一种芳香胺衍生物及其有机电致发光器件制造技术

本发明专利技术提供一种芳香胺衍生物及其有机电致发光器件，涉及有机光电材料技术领域。该类化合物具有高的空穴迁移率、玻璃化转变温度和折射率，其空穴注入和传输能力好，稳定性和成膜性也好，还能提高外量子效率，既可以作为空穴传输层，又可以作为覆盖层，能够提高器件的发光效率和亮度，还能降低器件的驱动电压，延长器件的使用寿命等。

【技术实现步骤摘要】
一种芳香胺衍生物及其有机电致发光器件
本专利技术涉及有机光电材料
，具体涉及一种芳香胺衍生物及其有机电致发光器件。
技术介绍
近年来，有机发光二极管(OrganicLightEmittingDiode，OLED)凭借其自发光、广视角、广色域、短响应时间、高亮度、高发光效率、低驱动电压、长寿命、面板薄、低成本、生产工艺简单以及可制成尺寸各异和卷曲的面板等优势，备受国内外面板企业以及研究人员的关注。OLED的发光原理属于电激发光(electroluminescence，EL)，OLED器件属于双注入型发光器件，其结构如三明治的结构，由阳极、阴极和二者之间的有机物层组成，当在两极之间施加适当的电压时，空穴从阳极一侧注入，电子从阴极一侧注入，二者通过电荷传输层到达发光层通过相互作用形成激子(exciton)，激子由激发态回到基态，将电能直接转化为有机半导体材料分子的光能，实现发光。然而，由于有机材料本身具有绝缘性，使得只有极少量的电流可以在电场的作用下被注入，使电子与空穴相互作用形成的激子数量非常有限。为了提高激子的数量，化学家们设计并合成出了有助于电子或空穴注入和传输的电子注入材料、电子传输材料、空穴注入材料、空穴传输材料等。其中，空穴传输材料需要具有高的空穴迁移率(holemobility)和高的耐热稳定性，但是目前被应用的空穴传输材料的耐热稳定性仍欠佳，使OLED器件在发光效率、发光亮度、驱动电压及使用寿命等性能上的表现仍有所不足，仍需化学工作者们发现性能更佳的空穴传输材料。顶发射器件的特点是采用不透明阳极和半透射阴极，光从阴极一侧发出，是目前应用广泛的OLED器件，在阴极背离阳极一侧加一层具有高折射率的覆盖层，能够克服基板模式损失、表面等离子损失和波导效应，从而改善半透射电极的透过率，提高器件的外量子效率。
技术实现思路
针对现有技术中存在的上述问题，本专利技术提供一种空穴传输性能和耐热稳定性能好，并且折射率高的芳香胺衍生物，以及含有该化合物的高效率、高亮度、低驱动电压和长使用寿命的有机电致发光器件。本专利技术提供了一种芳香胺衍生物，具有如通式(I)所示结构：其中，X选自氧原子或者硫原子；A、B、C独立地选自氢原子、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C3～C30的杂芳基中的任意一种；Ar1、Ar2独立地选自取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C3～C30的杂芳基中的任意一种；R1、R2独立地选自取代或未取代的C1～C6的烷基、取代或未取代的C6～C12的芳基中的任意一种；R3、R4独立地选自取代或未取代的C1～C6的烷基、取代或未取代的C6～C12的芳基中的任意一种；L1、L2独立地选自单键、取代或未取代的C6～C30的亚芳基中的任意一种；n选自0或者1。优选的，所述的R1、R2相互连接，形成五元碳环；所述的R3、R4相互连接，形成五元碳环。优选的，所述的芳香胺衍生物具有如通式(II-A)～(II-D)中的任意一种所示结构：其中，X选自氧原子或者硫原子；A、B、C独立地选自氢原子、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C3～C30的杂芳基中的任意一种；Ar1、Ar2独立地选自取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C3～C30的杂芳基中的任意一种；R3、R4独立地选自取代或未取代的C1～C6的烷基、取代或未取代的C6～C12的芳基中的任意一种；L1、L2独立地选自单键、取代或未取代的C6～C30的亚芳基中的任意一种。优选的，所述的芳香胺衍生物具有如通式(III-A)～(III-L)中的任意一种所示结构：其中，X选自氧原子或者硫原子；A、B独立地选自氢原子或者苯基；Ar1、Ar2独立地选自取代或未取代的苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的蒽基、取代或未取代的菲基、取代或未取代的芴基、取代或未取代的苯并菲基、取代或未取代的芘基、取代或未取代的二苯并呋喃基、取代或未取代的二苯并取代或未取代的噻吩基、取代或未取代的咔唑基中的任意一种；R3、R4独立地选自甲基或者苯基；L1、L2独立地选自单键、亚苯基、亚萘基、亚蒽基、亚菲基、亚芴基中的任意一种；X1、X2独立地选自氧原子、硫原子、NR5、CR6R7中的任意一种，其中，R5、R6、R7独立地选自取代或未取代的C1～C6的烷基、取代或未取代的C6～C12的芳基中的任意一种。优选的，所述的R5、R6、R7独立地选自甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、仲丁基、叔丁基、异丁基、苯基、萘基、联苯基中的任意一种。优选的，所述的Ar1、Ar2独立地选自如下所示基团中的任意一种：优选的，所述的芳香胺衍生物具有如下所示结构中的任意一种：本专利技术还提供一种有机电致发光器件，包括阳极、阴极、有机物层和覆盖层；所述的有机物层位于所述的阳极与所述的阴极之间；所述的覆盖层位于所述的阴极背离所述的阳极一侧；所述的有机物层包括空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层中的至少一种；所述的有机物层中含有所述的芳香胺衍生物。优选的，所述的有机物层中含有所述的空穴传输层；所述的空穴传输层中含有所述的芳香胺衍生物。更优选的，所述的覆盖层中含有所述的芳香胺衍生物。本专利技术的有益效果：本专利技术提供的芳香胺衍生物，具有高的空穴迁移率，有利于空穴的注入和传输；此外，该类化合物的玻璃化转变温度(Tg)高，使分子具有很好的耐热稳定性和形成非结晶性薄膜的能力，同时能够避免传输层软化、空穴传输物质从有机树脂中渗出以及传输性能低下等问题，保证了器件的长期使用；该化合物还具有高折射率(1.7～2.2之间)。该化合物凭借上述的优异性能，既可以作为OLED器件中的空穴传输层，又可以作为OLED器件中的覆盖层。作为空穴传输层，可以提高空穴的注入与传输效率；作为覆盖层，能够克服基板模式损失、表面等离子损失和波导效应，从而改善半透射电极的透过率，提高器件的外量子效率，在可见光范围内的透过率达80％以上。含有该化合物的OLED器件的发光效率、亮度、使用寿命和驱动电压等均得到了改善。具体实施方式本专利技术首先提供一种芳香胺衍生物，具有如通式(I)所示结构：其中，X选自氧原子或者硫原子；A、B、C独立地选自氢原子、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C3～C30的杂芳基中的任意一种；Ar1、Ar2独立地选自取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C3～C30的杂芳基中的任意一种；R1、R2独立地选自取代或未取代的C1～C6的烷基、取代或未取代的C6～C12的芳基中的任意一种；R3、R4独立地选自取代或未取代的C1～C6的烷基、取代或未取代的C6～C12的芳基中的任意一种；L1、L2独立地选自单键、取代或未取代的C6～C30的亚芳基中的任意一种；n选自0或者1。优选的，所述的R1、R2相互连接，形成五元碳环；所述的R3、R4相互连接，形成五元碳环。优选的，所述的芳香胺衍生物具有如通式(II-A)～(II-D)中的任意一种所示结构：其中，X选自氧原子或者硫原子；A、B、C独立地选自氢原子、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C3～C30的杂芳基中的任意一种；Ar1、Ar2独立地选自取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C3～C30的杂芳基中的任意本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种芳香胺衍生物，其特征在于，具有如通式(I)所示结构：

