OLED背板及其制作方法技术

本发明专利技术提供一种OLED背板及其制作方法。该OLED背板中的透明导体层与像素电极形成透明电容结构，同时OLED发光区也位于透明电容结构的上方，即本发明专利技术的OLED背板的电容区和发光区为同一区域，由于透明电容结构不会影响OLED背板的开口率，因此本发明专利技术的OLED背板的发光面积较大，增加OLED背板的开口率，可以应用于高分辨率OLED显示面板，并且钝化层作为该透明电容结构的介电层，其厚度相对于层间绝缘层的厚度更薄，使透明导体层与像素电极之间的距离更近，可以进一步增加透明电容结构的电容值，因此透明电容结构整体面积可以制作的更小，以进一步增大OLED背板的开口率。

【技术实现步骤摘要】
OLED背板及其制作方法
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种OLED背板及其制作方法。
技术介绍
有机发光二极管显示装置(OrganicLightEmittingDisplay，OLED)具有自发光、驱动电压低、发光效率高、响应时间短、清晰度与对比度高、近180°视角、使用温度范围宽，可实现柔性显示与大面积全色显示等诸多优点，被业界公认为是最有发展潜力的显示装置。OLED器件通常包括：基板、设于基板上的阳极、设于阳极上的空穴注入层、设于空穴注入层上的空穴传输层、设于空穴传输层上的发光层、设于发光层上的电子传输层、设于电子传输层上的电子注入层、及设于电子注入层上的阴极。OLED器件的发光原理为半导体材料和有机发光材料在电场驱动下，通过载流子注入和复合导致发光。具体的，OLED器件通常采用氧化铟锡(ITO)电极和金属电极分别作为器件的阳极和阴极，在一定电压驱动下，电子和空穴分别从阴极和阳极注入到电子传输层和空穴传输层，电子和空穴分别经过电子传输层和空穴传输层迁移到发光层，并在发光层中相遇，形成激子并使发光分子激发，后者经过辐射弛豫而发出可见光。OLED按照驱动方式可以分为无源矩阵型OLED(PassiveMatrixOLED，PMOLED)和有源矩阵型OLED(ActiveMatrixOLED，AMOLED)两大类，即直接寻址和薄膜晶体管矩阵寻址两类。其中，AMOLED具有呈阵列式排布的像素，属于主动显示类型，发光效能高，通常用作高清晰度的大尺寸显示装置。AMOLED显示装置通常包括OLED背板与设于OLED背板上的有机材料层，现有的OLED背板中的电容区由于有金属电极板的存在，所以发光区面积就会比较少，限制了高分辨率AMOLED显示装置的制作。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种OLED背板，发光面积较大，开口率高，可以应用于高分辨率OLED显示面板。本专利技术的目的还在于提供一种OLED背板的制作方法，能增加OLED背板的发光面积以及OLED背板的开口率。为实现上述目的，本专利技术提供了一种OLED背板，包括：衬底基板、设于所述衬底基板上的缓冲层、设于所述缓冲层上并间隔设置的有源层和透明导体层、设于所述有源层上的栅极绝缘层、设于所述栅极绝缘层上的栅极、覆盖所述缓冲层、有源层、透明导体层及栅极的层间绝缘层、设于所述层间绝缘层上的源极和漏极、设于所述层间绝缘层、源极及漏极上的钝化层、设于所述钝化层上的平坦层、设于所述平坦层上的像素电极以及设于所述平坦层及像素电极上的像素定义层；所述透明导体层与像素电极形成透明电容结构；所述像素定义层在该透明电容结构上方限定出OLED发光区。所述有源层包括位于所述栅极绝缘层下方的沟道区以及位于所述沟道区两侧的源极接触区及漏极接触区；所述源极通过贯穿所述层间绝缘层的第一过孔与源极接触区接触，所述漏极通过贯穿所述层间绝缘层的第二过孔与漏极接触区接触。所述钝化层通过贯穿所述层间绝缘层的第一开口与透明导体层接触；所述像素电极通过贯穿所述钝化层及平坦层的第三过孔与漏极接触，并通过贯穿所述平坦层的第二开口与钝化层接触。所述钝化层作为透明电容结构的介电层。所述像素定义层设有暴露出位于所述透明导体层上方的像素电极的第三开口，该第三开口在所述透明电容结构上方限定出OLED发光区。所述OLED背板还包括设于所述衬底基板与缓冲层之间并位于有源层下方的遮光层。所述遮光层的厚度为所述遮光层的材料为钼、铝、铜及钛中的一种或多种组成的合金。