本发明专利技术提供了一种数据驱动集成电路,包括:数据驱动单元以及温度保护单元,所述温度保护单元包括温度传感器组件、开关单元以及控制芯片,所述开关单元的输入端端接入数据信号,所述开关单元的输出端与所述数据驱动单元的输入端连接,所述温度传感器组件用于分别检测所述数据驱动单元的各个元器件的温度值,并将所述温度值上传至所述控制芯片处,所述控制芯片用于在所述温度值大于阈值时控制所述开关单元截止。
【技术实现步骤摘要】
数据驱动集成电路及液晶显示器
本专利技术涉及液晶显示领域,具体涉及一种数据驱动集成电路及液晶显示器。
技术介绍
在现有技术中,数据驱动集成芯片容易出现过热烧坏的情况。因此,现有技术存在缺陷,急需改进。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种数据驱动集成电路及液晶显示器,具有防止数据芯片烧坏的有益效果。本专利技术实施例提供了一种数据驱动集成电路,包括:数据驱动单元以及温度保护单元,所述温度保护单元包括温度传感器组件、开关单元以及控制芯片,所述开关单元的输入端端接入数据信号,所述开关单元的输出端与所述数据驱动单元的输入端连接,所述温度传感器组件用于分别检测所述数据驱动单元的各个元器件的温度值,并将所述温度值上传至所述控制芯片处,所述控制芯片用于在所述温度值大于阈值时控制所述开关单元截止。在本专利技术所述的数据驱动集成电路中,所述数据驱动单元包括移位寄存器、第二缓存器、电平移位器、D\A转换器、第一缓存器以及乘法器,所述移位寄存器、第二缓存器、电平移位器、D\A转换器、第一缓存器以及乘法器依次连接,所述开关单元的输出端与所述移位寄存器的输入端连接。在本专利技术所述的数据驱动集成电路中,所述第二缓存器为线缓存器。在本专利技术所述的数据驱动集成电路中,所述数据驱动集成电路还包括一封装结构,所述移位寄存器、第二缓存器、电平移位器、D\A转换器、第一缓存器以及乘法器封装于所述封装结构内;所述温度传感器组件设置于所述封装结构内部。在本专利技术所述的数据驱动集成电路中,所述数据驱动集成电路还包括一电路板,所述移位寄存器、第二缓存器、电平移位器、D\A转换器、第一缓存器以及乘法器均设置于所述电路板上,所述电路板的背面设置有一半导体散热片。在本专利技术所述的数据驱动集成电路中,所述开关单元包括一MOS场效应晶体管。在本专利技术所述的数据驱动集成电路中,所述温度传感组件包括一温度传感器,该温度传感器设置于该封装结构内。在本专利技术所述的数据驱动集成电路中,所述温度传感组件包括一导热片以及多个温度传感器,该导热片分别与该移位寄存器、第二缓存器、电平移位器、D\A转换器、第一缓存器以及乘法器接触,该多个温度传感器均匀设置于所述导热片上。在本专利技术所述的数据驱动集成电路中,所述控制芯片用于在所述温度值降至所述阈值以下时,将所述开关单元恢复导通。一种液晶显示器,包括上述任一项所述的数据驱动集成电路。本专利技术通过设置温度保护单元使得该温度过高时可以断开数据信号输入,具有保护数据驱动芯片的效果。附图说明图1是本专利技术实施例中的数据驱动集成电路的一种结构示意图。具体实施方式下面详细描述本专利技术的实施方式,所述实施方式的示例在附图中示出,其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施方式是示例性的,仅用于解释本专利技术,而不能理解为对本专利技术的限制。在本专利技术的描述中,需要理解的是,术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本专利技术和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本专利技术的限制。此外,术语“第一”、“第二”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本专利技术的描述中,“多个”的含义是两个或两个以上,除非另有明确具体的限定。在本专利技术的描述中,需要说明的是,除非另有明确的规定和限定,术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或一体地连接;可以是机械连接,也可以是电连接或可以相互通讯;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言,可以根据具体情况理解上述术语在本专利技术中的具体含义。在本专利技术中,除非另有明确的规定和限定,第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触,也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且,第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方,或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方,或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本专利技术的不同结构。