光电传感器及制备方法、基板、OLED显示面板技术

本发明专利技术公开了光电传感器及制备方法、基板、OLED显示面板。光电传感器包括第一电极；第一类型半导体层，第一类型半导体层由P型材料和N型材料的一者形成，第一类型半导体层设置在第一电极上；本征半导体层，本征半导体层设置在第一类型半导体层远离第一电极的一侧；第二类型半导体层，第二类型半导体层由P型材料和N型材料的另一者形成，第二类型半导体层设置在本征半导体层远离第一类型半导体层的一侧，第二类型半导体层包括多个依次层叠设置的半导体亚层，使得第二类型半导体层形成减反射膜；第二电极，第二电极设置在第二类型半导体层远离本征半导体层的一侧，第二电极由透明导电材料形成。该光电传感器有较大的吸光量。

【技术实现步骤摘要】
光电传感器及制备方法、基板、OLED显示面板
本专利技术涉及显示
，具体地，涉及光电传感器及制备方法、具有光电传感功能的基板、OLED显示面板。
技术介绍
光电传感器是将光信号转换为电信号的一种器件，其工作原理基于光电效应，具体的，光照射在某些物质上时，物质的电子吸收光子的能量而发生了相应的电效应现象。有机电致发光显示器(OLED)是一种主动发光器件，具有超轻、超薄、低功耗、高亮度、高对比度和高分辨率等优点。将光电传感器集成在具有指纹识别功能的OLED显示器中，可以实现光电传感指纹识别。然而，目前的光电传感器及制备方法、具有光电传感功能的基板、OLED显示面板仍有待改进。
技术实现思路
本专利技术是基于专利技术人对于以下事实和问题的发现和认识作出的：目前，具有光电传感指纹识别功能的OLED显示器存在检测精度低以及分辨率低的问题。专利技术人经过深入研究以及大量实验发现，这主要是由于上述OLED显示器中的光电传感器对光线的吸收能力较差以及光电传感器的面积较大导致的。具体的，在指纹识别过程中，OLED显示器发光区发出的光线照射至手指上，经手指反射后光线入射至光电传感器中，由于光电传感器中各层光电传感膜层对光线的反射较严重，导致光电传感器的吸光量较小，进而光电传感器转换的电信号较弱，从而导致检测精度降低，影响指纹识别。此外，为了提高检测精度，需要增强光电传感器对光线的吸收能力，目前通常采用的方法是将光电传感器做大，也即是说，增大光电传感器的面积，从而增加其吸光量，然而光电传感器面积增大，会导致发光区面积减小，进而降低OLED显示器的分辨率，影响显示品质。本专利技术旨在至少一定程度上缓解或解决上述提及问题中至少一个。在本专利技术的一个方面，本专利技术提出了一种光电传感器。该光电传感器包括：第一电极；第一类型半导体层，所述第一类型半导体层由P型材料和N型材料中的一者形成，所述第一类型半导体层设置在所述第一电极上；本征半导体层，所述本征半导体层设置在所述第一类型半导体层远离所述第一电极的一侧；第二类型半导体层，所述第二类型半导体层由P型材料和N型材料中的另一者形成，所述第二类型半导体层设置在所述本征半导体层远离所述第一类型半导体层的一侧，所述第二类型半导体层包括多个依次层叠设置的半导体亚层，使得所述第二类型半导体层形成减反射膜；以及第二电极，所述第二电极设置在所述第二类型半导体层远离所述本征半导体层的一侧，所述第二电极由透明导电材料形成。由此，该光电传感器可以减少对光线的反射，具有较大的吸光量，应用该光电传感器的OLED显示面板，在光电传感器面积不变的情况下，可以具有较高的检测精度，且在相同吸光量的情况下，可以将该光电传感器做小，从而增大发光区的面积，提高OLED显示面板的分辨率，提高显示品质。根据本专利技术的实施例，沿远离所述本征半导体层方向，多个所述半导体亚层的折射率依次递减，多个所述半导体亚层的折射率分别独立地为5.0-3.8。各个半导体亚层的折射率不同，光线会在半导体亚层中产生干涉，由此，可以减少光线的反射，增大光电传感器对光线的吸收。根据本专利技术的实施例，所述第一类型半导体层以及所述第二类型半导体层分别独立地由掺杂的非晶硅、多晶硅以及单晶硅的至少之一构成。由此，可以利用上述来源广泛的材料形成第一类型半导体层以及第二类型半导体层。根据本专利技术的实施例，多个所述半导体亚层的厚度相等。由此，可以进一步增大光电传感器对光线的吸收。在本专利技术的另一方面，本专利技术提出了一种制备光电传感器的方法。根据本专利技术的实施例，该方法包括：在第一电极上设置第一类型半导体层，所述第一类型半导体层由P型材料和N型材料中的一者形成；在所述第一类型半导体层远离所述第一电极的一侧设置本征半导体层；在所述本征半导体层远离所述第一类型半导体层的一层设置第二类型半导体层，所述第二类型半导体层由P型材料和N型材料中的另一者形成，所述第二类型半导体层包括多个依次层叠设置的半导体亚层，使得所述第二类型半导体层形成减反射膜；以及在所述第二类型半导体层远离所述本征半导体层的一侧设置第二电极，所述第二电极由透明导电材料形成。由此，利用简单的方法即可获得具有较大吸光量的光电传感器，应用该光电传感器的OLED显示面板，在光电传感器面积不变的情况下，可以具有较高的检测精度，且在相同吸光量的情况下，可以将该光电传感器做小，从而增大发光区的面积，提高OLED显示面板的分辨率，提高显示品质。根据本专利技术的实施例，所述第一类型半导体层、所述本征半导体层以及所述第二类型半导体层是通过等离子体增强化学气相沉积形成的，沿远离所述本征半导体层方向，多个所述半导体亚层的折射率依次递减，且是通过在沉积过程中控制用于形成所述第二类型半导体层的原料气体的流量而实现的。由此，可以获得折射率不同的多个半导体亚层，从而减少对光线的反射，进而获得具有较大吸光量的光电传感器。根据本专利技术的实施例，所述原料气体包括磷烷、硼烷以及硅烷，所述方法进一步包括：所述第二类型半导体层由N型材料形成，所述原料气体为磷烷或硅烷，控制所述磷烷或所述硅烷的气体流量，以令多个所述半导体亚层的折射率分别独立地为5.0-3.8；或者，所述第二类型半导体层由P型材料形成，所述原料气体为硼烷或硅烷，控制所述硼烷或所述硅烷的气体流量，令多个所述半导体亚层的折射率分别独立地为5.0-3.8。由此，利用简单的方法即可获得折射率不同的多个半导体亚层，进而获得具有较大吸光量的光电传感器。在本专利技术的另一方面，本专利技术提出了一种具有光电传感功能的基板。根据本专利技术的实施例，该基板包括薄膜晶体管以及光电传感器，所述光电传感器为前面所述的。由此，该基板可以具有前面所述的光电传感器的全部特征以及优点，在此不再赘述。总的来说，该基板集成了薄膜晶体管和光电传感器，可以起到控制作用，同时具有较大的吸光量，应用该基板的OLED显示面板可以具有较高的检测精度，以及较高的分辨率，提高显示品质。根据本专利技术的实施例，所述薄膜晶体管包括依次层叠设置的衬底、有源层、绝缘层、栅极、层间介电层、源极和漏极以及平坦化层，或者，所述薄膜晶体管包括依次层叠设置的衬底、栅极、绝缘层、有源层、源极和漏极以及平坦化层，所述光电传感器设置在所述平坦化层中，且所述光电传感器中的所述第一电极与所述源极和所述漏极同层同材料设置。由此，可以获得顶栅型薄膜晶体管与光电传感器集成的基板，或者底栅型薄膜晶体管与光电传感器集成的基板。在本专利技术的另一方面，本专利技术提出了一种OLED显示面板。根据本专利技术的实施例，该OLED显示面板包括前面所述的基板。由此，该OLED显示面板可以具有前面所述的基板的全部特征以及优点，在此不再赘述。总的来说，该OLED显示面板具有较高的检测精度以及较高的分辨率，提高显示品质。附图说明本专利技术的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：图1显示了根据本专利技术一个实施例的光电传感器的结构示意图；图2显示了根据本专利技术一个实施例的制备光电传感器的方法的流程示意图；图3显示了根据本专利技术一个实施例的具有光电传感功能的基板的结构示意图；图4显示了根据本专利技术另一个实施例的具有光电传感功能的基板的结构示意图；图5显示了根据本专利技术另一个实施例的具有光电传感功能的基板的结构示意图；以及图6显本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种光电传感器，其特征在于，包括：第一电极；第一类型半导体层，所述第一类型半导体层由P型材料和N型材料中的一者形成，所述第一类型半导体层设置在所述第一电极上；本征半导体层，所述本征半导体层设置在所述第一类型半导体层远离所述第一电极的一侧；第二类型半导体层，所述第二类型半导体层由P型材料和N型材料中的另一者形成，所述第二类型半导体层设置在所述本征半导体层远离所述第一类型半导体层的一侧，所述第二类型半导体层包括多个依次层叠设置的半导体亚层，使得所述第二类型半导体层形成减反射膜；以及第二电极，所述第二电极设置在所述第二类型半导体层远离所述本征半导体层的一侧，所述第二电极由透明导电材料形成。

