显示器件制造技术

本发明专利技术提供半导体纳米晶体组合物、半导体纳米晶体‑聚合物复合物及用于液晶显示器件的背光单元，特别是提供半导体纳米晶体组合物和由其制备的半导体纳米晶体‑聚合物复合物，所述半导体纳米晶体组合物包括：半导体纳米晶体、有机添加剂、和能聚合物质，其中所述组合物在进行聚合之后具有大于或等于约40％的雾度。

【技术实现步骤摘要】
显示器件本申请是申请日为2014年10月8日、中国申请号为201410525122.2、专利技术名称为“半导体纳米晶体组合物、半导体纳米晶体-聚合物复合物及用于液晶显示器件的背光单元”的专利技术申请的分案申请。
公开了纳米晶体-聚合物复合物及其制造方法。
技术介绍
与发射显示器例如等离子体显示面板(PDP)和场发射显示装置(FED)不同，液晶显示器件(LCD)为无法单独地发射光并且需要来自外部的入射光来形成图像的非发射显示装置。因此，LCD具有位于其后侧以发射光的背光单元。用于LCD的背光单元使用冷阴极荧光灯(CCFL)作为光源，但是使用CCFL具有缺点，因为均匀亮度可得不到保证并且色纯度可随着LCD的尺寸变得更大而降低。近年来，已经开发了使用三色LED作为光源的背光单元，并且其可再现高的色纯度并且因此可在高品质显示装置中找到其应用。然而，使用三色LED的背光单元远比CCFL昂贵，并且为了克服这样的缺点，许多研究已集中于开发可转换来自单色LED芯片的光以输出白光的白色LED。白色LED可保证收益性，但是与三色LED相比，其不利地具有差的色纯度和低的颜色再现性水平。因此，已经尝试使用半导体纳米晶体作为用于LED中的光转换层的材料以增强颜色再现性及色纯度和具有价格竞争力。
技术实现思路
一个实施方式涉及可制造具有优异的亮度和稳定性的半导体-聚合物复合物的半导体纳米晶体组合物。另一实施方式涉及具有优异的亮度和稳定性的半导体-聚合物复合物。另一实施方式涉及具有优异的亮度和稳定性的背光单元。根据一个实施方式，半导体纳米晶体组合物包括半导体纳米晶体，有机添加剂，和选自能聚合单体、能聚合低聚物、以及其组合的至少一种能聚合物质，并且其在聚合之后具有大于或等于约40％的雾度。所述能聚合物质可包括所述能聚合单体和所述能聚合低聚物。所述半导体纳米晶体可包括II-VI族化合物、III-V族化合物、IV-VI族化合物、IV族元素或化合物、或其组合。所述II-VI族化合物可选自：二元化合物，其选自CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、MgSe、MgS、以及其组合；三元化合物，其选自CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、MgZnSe、MgZnS、以及其组合；和四元化合物，其选自HgZnTeS、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe、HgZnSTe、以及其组合。所述III-V族化合物可选自：二元化合物，其选自GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs、InSb、以及其组合；三元化合物，其选自GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InNP、InNAs、InNSb、InPAs、InPSb、以及其组合；和四元化合物，其选自GaAlNP、GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs、InAlPSb、以及其组合。所述IV-VI族化合物可选自：二元化合物，其选自SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe、PbTe、以及其组合；三元化合物，其选自SnSeS、SnSeTe、SnSTe、PbSeS、PbSeTe、PbSTe、SnPbS、SnPbSe、SnPbTe、以及其组合；和四元化合物，其选自SnPbSSe、SnPbSeTe、SnPbSTe、以及其组合。所述IV族元素或化合物可选自：单一元素，其选自Si、Ge、以及其组合；和二元化合物，其选自SiC、SiGe、以及其组合。所述半导体纳米晶体可具有芯-壳结构。所述半导体纳米晶体可具有大于或等于约50％的量子产率。所述半导体纳米晶体可具有小于或等于约45nm的半宽度(FWHM)。所述半导体纳米晶体可具有基于所述半导体纳米晶体的总重量的小于或等于约35重量％的量的表面有机化合物，所述表面有机化合物包括配体化合物、溶剂、或其组合。所述组合物可以基于所述能聚合物质的总重量的小于或等于约20重量％的量包括所述半导体纳米晶体。所述有机添加剂可包括具有至少一个C8-C30烷基或C8-C30烯基的胺、具有至少一个C8-C30烷基或C8-C30烯基(例如，被所述至少一个C8-C30烷基或C8-C30烯基取代)的膦、具有至少一个C8-C30烷基或C8-C30烯基(例如，被所述至少一个C8-C30烷基或C8-C30烯基取代)的膦氧化物、或其组合。所述半导体纳米晶体组合物可以基于所述能聚合物质的总重量的约0.05重量％-约10重量％的量包括所述有机添加剂。所述能聚合单体和所述能聚合低聚物可包括在其末端处具有至少两个硫醇(-SH)基团的第一单体与在其末端处具有至少两个包含碳-碳不饱和键的基团的第二单体的混合物、丙烯酸酯单体、丙烯酸酯低聚物、甲基丙烯酸酯单体、甲基丙烯酸酯低聚物、氨基甲酸酯丙烯酸酯单体、氨基甲酸酯丙烯酸酯低聚物、环氧单体、环氧低聚物、有机硅(silicone)单体、或有机硅低聚物。所述在其末端处具有至少两个硫醇(-SH)基团的第一单体可由以下化学式1表示。化学式1在化学式1中，R1为氢、取代或未取代的线型或支化的C1-C30烷基、取代或未取代的C6-C30芳基、取代或未取代的C3-C30杂芳基、取代或未取代的C3-C30环烷基、取代或未取代的C3-C30杂环烷基、取代或未取代的C2-C30烯基、取代或未取代的C2-C30炔基、取代或未取代的在环中包括双键或三键的C3-C30脂环族有机基团、取代或未取代的在环中包括双键或三键的C3-C30杂环烷基、被C2-C30烯基或C2-C30炔基取代的C3-C30脂环族有机基团、被C2-C30烯基或C2-C30炔基取代的C3-C30杂环烷基、羟基、-NH2、取代或未取代的C1-C60胺基团(-NRR'，其中R和R'各自独立地为线型或支化的C1-C30烷基)、异氰脲酸酯基团、(甲基)丙烯酸酯基团、卤素、-ROR'(其中R为取代或未取代的C1-C20亚烷基和R'为氢或线型或支化的C1-C20烷基)、-C(＝O)OR'(其中R'为氢或线型或支化的C1-C20烷基)、-CN、或-C(＝O)ONRR'(其中R和R'各自独立地为氢或线型或支化的C1-C20烷基)；L1为单键、碳原子、取代或未取代的C1-C30亚烷基、取代或未取代的C3-C30亚环烷基、取代或未取代的C3-C30亚环烯基、取代或未取代的C6-C30亚芳基、或者取代或未取代的C3-C30亚杂芳基；Y1为单键、取代或未取代的C1-C30亚烷基、取代或未取代的C2-C30亚烯基、或者其中至少一个亚甲基被磺酰基(-S(＝O)2-)、羰基(-C(＝O)-)、醚基(-O-)、硫醚基团(-S-)、亚砜基团(-S(＝O)-本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.显示器件，其包括半导体纳米晶体‑聚合物复合物的层，其中所述半导体纳米晶体‑聚合物复合物包括：半导体纳米晶体，有机添加剂，和选自能聚合单体、能聚合低聚物、以及其组合的至少一种能聚合物质的聚合产物，和其中所述有机添加剂包括具有C8‑C30烷基或烯基的伯胺、具有C8‑C30烷基或烯基的仲胺、具有C8‑C30烷基或烯基的叔胺、具有C8‑C30烷基或烯基的伯膦、具有C8‑C30烷基或烯基的仲膦、具有C8‑C30烷基或烯基的叔膦、具有C8‑C30烷基或烯基的伯膦氧化物、具有C8‑C30烷基或烯基的仲膦氧化物、具有C8‑C30烷基或烯基的叔膦氧化物、或其组合。

