辐射装置制造方法及图纸

本公开提供了一种辐射装置，包括：一控制面板，具有一有源区，该控制面板包括：一可调制单元，设置于该有源区；以及一离子吸引单元，其中该离子吸引单元与该可调制单元对应设置，且该离子吸引单元与该可调制单元电性绝缘。

Radiation device

The present disclosure provides a radiation device, including a control panel with an active area, which comprises a modulation unit set in the active area and an ion attraction unit, wherein the ion attraction unit is set corresponding to the modulation unit, and the ion attraction unit is electrically insulated from the modulation unit.

【技术实现步骤摘要】
辐射装置
本公开是有关于一种电子装置，且特别有关于一种包含液晶的高频辐射装置。
技术介绍
辐射装置中可能会因材料成分、制程过程、测试过程或长时间操作而包含或产生可移动的离子，这些离子可能会在辐射装置操作过程中造成干扰。因此，减少辐射装置中可移动的离子，来提升辐射装置的效能是当前急需面对的课题。
技术实现思路
本公开提供了一种辐射装置，包括：一控制面板，具有一有源区，该控制面板包括：一可调制单元，设置于该有源区；以及一离子吸引单元，其中该离子吸引单元与该可调制单元对应设置，且该离子吸引单元与该可调制单元电性绝缘。本公开的辐射装置可利用离子吸引单元来吸引可移动的离子，借此降低可移动的离子在辐射装置操作过程中造成干扰，以提升辐射装置的效能。附图说明为让本专利技术的上述目的、特征和优点能更明显易懂，以下结合附图对本专利技术的具体实施方式作详细说明，其中：图1是显示有关于本公开的实施例1的辐射装置的控制面板的上视示意图。图2A是显示有关于本公开的实施例1的辐射装置的控制面板的第一基板的上视示意图。图2B是显示有关于本公开的实施例1的辐射装置的控制面板的第二基板的上视示意图。图3是显示有关于本公开的实施例1的辐射装置的控制面板的A-A’线剖面图。图4是显示有关于变形例1的辐射装置的控制面板的A-A’线剖面图。图5是显示有关于变形例2的辐射装置的控制面板的A-A’线剖面图。图6是显示有关于本公开的实施例2的辐射装置的控制面板的上视示意图。图7是显示有关于本公开的实施例3的辐射装置的控制面板的上视示意图。图8A是显示有关于本公开的实施例3的辐射装置的控制面板的第一基板的上视示意图。图8B是显示有关于本公开的实施例1的辐射装置的控制面板的第二基板的上视示意图。图9是显示有关于本公开的实施例4的辐射装置的控制面板的上视示意图。图10是显示有关于本公开的实施例5的辐射装置的控制面板6的上视示意图。图11是显示有关于本公开的实施例5的辐射装置的控制面板的B-B’线剖面图。图12是显示有关于本公开的实施例6的辐射装置的控制面板的上视示意图。图13是显示有关于本公开的实施例7的辐射装置的控制面板的上视示意图。图中元件标号说明如下：1、2、3、4、5、6、7控制面板11、31第一基板12、32第二基板13介质层14间隙物111、311第一吸引电极111A第三吸引电极112第一绝缘层113第一配向层115、315、118第一电极116第三绝缘层117第三配向层121、321第二吸引电极121A第一吸引电极121B第二吸引电极122第二绝缘层123第二配向层125、325第二电极126第四绝缘层127第四配向层A1有源区A2非有源区M虚拟边界线N1第一开口N2第二开口P、P’可调制单元P1第一可调制单元P2第二可调制单元IAU离子吸引单元具体实施方式以下的说明提供了许多不同的实施例、或是例子，用来实施本公开的不同特征。以下特定例子所描述的组件和排列方式，仅用来精简地表达本公开，其仅作为例子，而并非用以限制本公开。例如，第一特征在一第二特征上或上方的结构的描述包括了第一特征和第二特征之间直接接触，或是以另一特征设置于第一特征和第二特征之间，以致于第一特征和第二特征并不是直接接触。本说明书的第一以及第二等词汇，仅作为清楚解释的目的，并非用以对应于以及限制专利范围。此外，第一特征以及第二特征等词汇，并非限定是相同或是不同的特征。于此使用的空间上相关的词汇，例如上方或下方等，仅用以简易描述图式上的一组件或一特征相对于另一组件或特征的关系。除了图式上描述的方位外，还包括不同的方位使用或是操作的装置。另外，本说明书所述的第一组件垂直于第二组件并不限定于第一组件与第二组件之间的夹角为90度，更包括了可接受的公差范围，例如第一组件与第二组件的夹角在85度到95度之间。本说明书所述的第一组件平行于第二组件并不限定于第一组件与第二组件之间的夹角为0度，更包括了可接受的公差范围，例如第一组件与第二组件的夹角在-5度到5度之间。图式中的形状、尺寸、以及厚度可能为了清楚说明的目的而未依照比例绘制或是被简化，仅提供说明之用。请参照图1至图3。图1是显示有关于本公开的实施例1的辐射装置的控制面板1的上视示意图。图2A是显示有关于本公开的实施例1的辐射装置的控制面板1的第一基板11的上视示意图。图2B是显示有关于本公开的实施例1的辐射装置的控制面板1的第二基板12的上视示意图。图3是显示有关于本公开的实施例1的辐射装置的控制面板1的A-A’线剖面图。本公开的辐射装置可操作在高频率范围，例如可以是操作在高频的液晶天线，但不限定于此。高频范围例如大于或等于1吉赫(GHz)且小于或等于80吉赫(GHz)。辐射装置中可包括控制面板1，控制面板1中可包括介质层13以及由多个可调制单元P所组成的可调制单元数组，借由电信号控制各个可调制单元P，使对应各个可调制单元P的介质(例如液晶分子)的排列方式不同而具有不同的介电常数，因而可控制每个可调制单元P发射或接收的无线信号的相位，进而影响可调制单元数组所辐射出来的波前的前进方向，即例如为天线发射或接收的幅射方向。上述的可调制单元P，因为发射或接受的功能不同，包括大小不同的第一可调制单元P1及第二可调制单元P2。辐射装置的控制面板1具有有源区A1以及非有源区A2，非有源区A2邻近于有源区A1设置。有源区A1及非有源区A2在图1中以虚拟边界线M来表示其分界。在本实施例1中，可调制单元P可设置于有源区A1，而非有源区A2可设置离子吸引单元IAU。在本公开一些实施例中，至少一个可调制单元P可设置于有源区A1，而至少一个离子吸引单元IAU可设置于非有源区A2，但本公开不以此为限。在本公开一些实施例中，离子吸引单元IAU可与可调制单元P对应设置，且离子吸引单元IAU可与可调制单元P电性绝缘。在本公开一些实施例中，虚拟边界线M可大致上由第二基板12上的金属层(第二电极125)的范围来定义(如图2B所示)。在本公开另一些实施例中，虚拟边界线M可大致上由可调制单元P的排列位置来定义，例如可调制单元P可在一区域中较密集排列，此区域的边界即可定义为虚拟边界线M。控制面板1可包括第一基板11、第二基板12以及介质层13。第一基板11及第二基板12可对应设置，且介质层13可位于第一基板11及第二基板12之间。第一基板11及第二基板12可借由间隙物14来维持两者之间的间隙。在一实施例中，第一基板11及第二基板12可由不吸收(或仅吸收微量)辐射装置操作的频率范围辐射的基材所形成，例如不吸收(或仅吸收微量)高频辐射的基材所形成，例如包含玻璃基板，或其他适合的材质，但不以此为限。在一实施例中，介质层可包含具有高双折射特性的材料(例如液晶)，但不以此为限。离子吸引单元IAU可包括第一吸引电极111和第二吸引电极121。可调制单元P可包括第一电极115和第二电极125。在一实施例中，第一吸引电极111可设置于第一基板11上，第一绝缘层112可设置于第一吸引电极111上，第一配向层113可设置于第一绝缘层112上。换句话说，第一配向层113可设置于第一基板11邻近介质层13的表面上，第一吸引电极111可设置于第一基板11和第一配向层113之间，而第一绝缘层112可设置于第本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种辐射装置，包括：一控制面板，具有一有源区与一非有源区，该控制面板包括：一第一可调制单元，设置于该有源区；以及一离子吸引单元，设置于该有源区与该非有源区的至少一者，且该离子吸引单元与该第一可调制单元电性绝缘。

