存储设备的数据训练方法技术

技术编号:20122646 阅读:30 留言:0更新日期:2019-01-16 12:55
一种存储设备的数据训练方法,所述存储设备包括存储控制器和非易失性存储器设备,所述方法包括:向所述非易失性存储器设备发送读取训练命令;响应于读取训练命令,接收从非易失性存储器设备输出的第一训练模式;响应于读取训练命令,接收从非易失性存储器设备输出的第二训练模式;以及将接收的第一训练模式和接收的第二训练模式与参考模式进行比较,并取决于比较结果确定存储控制器的读取定时偏移。

Data Training Method for Storage Equipment

A data training method for a storage device includes a storage controller and a non-volatile memory device. The method includes sending a read training command to the non-volatile memory device, receiving a first training mode output from the non-volatile memory device in response to the read training command, and receiving a non-volatile memory device in response to the read training command. The second training mode of the output of the storage device and the first training mode received and the second training mode received are compared with the reference mode, and the reading timing offset of the storage controller is determined depending on the comparison results.

【技术实现步骤摘要】
存储设备的数据训练方法相关申请的交叉引用要求于2017年7月3日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2017-0084195号的优先权,其全部内容通过引用合并于此。
本文公开的本公开的实施例涉及半导体设备,更具体地说,涉及用于以高速执行数据训练的存储设备的数据训练方法。
技术介绍
需要数据训练(或DQ训练)来确保用多个非易失性存储器设备和存储控制器实现的存储设备中的数据的可靠性。数据训练包括读取训练和写入训练。读取训练是指存储控制器对齐从非易失性存储器设备输出的数据Dout的眼图(eyepattern)的中心的操作。写入训练指的是用于对齐要写入非易失性存储器设备的数据Din的眼图的操作。对于数据训练,存储控制器可以将特定模式的数据分别写入非易失性存储器设备中,或者可以从非易失性存储器设备读取特定模式的数据。写入或读取特定模式的数据需要命令和地址。因此,在训练操作期间不可避免地需要输入命令和地址以及输入或输出模式数据所需的时间以及用于AC定时的时间。为了实现大容量存储设备,可以将大量的非易失性存储器设备安装在存储设备上。在包括大量非易失性存储器设备的存储设备中,为了在诸如上电的情况下提供快速访问性能的目的,需要减小打开定时(opentiming)。
技术实现思路
本公开的实施例提供了一种存储设备的数据训练方法,其中高速数据训练是可能的。根据实施例的一个方面,一种存储设备的数据训练方法,所述存储设备包括存储控制器和非易失性存储器设备,所述方法包括:向所述非易失性存储器设备发送读取训练命令;响应于读取训练命令,在第一读取定时偏移条件下接收从非易失性存储器设备输出的第一训练模式;响应于读取训练命令,在第二读取定时偏移条件下接收从非易失性存储器设备输出的第二训练模式;以及将接收的第一训练模式和接收的第二训练模式与参考模式进行比较,并取决于比较结果确定存储控制器的读取定时偏移。根据实施例的另一方面,一种存储设备的数据训练方法,所述存储设备包括存储控制器和非易失性存储器设备,所述方法包括:向非易失性存储器设备输入写入训练命令;在所述写入训练命令之后,在第一写入定时偏移条件下,向所述非易失性存储器设备输入训练模式;从所述非易失性存储器设备读取在所述第一写入定时偏移条件下写入的所述训练模式作为第一输出数据;在第二写入定时偏移条件下,输入训练模式到非易失性存储器设备;从所述非易失性存储器设备读取在所述第二写入定时偏移条件写入的所述训练模式作为第二输出数据;以及将所述第一输出数据和所述第二输出数据与参考模式进行比较,并且取决于所述比较结果来确定所述存储控制器的写入定时偏移。