半导体封装装置及制造所述半导体封装装置的方法制造方法及图纸

一种图像传感器包括芯片、第一重布层RDL、第二RDL及第三RDL。所述芯片具有第一表面、与所述第一表面相对的第二表面及在所述第一表面与所述第二表面之间延伸的侧向表面。所述第一RDL安置于所述芯片的所述第一表面上，且沿着所述芯片的所述第一表面并超出所述芯片的所述侧向表面地延伸。所述第二RDL安置于所述芯片的所述第二表面上。所述第三RDL安置于所述芯片的所述侧向表面上并将所述第一RDL连接到所述第二RDL。

Semiconductor packaging device and method for manufacturing the semiconductor packaging device

An image sensor includes a chip, a first reduplication layer RDL, a second RDL and a third RDL. The chip has a first surface, a second surface relative to the first surface and a lateral surface extending between the first surface and the second surface. The first RDL is placed on the first surface of the chip and extends along the first surface of the chip and beyond the side of the chip. The second RDL is mounted on the second surface of the chip. The third RDL is placed on the side surface of the chip and connected to the second RDL.

【技术实现步骤摘要】
半导体封装装置及制造所述半导体封装装置的方法
本公开大体上涉及一种半导体封装装置及一种制造所述半导体封装装置的方法。更明确来说，本公开涉及一种包含图像传感器的半导体封装装置及一种制造所述半导体封装装置的方法。
技术介绍
在互补金属氧化物半导体(ComplementaryMetal-Oxide-Semiconductor；CMOS)图像传感器中，图像传感器的主动侧及背侧可通过硅穿孔(throughsiliconvia；TSV)电连接。然而，使用TSV将增大制造成本及复杂度。
技术实现思路
在一或多个实施例中，一种图像传感器包括芯片、第一重布层(RDL)、第二RDL及第三RDL。所述芯片具有第一表面、与所述第一表面相对的第二表面及在所述第一表面与所述第二表面之间延伸的侧向表面。所述第一RDL安置于所述芯片的所述第一表面上，且沿着所述芯片的所述第一表面并超出所述芯片的所述侧向表面地延伸。所述第二RDL安置于所述芯片的所述第二表面上。所述第三RDL安置于所述芯片的所述侧向表面上并将所述第一RDL连接到所述第二RDL。在一或多个实施例中，一种图像传感器包括衬底、微透镜阵列、第一RDL及第二RDL。所述衬底具有第一表面、与所述第一表面相对的第二表面及在所述第一表面与所述第二表面之间延伸的侧向表面。所述微透镜阵列安置于所述衬底的所述第一表面上。所述第一RDL安置于所述衬底的所述第一表面上且包含延伸超出所述衬底的所述侧向表面的突出部分。所述第二RDL安置于所述衬底的所述侧向表面上并接触所述第一RDL的所述突出部分。所述第一RDL与所述第二RDL的接触面积大于所述第二RDL的横截面面积。在一或多个实施例中，一种制造图像传感器的方法包括：(a)设置具有第一表面及与所述第一表面相对的第二表面的衬底，所述衬底在其中具有第一切割通道；(b)在所述第一表面上形成第一RDL，所述第一RDL在所述第一切割通道内延伸，所述第一RDL具有面向所述衬底的所述第一表面的底表面；(c)去除所述衬底的在所述第一切割通道内的部分以暴露所述衬底的表面并暴露所述第一RDL的所述底表面；及(d)形成第二RDL，其沿着所述衬底的所述经暴露表面延伸以接触所述第一RDL的所述底表面。附图说明当结合附图阅读时，从以下详细描述最佳地理解本公开的方面。应注意，各种特征可能未按比例绘制，且各种特征的尺寸可出于论述清晰起见任意增大或缩减。图1A说明根据本公开的一些实施例的半导体封装装置的横截面视图；图1B说明根据本公开的一些实施例的如展示于图1A中的半导体封装装置的一部分的放大视图；图1C说明根据本公开的一些实施例的如展示于图1A中的半导体封装装置的一部分的放大视图；图2说明根据本公开的一些实施例的半导体封装装置的横截面视图；图3A、图3B、图3C、图3D、图3E、图3F及图3G说明根据本公开的一些实施例的制造半导体封装装置的方法的各种阶段；图4A、图4B、图4C、图4D、图4E、图4F及图4G说明根据本公开的一些实施例的制造半导体封装装置的方法的各种阶段；且图5A、图5B、图5C、图5D、图5E、图5F及图5G说明根据本公开的一些实施例的制造半导体封装装置的方法的各种阶段。