，人们与电子设备的接触越来越频繁，对显示装置(或称显示屏)的要求也不断的变高。miniLED显示装置作为未来市场OLED显示装置(有机电致发光二极管显示装置)的强有力竞争产品，MiniLED显示装置具有高亮、柔性可弯曲、可制作高动态对比度显示技术、窄边框显示技术、异形显示技术等诸多优点，已成为市场研究热点。然而，目前miniLED显示装置在出光效率、混光均匀性、成本、模组厚度等方面与常规产品背光及OLED显示装置相比还有一些差距。就光效而言，miniLED显示装置采用柔性电路板(FlexiblePrintedCircuit简称FPC)或印制电路板(PrintedCircuitBoard，简称PCB)作为基板的直下式背光架构，由于材料的折射率差异，导致面光源一部分光线在光学膜片和基板之间被限制而无法出射，光线在光学膜片之间经多次折射和反射，导致光能的损失和光效的下降。即使在microLED显示装置或miniLED显示装置中采用一些功能性的膜片架构，也只能保证microLED显示装置或miniLED显示装置在正视方向的出光亮度，而在大视角方向上，仍无法满足高出光效率的要求。对于该问题，目前暂未有较好的解决方式。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是，提供一种倒装芯片、面光源及采用该面光源的显示装置，其通过加入金属线栅层和旋光物质层，使芯片出射光线具有线偏振光特性，并结合带通滤波膜系结构，保证面光源在更大视角范围内的有较高的出光效率，扩大面光源的可视角范围。为了解决上述技术问题，本专利技术提供了一种倒装芯片，包括金属栅层，具有若干相互平行排列的金属线；晶片衬底，设于所述金属栅层的下方；N掺杂层及负极导线，均设于所述晶片衬底的下方；量子阱层，设于所述N掺杂层的下方；P掺杂层，设于所述量子阱层的下方；旋光物质层，设于所述P掺杂层的下方；反射层，设于所述旋光物质层的下方；正极导线，设于所述反射层的下方。在本专利技术一实施例中，所述倒装芯片为蓝光倒装芯片、红光倒装芯片和绿光倒装芯片中的一种。在本专利技术一实施例中，相对于所述晶片衬底，所述金属线在所述蓝光倒装芯片中的排列方向垂直于所述金属线在所述红光倒装芯片中的排列方向，或所述金属线在所述蓝光倒装芯片中的排列方向垂直于所述金属线在所述绿光倒装芯片中的排列方向。在本专利技术一实施例中，所述金属线为纳米线；所述金属线选用银纳米线、铜纳米线、镍纳米线、钴纳米线、铝纳米线和氧化铝纳米线中的一种。在本专利技术一实施例中，相邻所述金属线之间的间距为50nm-200nm。在本专利技术一实施例中，所述金属栅层的厚度为50nm-100nm。本专利技术还提供了一种面光源，包括基板；芯片层，其中具有所述的倒装芯片，所述倒装芯片之间具有间隙；带通滤光膜，溅镀于所述基板上且位于所述间隙中；光学膜片层，设于所述芯片层上。在本专利技术一实施例中，所述芯片层中分布有若干蓝光倒装芯片、红光倒装芯片以及绿光倒装芯片。在本专利技术一实施例中，所述蓝光倒装芯片中的金属线排列方向垂直于所述红光倒装芯片或绿光倒装芯片中的金属线排列方向。本专利技术还提供了一种采用该面光源的显示装置，包括有所述面光源，以及一位于所述面光源上方的显示面板。本专利技术的有益效果是：本专利技术的倒装芯片、面光源及及采用该面光源的显示装置，通过在倒装芯片中加入金属栅层和旋光物质层，保证倒装芯片能够高效出射线偏振光，如P偏振光或S偏振光，通过优化带通滤波膜结构，有效提升了面光源在大角度方向的出光效率，扩大了面光源的可视角范围。附图说明下面结合附图和实施例对本专利技术作进一步解释。图1是本专利技术一实施例的蓝光倒装芯片层状结构图。图2是本专利技术一实施例的红光倒装芯片或者绿光倒装芯片的层状结构图。图3是本专利技术一实施例的面光源层状结构图。图4是本专利技术一实施例的面光源中带通滤光膜的带通滤光示意图。图5是本专利技术一实施例的光线透过率频谱。图6是本专利技术一实施例的显示装置的示意图。附图标记：10面光源；1基板；2芯片层；3荧光膜；4带通滤光膜；5光学膜片层；51扩散片；52增亮膜；20倒装芯片；210蓝光倒装芯片；220红光倒装芯片；230绿光倒装芯片；201金属栅层；202晶片衬底；203N掺杂层；204量子阱层；205P掺杂层；206旋光物质层；207反射层；208负极导线；209正极导线；2011金属线；100显示装置；30显示面板；601第一曲线；602第二曲线；603第三曲线。