为了简化本专利技术的公开,下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然,它们仅仅为示例,并且目的不在于限制本专利技术。此外,本专利技术可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母,这种重复是为了简化和清楚的目的,其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外,本专利技术提供了的各种特定的工艺和材料的例子,但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。请参照图1,图1是本专利技术一实施例中的数据驱动集成电路的结构示意图,包括:数据驱动单元10以及温度保护单元20。其中,该温度保护单元20包括温度传感器组件21、开关单元22以及控制芯片23,所述开关单元22的输入端接入数据信号,所述开关单元22的输出端与所述数据驱动单元10的输入端连接,所述温度传感器组件21用于分别检测所述数据驱动单元10的各个元器件的温度值,并将所述温度值上传至所述控制芯片23处,所述控制芯片23用于在所述温度值大于阈值时控制所述开关单元22截止。控制芯片23用于在所述温度值降至所述阈值以下时,将所述开关单元恢复导通。具体地,该数据驱动单元10包括移位寄存器11、第二缓存器12、电平移位器13、D\A转换器14、第一缓存器15以及乘法器16,所述移位寄存器11、第二缓存器12、电平移位器13、D\A转换器14、第一缓存器15以及乘法器16依次连接,所述开关单元22的输出端与所述移位寄存器11的输入端连接。其中,该第二缓存器12为线缓存器。在一些实施例中,数据驱动集成电路还包括一封装结构,所述移位寄存器11、第二缓存器12、电平移位器13、D\A转换器14、第一缓存器15以及乘法器16封装于所述封装结构内;所述温度传感器组件设置于所述封装结构内部。在一些实施例中,温度传感组件包括一温度传感器,该温度传感器设置于该封装结构内。在一些实施例中,数据驱动集成电路还包括一电路板,所述移位寄存器11、第二缓存器12、电平移位器13、D\A转换器14、第一缓存器15以及乘法器16均设置于所述电路板上,所述电路板的背面设置有一半导体散热片。在一些实施例中,开关单元22包括一MOS场效应晶体管。在一些实施例中,温度传感组件包括一导热片以及多个温度传感器,该导热片分别与该移位寄存器11、第二缓存器12、电平移位器13、D\A转换器14、第一缓存器15以及乘法器16接触,该多个温度传感器均匀设置于所述导热片上。本专利技术还提供了一种液晶显示器,包括上述任一项所述的数据驱动集成电路。在本说明书的描述中,参考术本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种数据驱动集成电路,其特征在于,包括:数据驱动单元以及温度保护单元,所述温度保护单元包括温度传感器组件、开关单元以及控制芯片,所述开关单元的输入端端接入数据信号,所述开关单元的输出端与所述数据驱动单元的输入端连接,所述温度传感器组件用于分别检测所述数据驱动单元的各个元器件的温度值,并将所述温度值上传至所述控制芯片处,所述控制芯片用于在所述温度值大于阈值时控制所述开关单元截止。
【技术特征摘要】
1.一种数据驱动集成电路,其特征在于,包括:数据驱动单元以及温度保护单元,所述温度保护单元包括温度传感器组件、开关单元以及控制芯片,所述开关单元的输入端端接入数据信号,所述开关单元的输出端与所述数据驱动单元的输入端连接,所述温度传感器组件用于分别检测所述数据驱动单元的各个元器件的温度值,并将所述温度值上传至所述控制芯片处,所述控制芯片用于在所述温度值大于阈值时控制所述开关单元截止。2.根据权利要求1所述的数据驱动集成电路,其特征在于,所述数据驱动单元包括移位寄存器、第二缓存器、电平移位器、D\A转换器、第一缓存器以及乘法器,所述移位寄存器、第二缓存器、电平移位器、D\A转换器、第一缓存器以及乘法器依次连接,所述开关单元的输出端与所述移位寄存器的输入端连接。3.根据权利要求2所述的数据驱动集成电路,其特征在于,所述第二缓存器为线缓存器。4.根据权利要求2所述的数据驱动集成电路,其特征在于,所述数据驱动集成电路还包括一封装结构,所述移位寄存器、第二缓存器、电平移位器、D\A转换器、第一缓存器以及乘法器封装于所述封装结...
【专利技术属性】
技术研发人员:吴苗发,
申请(专利权)人:深圳市华星光电技术有限公司,
类型:发明
国别省市:广东,44
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