所述缓冲层的厚度为所述缓冲层为氧化硅层及氮化硅层中的一种或两种的组合；所述有源层与透明导体层的厚度均为所述有源层与透明导体层的材料均为含有锡元素的氧化物半导体材料；所述栅极绝缘层的厚度为所述栅极绝缘层为氧化硅层及氮化硅层中的一种或两种的组合；所述栅极的材料为钼、铝、铜及钛中的一种或多种组成的合金；所述栅极的厚度为所述层间绝缘层的厚度为所述层间绝缘层为氧化硅层及氮化硅层中的一种或两种的组合；所述源极和漏极的材料均为钼、铝、铜及钛中的一种或多种组成的合金；所述源极和漏极的厚度均为所述钝化层的厚度为所述钝化层为氧化硅层及氮化硅层中的一种或两种的组合。本专利技术还提供一种OLED背板的制作方法，包括如下步骤：步骤S1、提供衬底基板，在所述衬底基板上形成遮光层以及覆盖所述衬底基板及遮光层的缓冲层；步骤S2、在所述缓冲层上形成间隔设置的第一半导体层与第二半导体层；所述第一半导体层位于遮光层的上方；步骤S3、形成覆盖所述缓冲层、第一半导体层及第二半导体层的第一绝缘层，在所述第一绝缘层上沉积一层第一金属层，对该第一金属层进行图案化处理形成位于所述第一半导体层上方的栅极；步骤S4、以所述栅极为遮挡对第一绝缘层进行蚀刻，得到位于所述栅极下方的栅极绝缘层；步骤S5、以所述栅极及栅极绝缘层为遮挡，对所述第一半导体层与第二半导体层进行等离子处理，得到有源层以及与所述有源层间隔设置的透明导体层；所述有源层包括位于所述栅极绝缘层下方的沟道区以及位于所述沟道区两侧的源极接触区及漏极接触区；步骤S6、形成覆盖所述缓冲层、有源层、透明导体层及栅极的层间绝缘层，并对所述层间绝缘层进行蚀刻，形成暴露出所述源极接触区的第一过孔、暴露出所述漏极接触区的第二过孔以及暴露出所述透明导体层的第一开口，在所述层间绝缘层上沉积一层第二金属层，对该第二金属层图案化处理形成源极和漏极；所述源极通过第一过孔与源极接触区接触，所述漏极通过第二过孔与漏极接触区接触；步骤S7、形成覆盖所述层间绝缘层、源极及漏极的钝化层，在所述钝化层上形成平坦层，对所述钝化层及平坦层进行蚀刻，形成暴露出所述漏极的第三过孔以及暴露出位于所述透明导体层上方的钝化层的第二开口；在所述平坦层上形成像素电极；所述像素电极通过第三过孔与漏极接触并通过第二开口与钝化层接触；所述透明导体层与像素电极形成透明电容结构，所述钝化层作为该透明电容结构的介电层；步骤S8、在所述平坦层及像素电极上形成像素定义层，并对所述像素定义层进行蚀刻，形成暴露出位于所述透明导体层上方的像素电极的第三开口，该第三开口在所述透明电容结构上方限定出OLED发光区。所述遮光层的厚度为所述遮光层的材料为钼、铝、铜及钛中的一种或多种组成的合金；所述缓冲层的厚度为所述缓冲层为氧化硅层及氮化硅层中的一种或两种的组合；所述有源层与透明导体层的厚度均为所述有源层与透明导体层的材料均为含有锡元素的氧化物半导体材料；所述栅极绝缘层的厚度为所述栅极绝缘层为氧化硅层及氮化硅层中的一种或两种的组合；所述栅极的材料为钼、铝、铜及钛中的一种或多种组成的合金；所述栅极的厚度为所述层间绝缘层的厚度为所述层间绝缘层为氧化硅层及氮化硅层中的一种或两种的组合；所述源极和漏极的材料均为钼、铝、铜及钛中的一种或多种组成的合金；所述源极和漏极的厚度均为所述钝化层的厚度为所述钝化层为氧化硅层及氮化硅层中的一种或两种的组合。本专利技术的有益效果：本专利技术的OLED背板中的透明导体层与像素电极形成透明电容结构，同时OLED发光区也位于透明电容结构的上方，即本专利技术的OLED背板的电容区和发光区为同一区域，由于透明电容结构不会影响OLED背板的开口率，因此本专利技术的OLED背板的发光面积较大，增加OLED背板的开口率，可以应用于高分辨率OLED显示面本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种OLED背板，其特征在于，包括：衬底基板(10)、设于所述衬底基板(10)上的缓冲层(30)、设于所述缓冲层(30)上并间隔设置的有源层(43)和透明导体层(44)、设于所述有源层(43)上的栅极绝缘层(52)、设于所述栅极绝缘层(52)上的栅极(60)、覆盖所述缓冲层(30)、有源层(43)、透明导体层(44)及栅极(60)的层间绝缘层(70)、设于所述层间绝缘层(70)上的源极(81)和漏极(82)、设于所述层间绝缘层(70)、源极(81)及漏极(82)上的钝化层(90)、设于所述钝化层(90)上的平坦层(100)、设于所述平坦层(100)上的像素电极(110)以及设于所述平坦层(100)及像素电极(110)上的像素定义层(120)；所述透明导体层(44)与像素电极(110)形成透明电容结构；所述像素定义层(120)在该透明电容结构上方限定出OLED发光区。