贯穿所述图式及详细描述使用共同参考数字以指示相同或类似元件。结合随附图式，本公开从以下详细描述将更显而易见。具体实施方式图1A说明根据本公开的一些实施例的半导体封装装置1的横截面视图。半导体封装装置1包含芯片(或裸片)10，导电层12a、12b、12c，介电层13a、13b、13c，罩盖14，及一或多个电触点15。芯片10具有主动表面101(也被称作“第一表面”)、与所述主动表面101相对的后表面102(也被称作“第二表面”)，以及在主动表面101与后表面102之间延伸的侧向表面103。在一些实施例中，侧向表面103并不垂直于主动表面101或后表面102。举例来说，通过主动表面101及侧向表面103界定的角可为小于约90度的锐角，而通过后表面102及侧向表面103界定的角可为大于约90度的钝角。在一些其它实施例中，侧向表面103可大体上垂直于主动表面101或后表面102。芯片10可包含半导体衬底、一或多个集成电路装置及其中的一或多个叠对互连结构。集成电路装置可包含例如晶体管的主动装置及/或例如电阻器、电容器、电感器的被动装置，或其一组合。在一些实施例中，芯片10可包含其主动表面101上的微透镜区域11。在一些实施例中，微透镜区域11可包含微透镜阵列。在一些实施例中，芯片10可为图像传感器(例如，CMOS图像传感器)。导电层(也被称作“重布层”或RDL)12a安置于芯片10的主动表面101上且电连接到芯片10的主动表面101上的导电衬垫10p。导电层12b(或RDL)安置于芯片10的后表面102上。导电层12c(或RDL)安置于芯片10的侧向表面103上且电连接导电层12a与导电层12b。导电层12a、12b、12c可由金属、金属合金或其它合适导电材料形成。在一些实施例中，导电层12a、12b、12c中的两个或多于两个可彼此一体式地形成。图1B为根据本公开的一些实施例的展示于图1A中的半导体封装装置1的通过方形A圈出的一部分的放大视图。如图1B中所展示，导电层12a沿着芯片10的主动表面101且在芯片10的侧向表面103上方延伸。举例来说，导电层12a包含延伸或突出超出通过芯片10的主动表面101及侧向表面103界定的边缘的一部分。导电层12c包含第一部分12c1及第二部分12c2。导电层12c的第一部分12c1安置于芯片10的侧向表面103上。导电层12c的第二部分12c2接触导电层12a的底表面12a2(面向芯片10的主动表面101)且沿着所述底表面延伸，所述底表面突出超出芯片10的侧向表面103。举例来说，导电层12c的第二部分12c2大体上平行于芯片10的主动表面101延伸。导电层12c的第二部分12c2延伸超出导电层12a的侧向表面12a1。举例来说，导电层12c的第二部分12c2突出超出所述导电层12a的侧向表面12a1。一些CMOS图像传感器可包含图像传感器的主动侧上的第一RDL及图像传感器的背侧上的第二RDL，其中第二RDL可沿着图像传感器的侧向表面延伸以电连接到第一RDL。然而，第一RDL与第二RDL之间的此连接通过点对点触点或点对线触点达成，所述点对点触点或点对线触点为相对弱的且可断裂或引起第一RDL与第二RDL之间的断路。参看图1B，由于导电层12c的第二部分12c2接触导电层12a的底表面12a2且沿着导电层12a的底表面12a2延伸，因此导电层12a与12c之间的接触界面为平面或表面。举例来说，导电层12a与12c之间的连接通过平面到平面触点或表面到表面触点来达成。举例来说，导电层12a与12c之间的接触面积大于导电层12c的横截面面积(例如，沿着垂直于导电层12c的延伸方向的平面截取)，例如大至少约1.1倍，大至少约1.2倍或大至少约1.3倍。相较于两个导电层之间的通过点对点触点或点对线触点达成的连接，如展示于图1B中的导电层12a与12c之间的连接(例如，平面到平面触点)为相对强的，其将增大导电层12a与12c之间的接合强度且减轻导电层12a与12c之间的断路本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种图像传感器，其包括：芯片，所述芯片具有第一表面、与所述第一表面相对的第二表面及在所述第一表面与所述第二表面之间延伸的侧向表面；第一重布层RDL，其在所述芯片的所述第一表面上，且沿着所述芯片的所述第一表面并超出所述芯片的所述侧向表面地延伸；第二RDL，其在所述芯片的所述第二表面上；及第三RDL，其在所述芯片的所述侧向表面上且将所述第一RDL连接到所述第二RDL。

