显示装置及其制造方法制造方法及图纸

提供了一种显示装置及其制造方法。显示装置包括：通过穿透隔离绝缘层和第二层间介电层分别连接至第一源极电极和第一漏极电极的连接源极电极和连接漏极电极，以提高元件的特性和显示装置的可靠性。

Display Device and Its Manufacturing Method

A display device and its manufacturing method are provided. The display device includes a source electrode and a drain electrode connected to the first source electrode and the first drain electrode respectively by penetrating the isolation insulating layer and the second dielectric layer, so as to improve the characteristics of the element and the reliability of the display device.

【技术实现步骤摘要】
显示装置及其制造方法相关申请的交叉引用本申请要求于2017年6月30日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第2017-0083675号的优先权，通过引用将该专利申请的全部公开内容结合在此。
本专利技术涉及一种显示装置及其制造方法，尤其涉及一种通过分开上下层形成多个薄膜晶体管的显示装置。
技术介绍
近年来，随着信息时代进入全面信息时代，用于视觉上呈现电信息信号的显示领域快速发展，响应于此，具有诸如厚度、重量和功耗降低之类的出色性能的各种平板显示装置得到发展并取代了现有的阴极射线管(CRT)。平板显示装置的具体示例可包括液晶显示器(LCD)、有机发光显示器(OLED)、电泳显示器(EPD)、等离子显示器(PDP)和电润湿显示器。显示装置包括用于显示图像的显示区域。多个薄膜晶体管位于显示区域的像素电路和驱动电路中，以驱动多个像素的元件。形成多个薄膜晶体管的工艺包括形成穿透多个层的孔的工艺，在形成孔时，半导体元件可能被损坏。特别是，当透过具有不同深度的孔暴露半导体元件时，透过相对浅的孔暴露的半导体元件可能被损坏。在工艺过程中对于透过孔暴露的半导体元件的表面的损坏降低了元件的驱动能力并降低了显示装置的可靠性。
技术实现思路
本专利技术的专利技术人认识到在显示装置的制造方法中通过不同的半导体形成多个薄膜晶体管，以提高像素的操作特性。此外，专利技术人专利技术了一种显示装置的制造方法，当在不同层中形成多个薄膜晶体管的各自的半导体，以通过不同的半导体形成多个薄膜晶体管时，该制造方法能够将制造工艺最少化并且减小对半导体元件的损坏。因此，本专利技术要实现的一个目的是提供一种在形成分别暴露设置在不同层中的多个薄膜晶体管的半导体层的接触孔时，减小对半导体层的损坏的显示装置及其制造方法。本专利技术要实现的另一个目的是提供一种基于半导体材料形成薄膜晶体管的源极电极和漏极电极，以减少显示装置的制造工艺所需的掩模数量并减小对半导体元件的损坏的显示装置及其制造方法。本专利技术的目的不限于上述目的，上面未提到的其他目的通过下面的描述对于本领域普通技术人员来说将是显而易见的。根据本专利技术的一个方面，提供了一种显示装置。所述显示装置包括：第一薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管包括第一有源层、位于所述第一有源层上的第一绝缘层、以及通过形成在所述第一绝缘层中的第一接触孔连接至所述第一有源层的第一源极电极和第一漏极电极；第二薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管包括位于所述第一绝缘层上的第二有源层、位于所述第二有源层上的第二绝缘层、以及通过形成在所述第二绝缘层中的第二接触孔连接至所述第二有源层的第二源极电极和第二漏极电极；和通过形成在所述第二绝缘层中的第三接触孔分别连接至所述第一源极电极和所述第一漏极电极的连接源极电极和连接漏极电极。。因此，可提高薄膜晶体管的特性和显示装置的可靠性。根据本专利技术的另一个方面，提供了一种显示装置。所述显示装置包括：第一薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管包括第一有源层、位于所述第一有源层上的第一绝缘层、以及通过所述第一绝缘层的第一接触孔连接至所述第一有源层的第一源极电极和第一漏极电极；和第二薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管包括位于所述第一绝缘层上的第二有源层、位于所述第二有源层上的第二绝缘层、以及通过所述第二绝缘层的第二接触孔连接至所述第二有源层的第二源极电极和第二漏极电极。