一种高压并联电抗器气隙填充用的合成铝瓷垫块及其制备方法技术

本发明专利技术提供了一种高压并联电抗器气隙填充用的合成铝瓷垫块及其制备方法，所述垫块包括按质量百分比计的下述成分：氧化铝60‑70％、氧化铬10‑15％、氟化镁5‑10％、二氧化硅3‑6％、氧化钙2‑3％、表面活性剂5‑7％、粘结剂1‑2％和润滑剂0.5‑1％；所述制备方法包括：雾化制粉；凝胶压延成型；脉冲电流烧结；抛光和镀膜；本发明专利技术提供的合成铝瓷垫块的强度高，弹性模量大，密度小且耐油性好。

A synthetic aluminium-ceramic pad for air gap filling of high voltage shunt reactor and its preparation method

The present invention provides a synthetic aluminium ceramic pad for air gap filling of high voltage shunt reactor and its preparation method. The pad comprises the following components as per mass percentage: alumina 60 70%, chromium oxide 10 15%, magnesium fluoride 5 10%, silicon dioxide 3 6%, calcium oxide 2 3%, surfactant 5 7%, binder 1 2% and lubricant 0.5 1%. The method comprises: atomizing powder making, gel calendering, pulse current sintering, polishing and coating; the synthetic aluminum ceramic pad provided by the invention has high strength, large elastic modulus, small density and good oil resistance.