【技术特征摘要】
2017.07.06 US 62/528,9991.一种辐射装置，包括：一控制面板，具有一有源区与一非有源区，该控制面板包括：一第一可调制单元，设置于该有源区；以及一离子吸引单元，设置于该有源区与该非有源区的至少一者，且该离子吸引单元与该第一可调制单元电性绝缘。2.如权利要求1所述的辐射装置，其特征在于，该控制面板是包括一第一基板、一第二基板、以及一介质层，其中该第一基板与该第二基板对应设置，且该介质层位于该第一基板与该第二基板之间。3.如权利要求2所述的辐射装置，其特征在于，该离子吸引单元包括：一第一配向层，设置于该第一基板的表面，且该第一基板的表面邻近于该介质层；一第一吸引电极，设置于该第一基板和该第一配向层之间；一第二配向层，设置于该第二基板的表面，且该第二基板的表面邻近于该介质层；以及一第二吸引电极，设置于该第二基板和该第二配向层之间，其中该第一吸引电极及该第二吸引电极在垂直该第一基板的方向上重叠。4.如权利要求3所述的辐射装置，其特征在于，该离子吸引单元更包括：一第一绝缘层，设置于该第一吸引电极和该第一配向层之间；以及一第二绝缘层，设置于该第二吸引电极和该第二配向层之间。5.如权利要求2所述的辐射装置，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：许闵雅，韦忠光，
申请(专利权)人：群创光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71