所述第一源极电极和所述第一漏极电极由导电化的半导体材料形成。因此，可减少显示装置的制造方法中使用的掩模数量。根据本专利技术的又一个方面，提供了一种显示装置的制造方法。所述方法包括：形成第一有源层、位于所述第一有源层上的第一绝缘层、以及通过穿透所述第一绝缘层连接至所述第一有源层的第一源极电极和第一漏极电极；形成位于所述第一绝缘层上的第二有源层、以及位于所述第二有源层上的第二绝缘层；以及形成通过穿透所述第二绝缘层分别连接至所述第一源极电极和所述第一漏极电极的连接源极电极和连接漏极电极，并且形成通过穿透所述第二绝缘层连接至所述第二有源层的第二源极电极和第二漏极电极。结果，通过减小对薄膜晶体管的有源层的损坏，提高了薄膜晶体管的性能。根据本专利技术的再一个方面，提供了一种显示装置的制造方法。所述方法包括：形成第一有源层、以及位于所述第一有源层上的第一绝缘层；在所述第一绝缘层上形成通过穿透所述第一绝缘层连接至所述第一有源层的第一半导体材料、以及与所述第一半导体材料分隔开的第二半导体材料；通过将所述第二半导体材料的两侧和所述第一半导体材料导电化，利用所述第一半导体材料形成第一源极电极和第一漏极电极并且形成具有位于所述第二半导体材料的两侧的导电化的源极区域和漏极区域的第二有源层；形成覆盖所述第一源极电极、所述第一漏极电极和所述第二有源层的第二绝缘层；以及形成通过穿透所述第二绝缘层连接至所述第二有源层的第二源极电极和第二漏极电极。因此，由于减少了在显示装置的制造工艺过程中所需的掩模数量，所以可降低工艺成本。本专利技术的详细描述和附图中将包括其他示例性实施方式的细节。根据本专利技术，通过减小对设置在不同层中的薄膜晶体管的有源层的损坏，可提高薄膜晶体管的特性和显示装置的可靠性。此外，根据本专利技术，由于减少了在显示装置的制造方法中使用的掩模数量，所以可大大降低工艺成本。本专利技术的效果不限于上述效果，本申请中包括各种其他效果。附图说明从下面结合附图的详细描述将更清楚地理解本专利技术上述和其他的方面、特征和其他优点，其中：图1是用于描述根据本专利技术一示例性实施方式的显示装置的剖面图；图2A到2D是用于描述根据本专利技术一示例性实施方式的显示装置的剖面图；图3是用于描述根据本专利技术一示例性实施方式的显示装置的剖面图；图4是用于描述根据本专利技术另一示例性实施方式的显示装置的剖面图；图5是用于描述根据本专利技术另一示例性实施方式的显示装置的剖面图；图6是用于描述根据本专利技术一示例性实施方式的显示装置的制造方法的示意性流程图；图7A到7G是用于描述根据本专利技术一示例性实施方式的显示装置的制造方法的工艺剖面图；图8是用于描述根据本专利技术另一示例性实施方式的显示装置的制造方法的示意性流程图；图9A到9E是用于描述根据本专利技术另一示例性实施方式的显示装置的制造方法的工艺剖面图。具体实施方式从下面参照附图描述的示例性实施方式将更清楚地理解本专利技术的优点和特征及其实现方法。然而，本专利技术不限于下面的示例性实施方式，而是可以以各种不同的形式实现。提供这些示例性实施方式仅是为了使本专利技术完整并且将本专利技术的范畴充分提供给本专利技术所属领域的普通技术人员，本专利技术将仅由所附权利要求限定。为了描述本专利技术的示例性实施方式而在附图中显示出的形状、尺寸、比例、角度、数量等仅仅是示例，本专利技术并不限于此。相似的参考标记一般在整个本申请中表示相似的元件。此外，在下面的描述中，可能省略已知相关技术的详细解释，以避免不必要地使本专利技术的主题模糊不清。在此使用的诸如“包括”、“具有”、和“由……组成”之类的术语一般旨在允许添加其他部件，除非这些术语使用了术语“仅”。任何单数形式的指代可包括复数形式，除非另有明确说明。即使没有明确说明，部件仍被解释为包含通常的误差范围。当使用诸如“在……上”、“在……上方”、“在……下方”和“在……之后”之类的术语描述两部分之间的位置关系时，可在这两个部分之间设置一个或多个部分，除非这些术语使本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种显示装置，包括：第一薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管包括第一有源层、位于所述第一有源层上的第一绝缘层、以及通过形成在所述第一绝缘层中的第一接触孔连接至所述第一有源层的第一源极电极和第一漏极电极；第二薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管包括位于所述第一绝缘层上的第二有源层、位于所述第二有源层上的第二绝缘层、以及通过形成在所述第二绝缘层中的第二接触孔连接至所述第二有源层的第二源极电极和第二漏极电极；和通过形成在所述第二绝缘层中的第三接触孔分别连接至所述第一源极电极和所述第一漏极电极的连接源极电极和连接漏极电极。

