The invention discloses a semiconductor structure and a manufacturing method thereof. The semiconductor structure comprises a substrate, a first dielectric layer, a first doping layer of the first conductive type and a second doping layer of the second conductive type. The base has fin parts. The first dielectric layer is disposed on the base and surrounds the fin portion. The first conductive first doping layer is disposed on the first dielectric layer and is located on the relative side walls of the fin portion. A second conductive doping layer is disposed on the opposite sides of the fin portion and is located between the fin portion and the first doping layer. The first doping layer covers the side wall and the bottom surface of the second doping layer.
【技术实现步骤摘要】
半导体结构及其制造方法
本专利技术涉及一种半导体结构及其制造方法,且特别是涉及一种鳍部分的侧壁上配置有不同导电型的掺杂层的半导体结构及其制造方法。
技术介绍
随着半导体制作工艺技术的快速发展,为了增进元件的速度与效能,整个电路元件的尺寸必须不断缩小,并持续不断地提升元件的集成度。目前已经开发出诸如鳍式场效应晶体管(FinFET)的三维多栅极结构来代替平面互补金属氧化物半导体(CMOS)元件。鳍式场效应晶体管具有自基底的表面垂直向上延伸的鳍部分以及配置于鳍部分周围的栅极,以提供对鳍式场效应晶体管的通道更好的电控制。
技术实现思路
本专利技术提供一种半导体结构,其中不同导电型的掺杂层配置于鳍部分的侧壁上。本专利技术提供一种半导体结构的制造方法,其用以制造上述的半导体结构。本专利技术的半导体结构包括基底、第一介电层、第一导电型的第一掺杂层以及第二导电型的第二掺杂层。基底具有鳍部分。第一介电层配置于所述基底上且围绕所述鳍部分。第一导电型的第一掺杂层配置于所述第一介电层上且位于所述鳍部分的相对两侧壁上。第二导电型的第二掺杂层配置于所述鳍部分的相对两侧壁上且位于所述鳍部分与所述第一掺杂层之间。所述第一掺杂层覆盖所述第二掺杂层的侧壁与底面。在本专利技术的半导体结构的一实施例中,所述第一掺杂层的顶面与所述第二掺杂层的顶面低于所述鳍部分的顶面。在本专利技术的半导体结构的一实施例中,还包括配置于所述第一介电层上且围绕所述第一掺杂层的第二介电层,且所述第一掺杂层的顶面、所述第二掺杂层的顶面与所述第二介电层的顶面是共平面的。在本专利技术的半导体结构的一实施例中,所述第一掺杂层在所述第 ...
【技术保护点】
1.一种半导体结构,包括:基底,具有鳍部分;第一介电层,配置于所述基底上且围绕所述鳍部分;第一导电型的第一掺杂层,配置于所述第一介电层上且位于所述鳍部分的相对两侧壁上;以及第二导电型的第二掺杂层,配置于所述鳍部分的相对两侧壁上且位于所述鳍部分与所述第一掺杂层之间;其中所述第一掺杂层覆盖所述第二掺杂层的侧壁与底面。
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构,包括:基底,具有鳍部分;第一介电层,配置于所述基底上且围绕所述鳍部分;第一导电型的第一掺杂层,配置于所述第一介电层上且位于所述鳍部分的相对两侧壁上;以及第二导电型的第二掺杂层,配置于所述鳍部分的相对两侧壁上且位于所述鳍部分与所述第一掺杂层之间;其中所述第一掺杂层覆盖所述第二掺杂层的侧壁与底面。2.如权利要求1所述的半导体结构,其中所述第一掺杂层的顶面与所述第二掺杂层的顶面低于所述鳍部分的顶面。3.如权利要求1所述的半导体结构,还包括第二介电层,配置于所述第一介电层上且围绕所述第一掺杂层,且所述第一掺杂层的顶面、所述第二掺杂层的顶面与所述第二介电层的顶面是共平面的。4.如权利要求1所述的半导体结构,其中所述第一掺杂层在所述第一介电层上延伸。5.如权利要求4所述的半导体结构,还包括第二介电层,配置于所述第一掺杂层上,且所述第一掺杂层、所述第二掺杂层与所述第二介电层的顶面是共平面的。6.一种半导体结构的制造方法,包括:提供基底,所述基底具有鳍...
【专利技术属性】
技术研发人员:刘恩铨,童宇诚,林静龄,
申请(专利权)人:联华电子股份有限公司,
类型:发明
国别省市:中国台湾,71
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