具体实施方式以下实施例的说明是参考附加的图式，用以例示本专利技术可用以实施的特定实施例。本专利技术所提到的方向用语，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「顶」、「底」等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本专利技术，而非用以限制本专利技术。如图1、图2所示，在其中一实施例中，本专利技术的倒装芯片20，根据面光源的光线基色设计要求，本实施例中，所述倒装芯片20为蓝光倒装芯片210、红光倒装芯片220和绿光倒装芯片230中的一种。其中图1为本专利技术一实施例的蓝光倒装芯片210的层状结构图，而图2为本专利技术一实施例的红光倒装芯片220或者绿光倒装芯片230的层状结构图。如图1、图2所示，每一所述倒装芯片20从上至下依次包括金属栅层201、晶片衬底202、N掺杂层203、量子阱层204、P掺杂层205、旋光物质层206、以及反射层207。所述倒装芯片20还包括有负极导线208以及正极导线209，其中所述负极导线208设于所述晶片衬底202的下方，所述正极导线209设于所述反射层207的下方。所述金属栅层201具有若干金属线2011；所述金属线2011相互平行排列并分布在所述晶片衬底202上形成金属栅层201。根据芯片设计要求，一般所述金属栅层201的厚度为50nm-100nm。相邻所述金属线2011之间的间距为50nm-200nm。所述金属线2011为纳米线；本实施例中，所述纳米线选用银纳米线、铜纳米线、镍纳米线、钴纳米线、铝纳米线和氧化铝纳米线中的一种。相对于所述晶片衬底202，在不同基色的倒装芯片20中，所述金属线2011在晶片衬底202上的排布方向也不同。本实施例中，同时参见图1和图2，所述金属线2011在所述蓝光倒装芯片210中的排列方向垂直于所述金属线2011在所述红光倒装芯片220中的排列方向，或所述金属线2011在所述蓝光倒装芯片210中的排列方向垂直于所述金属线2011在所述绿光倒装芯片230中的排列方向。所述晶片衬底202设于所述金属栅层201的下方。本实施例中，所述晶片衬底202选用蓝宝石衬底。所述N掺杂层203设于所述晶片衬底202的下方。所述量子阱层204设于所述N掺杂层203的下方；所述P掺杂层205设于所述量子阱层204的下方。所述旋光物质层206设于所述P掺杂层205的下方。光线通过旋光物质层206后，其振动面将以光的传播方向为轴线转过一定的角度。一般情况下，凡能使线偏振光通过后将其振动面旋转一定角度的物质，称作旋光性物质。本实施例中，所述旋光物质层206中的旋光物质可为液晶材料、云母(石英石)或有机小分子旋光材料。所述反射层本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种倒装芯片，其特征在于，包括金属栅层，具有若干相互平行排列的金属线；晶片衬底，设于所述金属栅层的下方；N掺杂层及负极导线，均设于所述晶片衬底的下方；量子阱层，设于所述N掺杂层的下方；P掺杂层，设于所述量子阱层的下方；旋光物质层，设于所述P掺杂层的下方；反射层，设于所述旋光物质层的下方；正极导线，设于所述反射层的下方。

【技术特征摘要】
1.一种倒装芯片，其特征在于，包括金属栅层，具有若干相互平行排列的金属线；晶片衬底，设于所述金属栅层的下方；N掺杂层及负极导线，均设于所述晶片衬底的下方；量子阱层，设于所述N掺杂层的下方；P掺杂层，设于所述量子阱层的下方；旋光物质层，设于所述P掺杂层的下方；反射层，设于所述旋光物质层的下方；正极导线，设于所述反射层的下方。2.根据权利要求1所述的倒装芯片，其特征在于，所述倒装芯片为蓝光倒装芯片、红光倒装芯片和绿光倒装芯片中的一种。3.根据权利要求2所述的倒装芯片，其特征在于，相对于所述晶片衬底，所述金属线在所述蓝光倒装芯片中的排列方向垂直于所述金属线在所述红光倒装芯片中的排列方向，或所述金属线在所述蓝光倒装芯片中的排列方向垂直于所述金属线在所述绿光倒装芯片中的排列方向。4.根据权利要求1所述的倒装芯片，其特征在于，所述金属线为纳米线；所述纳米线选用银纳米线、铜纳米线、...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨勇，
申请(专利权)人：武汉华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42