【技术实现步骤摘要】
半导体装置和设备
本公开总体涉及一种半导体装置。
技术介绍
在半导体装置中,多晶硅被用作电阻器或布线。通过将氮化硅布置在多晶硅电阻器上方来提高电阻器值的稳定性的技术在日本专利申请公开No.2008-227061和日本专利申请公开No.2006-222410中介绍。在日本专利申请公开No.2006-222410介绍的技术中,两个氮化物膜(即第一氮化物膜29和第三氮化物膜43)布置在包括多晶硅图形的电阻器元件21上方。而且,在日本专利申请公开No.2006-222410介绍的技术中,用于电连接的触点孔形成在层间绝缘膜27和第一氮化物膜29上。当通过日本专利申请公开No.2006-222410中介绍的技术来形成触点孔时,必须在两个氮化物膜(即,第一氮化物膜29和第三氮化物膜43)上施加蚀刻。这降低了与多晶硅图形的电连接的可靠性,并且最终降低半导体装置的可靠性。
技术实现思路
本专利技术涉及一种用于提高半导体装置的可靠性的技术。根据本专利技术的一个方面,一种半导体装置,包括:半导体基板;导电部件,导电部件布置在半导体基板上方,并包括多晶硅层,多晶硅层具有第一部分、第二部分和第三部分,第三部分沿半导体基板的主表面延伸的方向在第一部分和第二部分之间;层间绝缘膜,层间绝缘膜覆盖导电部件;第一氮化硅层,第一氮化硅层布置在层间绝缘膜和第三部分之间;第二氮化硅层,第二氮化硅层布置在层间绝缘膜和第一部分之间以及在层间绝缘层和第二部分之间;第一触点插头,第一触点插头布置在第一部分上方,第一触点插头穿透层间绝缘膜和第二氮化硅层,以便与导电部件连接;以及第二触点插头,第二触点插头布置在第 ...
【技术保护点】
1.一种半导体装置,包括:半导体基板;导电部件,导电部件布置在半导体基板上方,并包括多晶硅层,多晶硅层具有第一部分、第二部分和第三部分,第三部分沿半导体基板的主表面延伸的方向在第一部分和第二部分之间;层间绝缘膜,层间绝缘膜覆盖导电部件;第一氮化硅层,第一氮化硅层布置在层间绝缘膜和第三部分之间;第二氮化硅层,第二氮化硅层布置在层间绝缘膜和第一部分之间以及在层间绝缘层和第二部分之间;第一触点插头,第一触点插头布置在第一部分上方,第一触点插头穿透层间绝缘膜和第二氮化硅层,以便与导电部件连接;以及第二触点插头,第二触点插头布置在第二部分上方,第二触点插头穿透层间绝缘膜和第二氮化硅层,以便与导电部件连接;其中,第一氮化硅层沿所述方向布置在第一触点插头和第二触点插头之间,并与第一触点插头和第二触点插头分开。
【技术特征摘要】
2017.07.11 JP 2017-1356071.一种半导体装置,包括:半导体基板;导电部件,导电部件布置在半导体基板上方,并包括多晶硅层,多晶硅层具有第一部分、第二部分和第三部分,第三部分沿半导体基板的主表面延伸的方向在第一部分和第二部分之间;层间绝缘膜,层间绝缘膜覆盖导电部件;第一氮化硅层,第一氮化硅层布置在层间绝缘膜和第三部分之间;第二氮化硅层,第二氮化硅层布置在层间绝缘膜和第一部分之间以及在层间绝缘层和第二部分之间;第一触点插头,第一触点插头布置在第一部分上方,第一触点插头穿透层间绝缘膜和第二氮化硅层,以便与导电部件连接;以及第二触点插头,第二触点插头布置在第二部分上方,第二触点插头穿透层间绝缘膜和第二氮化硅层,以便与导电部件连接;其中,第一氮化硅层沿所述方向布置在第一触点插头和第二触点插头之间,并与第一触点插头和第二触点插头分开。2.根据权利要求1所述的半导体装置,其中:第一氮化硅层布置在第二氮化硅层和导电部件之间。3.根据权利要求1所述的半导体装置,其中:第二氮化硅层包括布置在层间绝缘膜和第三部分之间的区域。4.根据权利要求3所述的半导体装置,其中:在第一氮化硅层和导电部件之间的距离比第一氮化硅层和所述区域之间的距离短。5.根据权利要求1所述的半导体装置,其中:第二氮化硅层和导电部件之间的距离比第一氮化硅层和导电部件之间的距离短。6.根据权利要求1所述的半导体装置,其中:第一氧化硅层布置在第一氮化硅层和多晶硅层之间,第二氧化硅层被布置在第一氮化硅层和第二氮化硅层之间,以及第一氧化硅层与多晶硅层接触。7.根据权利要求1所述的半导体装置,其中:第二氮化硅层布置在第一氮化硅层和第一触点插头之间以及在第一氮化硅层和第二触点插头之间。8.根据权利要求1所述的半导体装置,其中:导电部件包括布置在多晶硅层和第一触点插头之间的第一硅化物部分和布置在多晶硅层和第一触点插头之间的第二硅化物部分;以及第一硅化物部分和第二硅化物部分延伸和布置在第二氮化硅层和多晶硅层之间。9.根据权利要求8所述的半导体装置,其中:第二氮化硅层与第一硅化物部分和第二硅化物部分接触。10.根据权利要求1所述的半导体装置,其中:包括氮化硅层、覆盖多晶硅层的侧表面的侧壁布置在半导体基板上方。11.根据权利要求10所述的半导体装置,其中:...
【专利技术属性】
技术研发人员:世森光裕,冈部刚士,柿沼伸明,冈川崇,
申请(专利权)人:佳能株式会社,
类型:发明
国别省市:日本,JP
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