【技术实现步骤摘要】
一种高压并联电抗器气隙填充用的合成铝瓷垫块及其制备方法
本专利技术涉及一种气隙填充垫块，具体涉及一种高压并联电抗器气隙填充用的合成铝瓷垫块及其制备方法。
技术介绍
电抗器分为空芯电抗器和铁芯电抗器。铁芯电抗器包括铁芯、绕组、气隙材料、绝缘油和箱体；其中，气隙填充材料的添加目的是为了减小铁心磁导率，控制电抗器的电感量。现有电抗器铁心柱的气隙填充材料以天然岩石为主，但由于天然岩石的力学强度低和弹性模量小，导致电抗器铁芯产生的振动噪声较大；密度较大，这在一定程度上增加了电抗器的重量；且天然岩含有与绝缘油反应的物质，造成电抗器内部电磁场不稳定，容易引起电抗器故障。因此，需要对现有的电抗器的气体填充材料做改进，提供一种强度高，弹性模量大，密度小且耐油性好的电抗器的气体填充材料。
技术实现思路
为了满足现有技术的需要，本专利技术提供一种高压并联电抗器气隙填充用的合成铝瓷垫块及其制备方法，所述合成铝瓷垫块的强度高，弹性模量大，密度小且耐油性好。本专利技术通过如下技术方案实现：一种高压并联电抗器气隙填充用的合成铝瓷垫块，按质量百分比计，所述垫块包括：氧化铝60-70％、氧化铬10-15％、氟化镁5-10％、二氧化硅3-6％、氧化钙2-3％、表面活性剂5-7％、粘结剂1-2％和润滑剂0.5-1％。优选的，所述垫块包括：氧化铝65-70％、氧化铬10-13％、氟化镁5-8％、二氧化硅3-4％、氧化钙2-3％、表面活性剂5-6％、粘结剂1-2％和润滑剂0.5-1％。优选的，所述垫块包括：氧化铝65％、氧化铬13％、氟化镁6％、二氧化硅4％、氧化钙2.4％、表面活性剂6％、粘结剂1.3％和润滑剂0.7％。优选的，所述氧化铝和氧化铬的粒径分别为5-10nm和150-200nm。优选的，所述粘结剂和润滑剂分别为PVA和硬脂酸。优选的，所述表面活性剂包括丙二醇脂肪酸酯和琥珀酸二辛酯磺酸钠。优选的，所述垫块的抗压强度大于150MPa，泊松比小于0.1，弹性模量大于190GPa。一种高压并联电抗器气隙填充用的合成铝瓷垫块的制备方法，其包括如下步骤：1)雾化制粉：于雾化装置中将混合原料制成粉末；2)凝胶压延成型：用注入凝胶化剂的垫块模具压制成型所述粉末，得到铝瓷垫块成型体；3)烧结：用脉冲电流烧结所述垫块成型体，得到合成铝瓷垫块；4)抛光：以加工刀具磨削所述合成铝瓷垫块，得到抛光的合成铝瓷垫块；5)镀膜：真空条件下，将抛光处理的合成铝瓷垫块表面溅射镀膜后于1200-1580℃下加热0.5-1h，得到强化的合成铝瓷垫块。所述脉冲电流烧结包括：将所述垫块成型体于1400-1500℃下保温40-50min后升温至1600-1800℃保温10-15min。优选的，所述抛光包括：在偏离合成铝瓷垫块的抛光面一定角度的方向，以金刚石刀具反复磨削所述垫块垫块的表面。优选的，所述角度范围为20-30°。优选的，所述溅射镀膜包括：于真空溅射镀膜室中，以液态二氧化硅喷涂所述抛光处理的合成铝瓷垫块的表面。与最接近的现有技术比，本专利技术的技术方案具有如下有益效果：(1)本专利技术提供的合成铝瓷垫块的抗压强度高，弹性模量大，相对于现有的天然岩石材料，大大降低了电抗器的振动与噪声。(2)本专利技术提供的合成铝瓷垫块的耐油性好，保证了抗器内部电磁场的稳定，减少了电抗器发生故障的风险。(3)本专利技术提供的合成铝瓷垫块的耐老化性能好，能够在-25℃到120℃之间保持电抗器的性能稳定。(4)本专利技术提供的合成铝瓷垫块的密度小，重量轻；泊松比小，不易变形。(5)本专利技术提供的技术方案，于合成铝瓷垫块中添加氧化铬和氟化镁，活化了氧化铝的晶格，利于氧化铝的脉冲电流烧结，大大提高了合成铝瓷垫块的硬度和强度。具体实施方式下面通过具体实施例对本专利技术的技术方案做进一步说明：实施例1一种高压并联电抗器气隙填充用的合成铝瓷垫块，所述垫块的抗压强度大于150MPa，泊松比小于0.1，弹性模量大于190GPa；按质量百分比计，所述垫块包括下述成分：粒径5nm的氧化铝60％、粒径150nm的氧化铬15％、氟化镁10％、二氧化硅6％、氧化钙2％、丙二醇脂肪酸酯5％、PVA1％和硬脂酸0.5％；所述合成铝瓷垫块的制法包括如下步骤：1)雾化制粉：于雾化装置中，以1.6MPa的氩气喷射混合原料，得到生料粉末；2)凝胶压延成型：用注入凝胶化剂的垫块模具压制成型所述粉末，得到铝瓷垫块成型体；3)烧结：将所述垫块成型体于1400℃下保温40min后升温至1600℃保温10min，得到合成铝瓷垫块；4)抛光：在偏离合成铝瓷垫块的抛光面20°角的方向，以金刚石刀具对所述垫块垫块的表面反复磨削，得到抛光的合成铝瓷垫块；5)镀膜：于真空溅射镀膜室中，以液态二氧化硅喷涂所述抛光处理的合成铝瓷垫块的表面，然后于1200℃下加热0.5h，得到强化的合成铝瓷垫块。实施例2一种高压并联电抗器气隙填充用的合成铝瓷垫块，所述垫块的抗压强度大于150MPa，泊松比小于0.1，弹性模量大于190GPa；按质量百分比计，所述垫块包括下述成分：粒径7nm的氧化铝65％、粒径175nm的氧化铬13％、氟化镁6％、二氧化硅4％、氧化钙2.4％、琥珀酸二辛酯磺酸钠6％、PVA1.3％和硬脂酸0.7％；所述合成铝瓷垫块的制法包括如下步骤：1)雾化制粉：于雾化装置中，以1.7MPa的氩气喷射混合原料，得到生料粉末；2)凝胶压延成型：用注入凝胶化剂的垫块模具压制成型所述粉末，得到铝瓷垫块成型体；3)烧结：将所述垫块成型体于1440℃下保温43min后升温至1680℃保温12min，得到合成铝瓷垫块；4)抛光：在偏离合成铝瓷垫块的抛光面25°角的方向，以金刚石刀具对所述垫块垫块的表面反复磨削，得到抛光的合成铝瓷垫块；5)镀膜：于真空溅射镀膜室中，以液态二氧化硅喷涂所述抛光处理的合成铝瓷垫块的表面，然后于1300℃下加热0.7h，得到强化的合成铝瓷垫块。实施例3一种高压并联电抗器气隙填充用的合成铝瓷垫块，所述垫块的抗压强度大于150MPa，泊松比小于0.1，弹性模量大于190GPa；按质量百分比计，所述垫块包括下述成分：粒径9nm的氧化铝68％、粒径188nm的氧化铬14％、氟化镁8％、二氧化硅5％、氧化钙2.7％、琥珀酸二辛酯磺酸钠6.5％、PVA1.8％和硬脂酸0.9％；所述合成铝瓷垫块的制法包括如下步骤：1)雾化制粉：于雾化装置中，以1.8MPa的氩气喷射混合原料，得到生料粉末；2)凝胶压延成型：用注入凝胶化剂的垫块模具压制成型所述粉末，得到铝瓷垫块成型体；3)烧结：将所述垫块成型体于1480℃下保温47min后升温至1750℃保温14min，得到合成铝瓷垫块；4)抛光：在偏离合成铝瓷垫块的抛光面28°角的方向，以金刚石刀具对所述垫块垫块的表面反复磨削，得到抛光的合成铝瓷垫块；5)镀膜：于真空溅射镀膜室中，以液态二氧化硅喷涂所述抛光处理的合成铝瓷垫块的表面，然后于1450℃下加热0.8h，得到强化的合成铝瓷垫块。实施例4一种高压并联电抗器气隙填充用的合成铝瓷垫块，所述垫块的抗压强度大于150MPa，泊松比小于0.1，弹性模量大于190GPa；按质量百分比计，所述垫块包括下述成分：粒径10的氧化铝70％、粒径200nm的氧化铬10％、氟化镁5％、二氧化硅3％、氧化钙3％本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种高压并联电抗器气隙填充用的合成铝瓷垫块，其特征在于，按质量百分比计，所述垫块包括：氧化铝60‑70％、氧化铬10‑15％、氟化镁5‑10％、二氧化硅3‑6％、氧化钙2‑3％、表面活性剂5‑7％、粘结剂1‑2％和润滑剂0.5‑1％。