根据实施例的另一方面,一种存储设备的数据训练方法,所述存储设备包括存储控制器和非易失性存储器设备,所述方法包括:向非易失性存储器设备输入写入命令;在写入命令之后,在不同的写入定时偏移条件下,在非易失性存储器设备中重复地写入训练模式;向非易失性存储器设备输入读取命令;响应于读取命令接收从非易失性存储器设备输出的多个训练模式;以及通过使用接收的训练模式来确定存储控制器的写入定时偏移。附图说明从以下参考附图的描述中,上述和其他目的和特征将变得显而易见,其中除非另有说明,否则相同的附图标记在各个附图中表示相同的部分,并且其中:图1是示出根据本公开的实施例的存储设备的框图;图2是示出本公开的存储控制器的框图;图3是示出包括在图1的存储介质中的非易失性存储器设备中的一个的框图;图4是示出作为数据训练的示例的读取训练的框图;图5是示出根据本公开的实施例的存储设备的读取训练方法的流程图;图6是示出根据本公开的实施例的读取训练方法的图;图7是示出根据本公开的实施例的读取训练操作中的命令序列和数据信号的时序图;图8是示出根据本公开的实施例的写入训练方法的流程图;图9是示出在图8的写入训练操作中在存储控制器与非易失性存储器设备之间交换的数据的图;图10是示出根据本公开的实施例的写入训练操作中的命令序列和数据信号的时序图;图11是示出根据本公开的另一实施例的写入训练方法的流程图;图12是示出写入训练操作中的存储控制器与非易失性存储器设备之间交换的数据的图;以及图13是示出根据图11所示的实施例的写入训练操作中的命令序列和数据信号的时序图。具体实施方式应当理解,前面的一般描述和下面的详细描述都是作为示例提供的,用于说明而不是限制本公开的范围。将在本公开的实施例中详细地表示附图标记,其示例在附图中示出。只要有可能,在附图和描述中使用相同的附图标记来指代相同或相似的部分。在下文中,NAND型快闪存储器设备将被例示为用于描述本公开的特征和功能的非易失性存储器设备。然而,本领域技术人员可以取决于这里公开的内容容易地理解本公开的其他优点和性能。例如,本公开的特征可以应用于相变RAM(PRAM)、磁阻式RAM(MRAM)、电阻式RAM(ReRAM)、铁电RAM(FRAM)、NOR闪存等,作为非易失性存储器设备。这里,本说明书中使用的术语“数据训练”是指搜索和调节数据线的眼图的中心的操作。本公开可以通过其他实施例来实现或应用。另外,在不脱离本公开的权利要求、范围和精神以及任何其他目的的情况下,可以根据观点和应用来改变或修改详细描述。以下,将参考附图详细描述本公开的实施例。图1是示出根据本公开实施例的存储设备的框图。参考图1,存储设备100包括存储控制器110、存储介质120和缓冲器130。在存储控制器110和存储介质120之间提供用于数据和信号交换的一个或多个信道(channel)140、150和160。存储控制器110可以被配置为控制存储介质120。例如,响应于外部请求,存储控制器110可以将数据写入存储介质120中,或者可以读取存储在存储介质120中的数据。为了访问存储介质120,存储控制器110可以向存储介质120提供命令、地址和控制信号。存储控制器110可以为了读取主机100请求的数据的目的而访问存储介质120。存储控制器110可以通过一个或多个信道140、150和160连接到存储介质120。为了提高访问效率,存储控制器110可以取决于信道交织方式通过使用一个或多个信道140、150和160来访问存储介质120。存储控制器110可以在存储设备100的引导或特定情况下执行存储介质120的数据训练(也称为“DQ训练”)。存储控制器110可以通过数据训练提高与存储介质120的数据交换的可靠性。例如,存储控制器110可以在各种条件下在存储介质120中写入或读取训练模式(trainingpattern)以检测数据信号DQ的中心。为了对齐检测的数据信号DQ的中心,存储控制器110可以调节延迟锁相环(DLL)或锁相环(PLL)的偏移值。具体地,在存储控制器110将最小数量的命令和地址发送到选择的非易失性存储器设备的情况下,本公开的存储控制器110可以执行数据训练(或DQ训练)。也就是说,为了读取训练或写入训练,即使存储控制器110向选择的非易失性存储器设备发出一次或两次命令序列,存储控制器110也可以发送或接收与各种偏移相对应的数据信号DQ。因此,可能显著减少用于执行大量非易失性存储器设备的数据训练的存储设备100中的命令和AC定时的时间。存储介质120包括多个非易失性存储器设备NV本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种存储设备的数据训练方法,所述存储设备包括存储控制器和非易失性存储器设备,所述方法包括:由所述存储控制器向所述非易失性存储器设备发送读取训练命令;响应于读取训练命令,由存储控制器在第一读取定时偏移条件下接收从非易失性存储器设备输出的第一训练模式;响应于读取训练命令,由存储控制器在第二读取定时偏移条件下接收从非易失性存储器设备输出的第二训练模式;以及由存储控制器将第一训练模式和第二训练模式与参考模式进行比较,并基于比较结果确定存储控制器的读取定时偏移。