【技术特征摘要】
1.一种OLED背板，其特征在于，包括：衬底基板(10)、设于所述衬底基板(10)上的缓冲层(30)、设于所述缓冲层(30)上并间隔设置的有源层(43)和透明导体层(44)、设于所述有源层(43)上的栅极绝缘层(52)、设于所述栅极绝缘层(52)上的栅极(60)、覆盖所述缓冲层(30)、有源层(43)、透明导体层(44)及栅极(60)的层间绝缘层(70)、设于所述层间绝缘层(70)上的源极(81)和漏极(82)、设于所述层间绝缘层(70)、源极(81)及漏极(82)上的钝化层(90)、设于所述钝化层(90)上的平坦层(100)、设于所述平坦层(100)上的像素电极(110)以及设于所述平坦层(100)及像素电极(110)上的像素定义层(120)；所述透明导体层(44)与像素电极(110)形成透明电容结构；所述像素定义层(120)在该透明电容结构上方限定出OLED发光区。2.如权利要求1所述的OLED背板，其特征在于，所述有源层(43)包括位于所述栅极绝缘层(52)下方的沟道区(431)以及位于所述沟道区(431)两侧的源极接触区(432)及漏极接触区(433)；所述源极(81)通过贯穿所述层间绝缘层(70)的第一过孔(71)与源极接触区(432)接触，所述漏极(82)通过贯穿所述层间绝缘层(70)的第二过孔(72)与漏极接触区(433)接触。3.如权利要求1所述的OLED背板，其特征在于，所述钝化层(90)通过贯穿所述层间绝缘层(70)的第一开口(73)与透明导体层(44)接触；所述像素电极(110)通过贯穿所述钝化层(90)及平坦层(100)的第三过孔(101)与漏极(82)接触，并通过贯穿所述平坦层(100)的第二开口(102)与钝化层(90)接触。4.如权利要求3所述的OLED背板，其特征在于，所述钝化层(90)作为透明电容结构的介电层。5.如权利要求1所述的OLED背板，其特征在于，所述像素定义层(120)设有暴露出位于所述透明导体层(44)上方的像素电极(110)的第三开口(121)，该第三开口(121)在所述透明电容结构上方限定出OLED发光区。6.如权利要求1所述的OLED背板，其特征在于，还包括设于所述衬底基板(10)与缓冲层(30)之间并位于有源层(43)下方的遮光层(20)。7.如权利要求6所述的OLED背板，其特征在于，所述遮光层(20)的厚度为所述遮光层(20)的材料为钼、铝、铜及钛中的一种或多种组成的合金。8.如权利要求1所述的OLED背板，其特征在于，所述缓冲层(30)的厚度为所述缓冲层(30)为氧化硅层及氮化硅层中的一种或两种的组合；所述有源层(43)与透明导体层(44)的厚度均为所述有源层(43)与透明导体层(44)的材料均为含有锡元素的氧化物半导体材料；所述栅极绝缘层(52)的厚度为所述栅极绝缘层(52)为氧化硅层及氮化硅层中的一种或两种的组合；所述栅极(60)的材料为钼、铝、铜及钛中的一种或多种组成的合金；所述栅极(60)的厚度为所述层间绝缘层(70)的厚度为所述层间绝缘层(70)为氧化硅层及氮化硅层中的一种或两种的组合；所述源极(81)和漏极(82)的材料均为钼、铝、铜及钛中的一种或多种组成的合金；所述源极(81)和漏极(82)的厚度均为所述钝化层(90)的厚度为所述钝化层(90)为氧化硅层及氮化硅层中的一种或两种的组合。9.一种OLED背板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤S1、提供衬底基板(10)，在所述衬底基板(10)上形成遮光层(20)以及覆盖所述衬底基板(10)及遮光层(20)的缓冲层(30)；步骤S2、...

【专利技术属性】
技术研发人员：周星宇，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44