【技术特征摘要】
1.一种光电传感器，其特征在于，包括：第一电极；第一类型半导体层，所述第一类型半导体层由P型材料和N型材料中的一者形成，所述第一类型半导体层设置在所述第一电极上；本征半导体层，所述本征半导体层设置在所述第一类型半导体层远离所述第一电极的一侧；第二类型半导体层，所述第二类型半导体层由P型材料和N型材料中的另一者形成，所述第二类型半导体层设置在所述本征半导体层远离所述第一类型半导体层的一侧，所述第二类型半导体层包括多个依次层叠设置的半导体亚层，使得所述第二类型半导体层形成减反射膜；以及第二电极，所述第二电极设置在所述第二类型半导体层远离所述本征半导体层的一侧，所述第二电极由透明导电材料形成。2.根据权利要求1所述的光电传感器，其特征在于，沿远离所述本征半导体层方向，多个所述半导体亚层的折射率依次递减，多个所述半导体亚层的折射率分别独立地为5.0-3.8。3.根据权利要求1所述的光电传感器，其特征在于，所述第一类型半导体层以及所述第二类型半导体层分别独立地由掺杂的非晶硅、多晶硅以及单晶硅的至少之一构成。4.根据权利要求1所述的光电传感器，其特征在于，多个所述半导体亚层的厚度相等。5.一种制备光电传感器的方法，其特征在于，包括：在第一电极上设置第一类型半导体层，所述第一类型半导体层由P型材料和N型材料中的一者形成；在所述第一类型半导体层远离所述第一电极的一侧设置本征半导体层；在所述本征半导体层远离所述第一类型半导体层的一层设置第二类型半导体层，所述第二类型半导体层由P型材料和N型材料中的另一者形成，所述第二类型半导体层包括多个依次层叠设置的半导体亚层，...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨昕，杨涛，黄睿，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11