【技术特征摘要】
2017.07.07 US 15/644,6501.一种图像传感器，其包括：芯片，所述芯片具有第一表面、与所述第一表面相对的第二表面及在所述第一表面与所述第二表面之间延伸的侧向表面；第一重布层RDL，其在所述芯片的所述第一表面上，且沿着所述芯片的所述第一表面并超出所述芯片的所述侧向表面地延伸；第二RDL，其在所述芯片的所述第二表面上；及第三RDL，其在所述芯片的所述侧向表面上且将所述第一RDL连接到所述第二RDL。2.根据权利要求1所述的图像传感器，其中所述第三RDL包含沿着所述芯片的所述侧向表面延伸的第一部分，及沿着大体上平行于所述芯片的所述第一表面的方向远离所述芯片的所述侧向表面延伸的第二部分。3.根据权利要求2所述的图像传感器，其中所述第三RDL的所述第二部分接触所述第一RDL的突出超出所述芯片的所述侧向表面的部分。4.根据权利要求3所述的图像传感器，其中所述第一RDL与所述第三RDL的接触面积大于所述第三RDL的横截面面积。5.根据权利要求3所述的图像传感器，其中所述第三RDL的所述第二部分突出超出所述第一RDL的所述部分的侧向表面，所述部分突出超出所述芯片的所述侧向表面。6.根据权利要求1所述的图像传感器，其进一步包括：第一介电层，其覆盖所述第一RDL；第二介电层，其覆盖所述第二RDL；及第三介电层，其覆盖所述第三RDL。7.根据权利要求1所述的图像传感器，其中所述芯片的所述第一表面包括微透镜区域。8.根据权利要求1所述的图像传感器，其进一步包括所述芯片的所述第一表面上的罩盖。9.根据权利要求1所述的图像传感器，其中所述芯片的所述侧向表面并不垂直于所述芯片的所述第一表面或所述第二表面。10.一种图像传感器，其包括：衬底，所述衬底具有第一表面、与所述第一表面相对的第二表面及在所述第一表面与所述第二表面之间延伸的侧向表面；微透镜阵列，其在所述衬底的所述第一表面上；第一RDL，所述第一RDL在所述衬底的所述第一表面上且包含延伸超出所述衬底的所述侧向表面的突出部分；及第二RDL，其在所述衬底的所述侧向表面上且接触所述第一RDL的所述突出部分，其中所述第一RDL与所述第二RDL的接触面积大于所述第二RDL的横截面面积。11.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：曾吉生，
申请(专利权)人：日月光半导体制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71