【技术特征摘要】
1.一种高压并联电抗器气隙填充用的合成铝瓷垫块，其特征在于，按质量百分比计，所述垫块包括：氧化铝60-70％、氧化铬10-15％、氟化镁5-10％、二氧化硅3-6％、氧化钙2-3％、表面活性剂5-7％、粘结剂1-2％和润滑剂0.5-1％。2.如权利要求1所述的一种高压并联电抗器气隙填充用的合成铝瓷垫块，其特征在于，所述垫块包括：氧化铝65-70％、氧化铬10-13％、氟化镁5-8％、二氧化硅3-4％、氧化钙2-3％、表面活性剂5-6％、粘结剂1-2％和润滑剂0.5-1％。3.如权利要求1所述的一种高压并联电抗器气隙填充用的合成铝瓷垫块，其特征在于，所述垫块包括：氧化铝65％、氧化铬13％、氟化镁6％、二氧化硅4％、氧化钙2.4％、表面活性剂6％、粘结剂1.3％和润滑剂0.7％。4.如权利要求1所述的一种高压并联电抗器气隙填充用的合成铝瓷垫块，其特征在于，所述氧化铝和氧化铬的粒径分别为5-10nm和150-200nm。5.如权利要求1所述的一种高压并联电抗器气隙填充用的合成铝瓷垫块，其特征在于，所述粘结剂和润滑剂分别为PVA和硬脂酸。6.如权利要求1所述的一种高压并联电抗器气隙填充用的合成铝瓷垫块，其特征在于，所述表面活性剂包括丙二醇脂肪酸酯和琥珀酸二辛酯磺酸钠。7.如权利要求1所述的一种高压并联电抗器气隙填充用的合成铝瓷垫块，其特征在于，所述垫块的抗压强度大于150MPa，泊松比小...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘晓圣，聂京凯，樊超，田一，王广克，刘兰荣，张俊杰，何强，侯东，金文德，章姝俊，李靖，潘魏巍，李睿，卢林，王斌，刘主光，
申请(专利权)人：全球能源互联网研究院，国家电网公司，国网浙江省电力公司，国网浙江省电力公司金华供电公司，国网浙江省电力公司温州供电公司，保定天威保变电气股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11