【技术特征摘要】
2013.10.08 KR 10-2013-0120151;2014.09.30 KR 10-2011.显示器件，其包括半导体纳米晶体-聚合物复合物的层，其中所述半导体纳米晶体-聚合物复合物包括：半导体纳米晶体，有机添加剂，和选自能聚合单体、能聚合低聚物、以及其组合的至少一种能聚合物质的聚合产物，和其中所述有机添加剂包括具有C8-C30烷基或烯基的伯胺、具有C8-C30烷基或烯基的仲胺、具有C8-C30烷基或烯基的叔胺、具有C8-C30烷基或烯基的伯膦、具有C8-C30烷基或烯基的仲膦、具有C8-C30烷基或烯基的叔膦、具有C8-C30烷基或烯基的伯膦氧化物、具有C8-C30烷基或烯基的仲膦氧化物、具有C8-C30烷基或烯基的叔膦氧化物、或其组合。2.如权利要求1所述的显示器件，其中所述半导体纳米晶体-聚合物复合物具有大于或等于40％的雾度。3.如权利要求1所述的显示器件，其中所述能聚合物质包括能聚合单体和能聚合低聚物。4.如权利要求1所述的显示器件，其中所述半导体纳米晶体包括II-VI族化合物、III-V族化合物、IV-VI族化合物、IV族元素或化合物、或其组合。5.如权利要求1所述的显示器件，其中所述半导体纳米晶体具有芯-壳结构。6.如权利要求1所述的显示器件，其中所述半导体纳米晶体具有大于或等于50％的光致发光量子产率。7.如权利要求1所述的显示器件，其中所述半导体纳米晶体具有小于或等于45nm的半宽度。8.如权利要求1所述的显示器件，其中所述半导体纳米晶体包括表面有机化合物，其中所述表面有机化合物的量小于或等于35％，基于所述半导体纳米晶体的总重量，和其中所述表面有机化合物包括配体化合物、溶剂、或其组合。9.如权利要求1所述的显示器件，其中所述半导体纳米晶体-聚合物复合物具有大于或等于45％且小于或等于95％的雾度。10.如权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员：元那渊，康玄雅，张银珠，田信爱，O曹，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国,KR