【技术特征摘要】
1.一种芳香胺衍生物，其特征在于，具有如通式(I)所示结构：其中，X选自氧原子或者硫原子；A、B、C独立地选自氢原子、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C3～C30的杂芳基中的任意一种；Ar1、Ar2独立地选自取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C3～C30的杂芳基中的任意一种；R1、R2独立地选自取代或未取代的C1～C6的烷基、取代或未取代的C6～C12的芳基中的任意一种；R3、R4独立地选自取代或未取代的C1～C6的烷基、取代或未取代的C6～C12的芳基中的任意一种；L1、L2独立地选自单键、取代或未取代的C6～C30的亚芳基中的任意一种；n选自0或者1。2.根据权利要求1所述的芳香胺衍生物，其特征在于，所述的R1、R2相互连接，形成五元碳环；所述的R3、R4相互连接，形成五元碳环。3.根据权利要求1所述的芳香胺衍生物，其特征在于，具有如通式(II-A)～(II-D)中的任意一种所示结构：其中，X选自氧原子或者硫原子；A、B、C独立地选自氢原子、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C3～C30的杂芳基中的任意一种；Ar1、Ar2独立地选自取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C3～C30的杂芳基中的任意一种；R3、R4独立地选自取代或未取代的C1～C6的烷基、取代或未取代的C6～C12的芳基中的任意一种；L1、L2独立地选自单键、取代或未取代的C6～C30的亚芳基中的任意一种。4.根据权利要求1所述的芳香胺衍生物，其特征在于，具有如通式(III-A)～(III-L)中的任意一种所示结构：其中，X选自氧原子或者硫原子；A、B独立地选自氢原子或者苯基；Ar1、Ar2独立地选自取代或未取代的苯基...

【专利技术属性】
技术研发人员：周雯庭，蔡辉，
申请(专利权)人：长春海谱润斯科技有限公司，
类型：发明
国别省市：吉林,22