【技术特征摘要】
2017.06.30 KR 10-2017-00836751.一种显示装置，包括：第一薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管包括第一有源层、位于所述第一有源层上的第一绝缘层、以及通过形成在所述第一绝缘层中的第一接触孔连接至所述第一有源层的第一源极电极和第一漏极电极；第二薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管包括位于所述第一绝缘层上的第二有源层、位于所述第二有源层上的第二绝缘层、以及通过形成在所述第二绝缘层中的第二接触孔连接至所述第二有源层的第二源极电极和第二漏极电极；和通过形成在所述第二绝缘层中的第三接触孔分别连接至所述第一源极电极和所述第一漏极电极的连接源极电极和连接漏极电极。2.根据权利要求1所述的显示装置，进一步包括：位于所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管之间的隔离绝缘层，其中所述连接源极电极和所述连接漏极电极通过形成在所述隔离绝缘层和所述第二绝缘层中的第三接触孔分别连接至所述第一源极电极和所述第一漏极电极。3.根据权利要求1所述的显示装置，其中所述第一有源层由低温多晶硅(LTPS)制成，并且所述第二有源层由氧化物半导体制成。4.根据权利要求1所述的显示装置，其中所述第一源极电极和所述第一漏极电极中的至少一个与所述第一接触孔暴露的第一有源层的侧表面接触。5.根据权利要求4所述的显示装置，其中所述第一源极电极和所述第一漏极电极中的至少一个与所述第一有源层的上表面和所述第一接触孔暴露的所述第一有源层的侧表面接触。6.根据权利要求1所述的显示装置，其中与所述第二源极电极和所述第二漏极电极的每一个连接的一部分第二有源层被导电化，所述第一源极电极和所述第一漏极电极由与所述第二源极电极和所述第二漏极电极的每一个连接的一部分第二有源层相同的材料制成，并且所述第一源极电极和所述第一漏极电极形成在与所述第二有源层相同的层上。7.根据权利要求1所述的显示装置，其中所述连接源极电极和所述连接漏极电极形成在与所述第二源极电极和所述第二漏极电极相同的层上。8.一种显示装置，包括：第一薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管包括第一有源层、位于所述第一有源层上的第一绝缘层、以及通过所述第一绝缘层的第一接触孔连接至所述第一有源层的第一源极电极和第一漏极电极；和第二薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管包括位于所述第一绝缘层上的第二有源层、位于所述第二有源层上的第二绝缘层、以及通过所述第二绝缘层的第二接触孔连接至所述第二有源层的第二源极电极和第二漏极电极，其中所述第一源极电极和所述第一漏极电极由导电化的半导体材料形成。9.根据权利要求8所述的显示装置，其中所述第一有源层由低温多晶硅(LTPS)制成，并且所述第二有源层由氧化物半导体制成。10.根据权利要求8所述的显示装置，其中所述第一源极电极和所述第一漏极电极由分别与所述第二源极电极和所述第二漏极电极连接的一部分第二...

【专利技术属性】
技术研发人员：卢韶颖，李瑛长，金孝真，池奕，
申请(专利权)人：乐金显示有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR