馈点可调式单馈微带圆极化天线制造技术

一种馈点可调式单馈微带圆极化天线，从上而下依次包括馈电探针、顶部辐射贴片、介质基体和底部反射面，所述底部反射面设有接地面，所述馈电探针从上而下依次贯穿顶部辐射贴片、介质基体和底部反射面，所述顶部辐射贴片为环形，所述顶部辐射贴片上设有环形槽，所述顶部辐射贴片沿径向的两端浅切角，所述顶部辐射贴片的外圈还设有深切角，所述深切角的中心线与浅切角的中心线之间的角度为45度。其优点在于不需要改变天线的主体结构及馈针的位置，节省了重新开模的成本，且相位中心稳定。提高了天线的抗干扰性，易于批量生产，并且使用防氧化膜保护，增加了顶部辐射贴片的防氧化性能。

【技术实现步骤摘要】
馈点可调式单馈微带圆极化天线
本技术涉及天线
，特别是一种馈点可调式单馈微带圆极化天线。
技术介绍
目前卫星定位技术的应用越来越广泛，主要包括美国GPS定位系统，中国北斗定位系统，俄罗斯格洛纳斯定位系统等，每个定位系统都具备不同的特点，显著的特点是，各系统的载波频段不同。共同特点是导航天线的极化方式均为圆极化，圆极化天线可以实现目标或载体在运动状态下电磁信号的良好收发，较线极化天线具有较强的抗干扰能力和保密性。普遍采用的单馈圆极化天线，通过这几年的发展，结构和尺寸相对固定，馈点位置也形成了相对固定的规格，天线的输入阻抗默认均为50欧姆，为了最大化实现天线的辐射效率，一般需要将天线的输入阻抗匹配到50欧姆，由于天线结构和馈针的位置相对固定不能调整，如果调整需重新开模具或更改终端用户的主板等硬件结构，这显然不是最佳途径，通常的做法是改变顶部辐射贴片在介质基体上的相对位置，但是具体到大多数应用场合，采用这种方法仍不能达到最佳的匹配效果，而且这种偏移会带来相位中心偏移的弊端，在某些比较复杂的使用场合，天线的抗干扰性能也会下降，且部分应用场合会受到雨水等因素的影响达不到最佳的使用效果。
技术实现思路
有鉴于此，本技术提供了一种馈点可调式单馈微带圆极化天线，以解决上述问题。一种馈点可调式单馈微带圆极化天线，从上而下依次包括馈电探针、顶部辐射贴片、介质基体和底部反射面，所述底部反射面设有接地面，所述馈电探针从上而下依次贯穿顶部辐射贴片、介质基体和底部反射面并与底部反射面绝缘隔离，所述顶部辐射贴片为环形，所述顶部辐射贴片上设有环形槽，所述顶部辐射贴片沿径向的两端设有浅切角，所述顶部辐射贴片的外圈还设有深切角，所述深切角的中心线与浅切角的中心线之间的角度为45度。进一步地，所述深切角的中心线与顶部辐射贴片的中心线重合。进一步地，所述浅切角和深切角的形状为长方形或梯形。进一步地，所述介质基体的材质为陶瓷、高频微波板或PTFE中的任意一种。进一步地，所述顶部辐射贴片的材料为金或者银等金属良导体。进一步地，所述介质基体的顶部还覆盖透明防氧化膜，所述透明防氧化膜贴合顶部辐射贴片和介质基体。与现有技术相比，本技术的一种馈点可调式单馈微带圆极化天线，从上而下依次包括馈电探针、顶部辐射贴片、介质基体和底部反射面，所述底部反射面设有接地面，所述馈电探针从上而下依次贯穿顶部辐射贴片、介质基体和底部反射面，所述顶部辐射贴片为环形，所述顶部辐射贴片上设有环形槽，所述顶部辐射贴片沿径向的两端设有浅切角，所述顶部辐射贴片的外圈还设有深切角，所述深切角的中心线与浅切角的中心线之间的角度为45度。本技术不需要改变天线的主体结构及馈针的位置，节省了重新开模的成本，且相位中心稳定。提高了天线的抗干扰性，易于批量生产，并且使用防氧化膜保护，增加了顶部辐射贴片的防氧化性能。附图说明以下结合附图描述本技术的实施例，其中：图1为本技术提供的一种馈点可调式单馈微带圆极化天线的立体示意图。图2为本技术提供的一种馈点可调式单馈微带圆极化天线的爆炸示意图。具体实施方式以下基于附图对本技术的具体实施例进行进一步详细说明。应当理解的是，此处对本技术实施例的说明并不用于限定本技术的保护范围。