一种N型多晶硅双面电池制备方法技术

技术编号:20163053 阅读:23 留言:0更新日期:2019-01-19 00:16
本发明专利技术公开了一种N型多晶硅双面电池制备方法,包括:对制绒后的N型硅片进行硼扩散,并去除N型硅片背表面所形成的背面P+层,N型硅片为通过对多晶硅锭的尾部进行切割得到的多晶硅片;对去除背面P+层的N型硅片进行背表面扩散吸杂处理,并去除吸杂层;对去除吸杂层的N型硅片的背表面进行磷扩散;去除N型硅片表面所形成的PSG,在N型硅片的正表面和背表面分别制备钝化层,并在N型硅片的正表面和背表面分别制备电极。本申请公开的上述技术方案,通过吸杂处理以减少由多晶硅锭的尾部所生产出的N型硅片中的杂质,从而提高了对多晶硅锭尾部的利用率和N型多晶硅双面电池的少子寿命,进而提高了N型多晶硅双面电池的转换效率。

【技术实现步骤摘要】
一种N型多晶硅双面电池制备方法
本专利技术涉及太阳能电池
,更具体地说,涉及一种N型多晶硅双面电池制备方法。
技术介绍
N型多晶硅双面电池因具有可双面发电、发电量高等优势而受到业内人员的广泛关注。在现有技术中,通过铸锭方式生产出多晶硅锭,并利用该硅锭生产出硅片,利用该硅片制备N型多晶硅双面电池,其制备过程具体大致为:通过硼扩散制备P+层,并通过刻蚀等工艺去除背面绕镀形成的浅结及硅片正表面所形成的BSG(BorosilicateGlass,硼硅玻璃);然后,通过掩膜方式在P+层表面形成SiONX层,以防止背表面形成N+层时影响正表面P+层的质量;在清洗掉PSG(PhosphosilicateGlass,磷硅玻璃)之后,制备钝化层,并进行丝网印刷。但是,由于硅锭尾部的金属等杂质比较多,则在制备成N型多晶硅双面电池时会导致少子寿命的降低,从而会降低所制备出的N型多晶硅双面电池的开路电路,并降低N型多晶硅双面电池的转换效率。因此,一般不利用硅锭的尾部制备N型多晶硅双面电池。综上所述,如何提高对多晶硅锭尾部的利用率,并提高利用多晶硅锭尾部所制备出的N型多晶硅双面电池的少子寿命,以提高N型多晶硅双面电池的转换效率,是目前本领域技术人员亟待解决的技术问题。
技术实现思路
有鉴于此,本专利技术的目的是提供一种N型多晶硅双面电池制备方法,以提高对多晶硅锭尾部的利用率,并提高利用多晶硅锭尾部所制备出的N型多晶硅双面电池的转换效率,从而提高N型多晶硅双面电池的转换效率。为了实现上述目的,本专利技术提供如下技术方案:一种N型多晶硅双面电池制备方法,包括:对制绒后的N型硅片进行硼扩散,并去除所述N型硅片背表面所形成的背面P+层,所述N型硅片为通过对多晶硅锭的尾部进行切割得到的多晶硅片;对去除背面P+层的N型硅片进行背表面扩散吸杂处理,并去除吸杂层;对去除所述吸杂层的N型硅片的背表面进行磷扩散,以制备BSF;去除所述N型硅片表面所形成的PSG,在所述N型硅片的正表面和背表面分别制备钝化层,并在所述N型硅片的正表面和背表面分别制备电极,以得到N型多晶硅双面电池。优选的,所述对去除背面P+层的N型硅片进行背表面扩散吸杂处理,包括:对去除背面P+层的N型硅片进行背表面磷扩散吸杂处理。优选的,所述去除所述N型硅片背表面所形成的背面P+层,包括:通过单面刻蚀去除所述N型硅片背表面所形成的背面P+层,并保留所述N型硅片正表面所形成的BSG;在去除所述N型硅片表面所形成的PSG时,还包括:去除所述N型硅片正表面所形成的BSG。优选的,在通过单面刻蚀去除所述N型硅片背表面所形成的背面P+层时,背面P+层的减薄量为0.15-0.25g。优选的,在去除吸杂层时,所述吸杂层的减薄量为0.2-0.3g。优选的,通过单面刻蚀去除所述N型硅片背表面所形成的背面P+层,包括:通过湿法刻蚀去除所述N型硅片背表面所形成的背面P+层。优选的,去除所述N型硅片表面所形成的PSG,包括:利用HF去除所述N型硅片表面所形成的PSG。优选的,在所述N型硅片的正表面和背表面分别制备钝化层,包括:利用PECVD法在所述N型硅片的正表面和背表面分别制备钝化层。优选的,所述钝化层具体为氮化硅薄膜、氧化硅薄膜、氧化铝薄膜中的任意一种或任意多种的组合。优选的,在所述N型硅片的正表面和背表面分别制备电极,包括:利用丝网印刷法在所述N型硅片的正表面和背表面分别制备电极。本专利技术提供了一种N型多晶硅双面电池制备方法,包括:对制绒后的N型硅片进行硼扩散,并去除N型硅片背表面所形成的背面P+层,N型硅片为通过对多晶硅锭的尾部进行切割得到的多晶硅片;对去除背面P+层的N型硅片进行背表面扩散吸杂处理,并去除吸杂层;对去除吸杂层的N型硅片的背表面进行磷扩散,以制备BSF;去除N型硅片表面所形成的PSG,在N型硅片的正表面和背表面分别制备钝化层,并在N型硅片的正表面和背表面分别制备电极,以得到N型多晶硅双面电池。本申请公开的上述技术方案,对多晶硅锭的尾部进行切割,以得到N型硅片;对N型硅片进行制绒,并进行硼扩散,以制备P+层;在去除N型硅片背表面所形成的背面P+层之后,对N型硅片进行背表面扩散吸杂处理,以使N型硅片中的金属等杂质可以聚集在吸杂层中,然后,去除吸杂层,以减少N型硅片中所存在的杂质;对去除吸杂层的N型硅片的背表面进行磷扩散,以制备BSF,并去除N型硅片表面所形成的PSG,然后,在N型硅片的正表面和背表面分别制备钝化层和电极,以得到N型多晶硅双面电池,即通过吸杂处理以减少由多晶硅锭的尾部所生产出的N型硅片中的杂质,从而既提高了对多晶硅锭尾部的利用率,又提高了N型多晶硅双面电池的少子寿命,进而提高了利用多晶硅锭尾部所制备出的N型多晶硅双面电池的开路电压和转换效率。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本专利技术的实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据提供的附图获得其他的附图。图1为本专利技术实施例提供的一种N型多晶硅双面电池制备方法的流程图;图2为本专利技术实施例提供的对N型硅片进行硼扩散之后所对应的示意图;图3为本专利技术实施例提供的去除N型硅片背表面所形成的背面P+层之后所对应的示意图;图4为本专利技术实施例提供的对N型硅片进行背表面扩散吸杂处理之后所对应的示意图;图5为本专利技术实施例提供的去除N型硅片背表面的吸杂层之后的示意图;图6为本专利技术实施例提供的对去除吸杂层的N型硅片的背表面进行磷扩散之后所对应的示意图;图7为本专利技术实施例提供的所制备出的N型多晶硅双面电池的结构示意图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图,对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本专利技术保护的范围。请参见图1,其示出了本专利技术实施例提供的一种N型多晶硅双面电池制备方法的流程图,可以包括:S11:对制绒后的N型硅片进行硼扩散,并去除N型硅片背表面所形成的背面P+层,N型硅片为通过对多晶硅锭的尾部进行切割得到的多晶硅片。通过铸锭方式等生长出接近全单晶品质的多晶硅锭(该多晶硅锭为N型多晶硅锭),并对多晶硅锭的尾部进行切割,以得到多晶硅片,即得到N型硅片。其中,多晶硅锭的尾部即为尾部红区,也即为多晶硅锭的杂质含量比较多的顶部区域和/或底部区域,这里所提及的杂质含量比较多是相对于多晶硅锭中杂质含量比较少的中部区域而言的。也就是说,利用多晶硅锭的尾部得到多晶硅片(尾部红区片源),并利用该多晶硅片制备N型多晶硅双面电池,以提高对多晶硅锭的利用率,降低N型多晶硅双面电池的制备成本。在对多晶硅锭的尾部进行切割,以得到N型硅片之后,对N型硅片进行清洗,以去除硅片切割过程中表面所残留的有机物质、无机化合物、尘埃等玷污,从而得到表面比较洁净的N型硅片。其中,清洗方式可以为化学清洗方式,也可以为物理清洗方式。清洗之后,对N型硅片的表面进行制绒,以在N型硅片的表面得到金字塔结构,从而提高对太阳光的利用率,其中,这里可以利用酸溶液进行制绒,也可以本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种N型多晶硅双面电池制备方法,其特征在于,包括:对制绒后的N型硅片进行硼扩散,并去除所述N型硅片背表面所形成的背面P+层,所述N型硅片为通过对多晶硅锭的尾部进行切割得到的多晶硅片;对去除背面P+层的N型硅片进行背表面扩散吸杂处理,并去除吸杂层;对去除所述吸杂层的N型硅片的背表面进行磷扩散,以制备BSF;去除所述N型硅片表面所形成的PSG,在所述N型硅片的正表面和背表面分别制备钝化层,并在所述N型硅片的正表面和背表面分别制备电极,以得到N型多晶硅双面电池。