【技术特征摘要】
2017.07.03 KR 10-2017-00841951.一种存储设备的数据训练方法,所述存储设备包括存储控制器和非易失性存储器设备,所述方法包括:由所述存储控制器向所述非易失性存储器设备发送读取训练命令;响应于读取训练命令,由存储控制器在第一读取定时偏移条件下接收从非易失性存储器设备输出的第一训练模式;响应于读取训练命令,由存储控制器在第二读取定时偏移条件下接收从非易失性存储器设备输出的第二训练模式;以及由存储控制器将第一训练模式和第二训练模式与参考模式进行比较,并基于比较结果确定存储控制器的读取定时偏移。2.根据权利要求1所述的方法,其中,所述读取训练命令由所述存储控制器一次发送以执行所述非易失性存储器设备的读取训练操作。3.根据权利要求1所述的方法,其中,在输出所述第一训练模式之后,所述非易失性存储器设备响应于读取训练命令输出所述第二训练模式,而无需附加命令。4.根据权利要求3所述的方法,其中,所述非易失性存储器设备响应于由所述存储控制器发送的读取使能信号而输出所述第一训练模式和所述第二训练模式。5.根据权利要求1所述的方法,还包括:在存储控制器在第一读取定时偏移条件下接收第一训练模式之后,由存储控制器将用于接收从非易失性存储器设备输出的数据的第一采样时间点改变为用于接收从非易失性存储器设备输出的数据的第二采样时间点,其中,第一采样时间点对应于第一读取定时偏移条件,并且第二采样时间点对应于第二读取定时偏移条件。6.根据权利要求5所述的方法,其中:在第一采样时间点改变为第二采样时间点的同时,由存储控制器使非易失性存储器设备的芯片使能信号去激活,以及存储控制器在第一读取定时偏移条件下在第一采样时间点期间对从非易失性存储器设备输出的数据进行采样,以及存储控制器在第二读取定时偏移条件下在第二采样时间点期间对从非易失性存储器设备输出的数据进行采样。7.根据权利要求1所述的方法,还包括在所述读取训练命令发送到所述非易失性存储器设备之后,由所述存储控制器发送所述第一训练模式和第二训练模式的地址。8.一种存储设备的数据训练方法,所述存储设备包括存储控制器和非易失性存储器设备,所述方法包括:从存储控制器向非易失性存储器设备输入写入训练命令;在所述写入训练命令之后,在第一写入定时偏移条件下,从所述存储控制器向所述非易失性存储器设备输入训练模式;由所述存储控制器从所述非易失性存储器设备读取在所述第一写入定时偏移条件下写入的训练模式作为第一输出数据;在第二写入定时偏移条件下,从存储控制器向非易失性存储器设备输入训练模式;由所述存储控制器从所述非易失性存储器设备读取在所述第二写入定时偏移条件下写入的训练模式作为第二输出数据;以及由所述存储控制器将所述第一输出数据和所述第二输出数据与参考模式进行比...

【专利技术属性】
技术研发人员:李哲承李泰成李忠义黃淳石
申请(专利权)人:三星电子株式会社
类型:发明
国别省市:韩国,KR

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