请参考图1和2，其为本技术提供的一种馈点可调式单馈微带圆极化天线，从上而下依次包括馈电探针10、顶部辐射贴片11、介质基体12和底部反射面13，所述底部反射面13设有接地面，所述馈电探针10从上而下依次贯穿顶部辐射贴片11、介质基体12和底部反射面13并与底部反射面13绝缘隔离，所述顶部辐射贴片11为环形，所述顶部辐射贴片11上设有环形槽111，所述顶部辐射贴片11沿径向的两端设有浅切角112，所述顶部辐射贴片11的外圈还设有深切角113，所述深切角113的中心线与浅切角112的中心线之间的角度为45度。所述天线结构体积小，质量轻，其平面结构使得它便于获得线极化、圆极化、双极化和多频段工作等特性，以及性能优越，加工方便具有更大的灵活性，且低的阻抗和速度色散更好地适应用户的需求。所述环形槽111在实际生产中便于开设，且所述环形槽111配合浅切角112和深切角113的设置实现了圆极化，不用更改天线结构结构及馈电探针10的位置实现阻抗匹配。所述深切角113的中心线与顶部辐射贴片11的中心线重合。采用环形槽111在顶部辐射贴片11的对角线方向即45度角方向馈电，这样可以激发出两个相互正交的TM01和TM10两种模式。所述浅切角112和深切角113的形状为长方形或梯形。根据不同的图案形式选取不同的微扰方式实现圆极化。所述介质基体12的材质为陶瓷、高频微波板或PTFE中的任意一种。介质基体12的材料选择介电常数范围较宽的微波介质材料。所述所述顶部辐射贴片11的材料为金或者银等金属良导体。顶部辐射贴片11的金或银等金属良导体材料附着在介质基体12上实现所需的工作频段。本实施方式中，在顶部辐射贴片11处根据不同的天线结构选择不同的环形槽111形状，通过改变环形槽111的宽度、长度和位置等参数，最终实现良好的阻抗匹配，同时不需要对介质基体12，馈点位置做出任何改变，同时配合浅切角112和深切角113进行微调，实现圆极化，应用范围变大。所述介质基体12的顶部还覆盖透明防氧化膜，所述透明防氧化膜贴合顶部辐射贴片11和介质基体12，增加了顶部辐射贴片11的防氧化功能，适用范围更广。与现有技术相比，本技术的一种馈点可调式单馈微带圆极化天线，从上而下依次包括馈电探针10、顶部辐射贴片11、介质基体12和底部反射面13，所述底部反射面13设有接地面，所述馈电探针10从上而下依次贯穿顶部辐射贴片11、介质基体12和底部反射面13并与底部反射面13绝缘隔离，所述顶部辐射贴片11为环形，所述顶部辐射贴片11上设有环形槽111，所述顶部辐射贴片11沿径向的两端设有浅切角112，所述顶部辐射贴片11的外圈还设有深切角113，所述深切角113的中心线与浅切角112的中心线之间的角度为45度。本技术不需要改变天线的主体结构及馈针的位置，节省了重新开模的成本，且相位中心稳定。提高了天线的抗干扰性，易于批量生产，并且使用防氧化膜保护，增加了顶部辐射贴片11的防氧化性能。以上仅为本技术的较佳实施例，并不用于局限本技术的保护范围，任何在本技术精神内的修改、等同替换或改进等，都涵盖在本技术的权利要求范围内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种馈点可调式单馈微带圆极化天线，其特征在于：从上而下依次包括馈电探针、顶部辐射贴片、介质基体和底部反射面，所述底部反射面设有接地面，所述馈电探针从上而下依次贯穿顶部辐射贴片、介质基体和底部反射面并与底部反射面绝缘隔离，所述顶部辐射贴片为环形，所述顶部辐射贴片上设有环形槽，所述顶部辐射贴片沿径向的两端设有浅切角，所述顶部辐射贴片的外圈还设有深切角，所述深切角的中心线与浅切角的中心线之间的角度为45度。

【技术特征摘要】
1.一种馈点可调式单馈微带圆极化天线，其特征在于：从上而下依次包括馈电探针、顶部辐射贴片、介质基体和底部反射面，所述底部反射面设有接地面，所述馈电探针从上而下依次贯穿顶部辐射贴片、介质基体和底部反射面并与底部反射面绝缘隔离，所述顶部辐射贴片为环形，所述顶部辐射贴片上设有环形槽，所述顶部辐射贴片沿径向的两端设有浅切角，所述顶部辐射贴片的外圈还设有深切角，所述深切角的中心线与浅切角的中心线之间的角度为45度。2.如权利要求1所述的一种馈点可调式单馈微带圆极化天线，其特征在于：所述深切角的中心线与顶部辐射...

【专利技术属性】
技术研发人员：冯子义，金向军，
申请(专利权)人：浙江嘉康电子股份有限公司，
类型：新型
国别省市：浙江,33