【技术特征摘要】
1.一种N型多晶硅双面电池制备方法,其特征在于,包括:对制绒后的N型硅片进行硼扩散,并去除所述N型硅片背表面所形成的背面P+层,所述N型硅片为通过对多晶硅锭的尾部进行切割得到的多晶硅片;对去除背面P+层的N型硅片进行背表面扩散吸杂处理,并去除吸杂层;对去除所述吸杂层的N型硅片的背表面进行磷扩散,以制备BSF;去除所述N型硅片表面所形成的PSG,在所述N型硅片的正表面和背表面分别制备钝化层,并在所述N型硅片的正表面和背表面分别制备电极,以得到N型多晶硅双面电池。2.根据权利要求1所述的N型多晶硅双面电池制备方法,其特征在于,所述对去除背面P+层的N型硅片进行背表面扩散吸杂处理,包括:对去除背面P+层的N型硅片进行背表面磷扩散吸杂处理。3.根据权利要求1或2所述的N型多晶硅双面电池制备方法,其特征在于,所述去除所述N型硅片背表面所形成的背面P+层,包括:通过单面刻蚀去除所述N型硅片背表面所形成的背面P+层,并保留所述N型硅片正表面所形成的BSG;在去除所述N型硅片表面所形成的PSG时,还包括:去除所述N型硅片正表面所形成的BSG。4.根据权利要求3所述的N型多晶硅双面电池制备方法,其特征在于,在通过单面刻蚀去除...

【专利技术属性】
技术研发人员:廖晖包健徐冠群李明左严严金浩张昕宇
申请(专利权)人:浙江晶科能源有限公司晶科能源有限公司
类型:发明
国别省市:浙江,33

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